-
公开(公告)号：CN108807126A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810426752.2
申请日：2018-05-07
申请人： 应用材料公司
发明人： H·于 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , C-A·陈 , A·巴拉克利斯纳
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01J37/32165
摘要： 本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。
-
公开(公告)号：CN105097406B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510320622.7
申请日：2015-06-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/147
CPC分类号： H01L27/127 , H01J37/32192 , H01J37/32669 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L27/1222 , H01L29/78678 , H01L29/78696
摘要： 本发明公开了一种平滑装置、平滑方法、薄膜晶体管、显示基板及显示装置，该平滑装置包括：腔体、等离子体产生部件、磁场产生部件、电场产生部件以及位于腔体内的载物台；等离子体产生部件产生的等离子体在磁场产生部件产生的磁场的作用下受到平行于待平滑物的表面的洛伦兹力，在电场产生部件产生的电场的作用下受到垂直于待平滑物的表面且指向待平滑物方向的电场力；这样，等离子体在洛伦兹力和电场力的共同作用下向靠近待平滑物的方向运动，并在等离子体到达待平滑物的表面时，可以使等离子体选择性地与待平滑物上凸起部位的原子发生反应，从而可以在不损坏待平滑物的整体表面的前提下，降低待平滑物的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN104517795B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410499774.3
申请日：2014-09-25
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 , 拉金德尔·迪恩赛 , 肯·卢彻斯 , 卢克·奥巴伦德
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32174 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344
摘要： 本发明涉及射频输送路径的阻抗的控制。等离子体系统包括射频发生器以及包括阻抗匹配电路的匹配盒，该匹配盒经由射频电缆联接到所述射频发生器。所述等离子体系统包括卡盘以及经由射频线联接到所述匹配盒的等离子体反应器。射频线形成射频供应路径的一部分，所述射频供应路径从所述射频发生器延伸通过所述匹配盒并且延伸到所述卡盘。等离子体系统进一步包括联接到所述阻抗匹配电路与所述卡盘之间的所述射频供应路径上的相位调节电路。所述相位调节电路的一端联接到所述射频供应路径并且另一端接地。所述等离子体系统包括联接到所述相位调节电路的控制器。所述控制器用于根据调节配方改变所述相位调节电路的参数以控制所述射频供应路径的阻抗。
-
公开(公告)号：CN105931940A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610383812.8
申请日：2016-06-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32651 , H01J2237/3344
摘要： 本发明提供一种电感耦合等离子体装置，涉及显示技术领域，可提高刻蚀均匀性。该电感耦合等离子体装置，包括反应室和介电耦合板，以及设置在所述介电耦合板上方的线圈；所述介电耦合板为至少两层结构；所述介电耦合板分为多个区域，在每个区域还设置有电场调节结构，所述电场调节结构位于相邻两层所述介电耦合板之间；所述电场调节结构用于调节通过每个区域进入所述反应室的电场强度。用于干法刻蚀。
-
公开(公告)号：CN104517795A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410499774.3
申请日：2014-09-25
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 , 拉金德尔·迪恩赛 , 肯·卢彻斯 , 卢克·奥巴伦德
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32174 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H01J37/32431 , H01J37/244 , H01J37/32623 , H01J37/32807 , H01J37/32908
摘要： 本发明涉及射频输送路径的阻抗的控制。等离子体系统包括射频发生器以及包括阻抗匹配电路的匹配盒，该匹配盒经由射频电缆联接到所述射频发生器。所述等离子体系统包括卡盘以及经由射频线联接到所述匹配盒的等离子体反应器。射频线形成射频供应路径的一部分，所述射频供应路径在所述射频发生器与所述匹配盒之间延伸并且延伸到所述卡盘。等离子体系统进一步包括联接到所述阻抗匹配电路与所述卡盘之间的所述射频供应路径上的相位调节电路。所述相位调节电路的一端联接到所述射频供应路径并且另一端接地。所述等离子体系统包括联接到所述相位调节电路的控制器。所述控制器用于根据调节配方改变所述相位调节电路的参数以控制所述射频供应路径的阻抗。
-
公开(公告)号：CN102422389B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
摘要： 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
-
公开(公告)号：CN103094044A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210548832.8
申请日：2012-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
-
公开(公告)号：CN102422389A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
摘要： 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
28 条记录 (耗时 0.018 秒)
