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公开(公告)号：CN105931940B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610383812.8
申请日：2016-06-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种电感耦合等离子体装置，涉及显示技术领域，可提高刻蚀均匀性。该电感耦合等离子体装置，包括反应室和介电耦合板，以及设置在所述介电耦合板上方的线圈；所述介电耦合板为至少两层结构；所述介电耦合板分为多个区域，在每个区域还设置有电场调节结构，所述电场调节结构位于相邻两层所述介电耦合板之间；所述电场调节结构用于调节通过每个区域进入所述反应室的电场强度。用于干法刻蚀。
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公开(公告)号：CN105529239B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610127606.0
申请日：2016-03-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种干法刻蚀装置及方法。所述装置包括真空刻蚀腔、同轴圆波导、用于承载待刻蚀基板的承载件、与同轴圆波导连接的同轴微波源；其中：所述同轴圆波导设置于所述真空刻蚀腔内部，用于传输所述同轴微波源产生的电磁波以激发等离子体，使得所述等离子体刻蚀设位于同轴圆波导下方的待刻蚀基板。所述方法采用本发明任意一项实施例所提供的干法刻蚀装置进行刻蚀；包括：调整所述待刻蚀基板在所述同轴圆波导下方的刻蚀时间，使得所述待刻蚀基板的刻蚀深度达到设定值。
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公开(公告)号：CN105810689A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610200608.8
申请日：2016-03-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/134336 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136295 , G02F2001/13685 , G02F2201/121 , H01L27/12 , H01L27/1259 , G02F1/136227 , H01L27/124
摘要： 本发明公开了一种制造阵列基板的方法，包括步骤在基板上形成薄膜晶体管，其中所述在基板上形成薄膜晶体管的步骤包括：在所述基板上形成第一导体层；在所述第一导体层上形成绝缘体层；在所述绝缘体层上形成至少一个公共孔连接至所述第一导体层；在所述绝缘体层上形成第二导体层的同时，在所述至少一个公共孔中的至少一部分公共孔中形成与所述第二导体层相同材料的第一连接部，所述第一连接部与所述第一导体层电接触。此外，本发明还公开了一种通过上述制造方法制造的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。
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公开(公告)号：CN105931940A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610383812.8
申请日：2016-06-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32651 , H01J2237/3344
摘要： 本发明提供一种电感耦合等离子体装置，涉及显示技术领域，可提高刻蚀均匀性。该电感耦合等离子体装置，包括反应室和介电耦合板，以及设置在所述介电耦合板上方的线圈；所述介电耦合板为至少两层结构；所述介电耦合板分为多个区域，在每个区域还设置有电场调节结构，所述电场调节结构位于相邻两层所述介电耦合板之间；所述电场调节结构用于调节通过每个区域进入所述反应室的电场强度。用于干法刻蚀。
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公开(公告)号：CN105810689B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610200608.8
申请日：2016-03-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了一种制造阵列基板的方法，包括步骤在基板上形成薄膜晶体管，其中所述在基板上形成薄膜晶体管的步骤包括：在所述基板上形成第一导体层；在所述第一导体层上形成绝缘体层；在所述绝缘体层上形成至少一个公共孔连接至所述第一导体层；在所述绝缘体层上形成第二导体层的同时，在所述至少一个公共孔中的至少一部分公共孔中形成与所述第二导体层相同材料的第一连接部，所述第一连接部与所述第一导体层电接触。此外，本发明还公开了一种通过上述制造方法制造的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。
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公开(公告)号：CN105529239A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610127606.0
申请日：2016-03-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种干法刻蚀装置及方法。所述装置包括真空刻蚀腔、同轴圆波导、用于承载待刻蚀基板的承载件、与同轴圆波导连接的同轴微波源；其中：所述同轴圆波导设置于所述真空刻蚀腔内部，用于传输所述同轴微波源产生的电磁波以激发等离子体，使得所述等离子体刻蚀设位于同轴圆波导下方的待刻蚀基板。所述方法采用本发明任意一项实施例所提供的干法刻蚀装置进行刻蚀；包括：调整所述待刻蚀基板在所述同轴圆波导下方的刻蚀时间，使得所述待刻蚀基板的刻蚀深度达到设定值。
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公开(公告)号：CN205406497U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620191637.8
申请日：2016-03-11
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306 , G02F1/1333
摘要： 本实用新型提供一种刻蚀设备，涉及显示器件制备领域，在喷淋刻蚀过程中，刻蚀液能够对光刻胶边缘所覆盖的薄膜层进行刻蚀。该刻蚀设备包括刻蚀腔，刻蚀腔内设置有工作台和刻蚀液喷头，工作台用于承载待刻蚀基板，待刻蚀基板包括依次覆盖衬底基板的薄膜层和光刻胶，刻蚀液喷头可向所述待刻蚀基板上喷淋刻蚀液。工作台连接有振动机构，用于驱动所述工作台振动，以使得上述待刻蚀基板上的刻蚀液与光刻胶边缘覆盖的薄膜层相接触。该刻蚀设备用于对待刻蚀基板进行刻蚀。
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公开(公告)号：CN205329148U
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201620128445.2
申请日：2016-02-18
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C23C14/24
摘要： 本实用新型实施例提供一种真空蒸发源装置及真空蒸镀设备，涉及真空蒸镀技术领域，可有效控制蒸发源的蒸发速率且能够解决蒸镀过程中蒸镀坩埚的开口堵塞的问题。该真空蒸发源装置，包括蒸镀坩埚、开口可变式盖板、控制结构。所述蒸镀坩埚用于放置蒸镀的源材料；所述开口可变式盖板设置于所述蒸镀坩埚的开口处，用于调节所述蒸镀坩埚的开口的大小；所述控制结构与所述开口可变式盖板相连，用于控制所述开口可变式盖板的开口大小。其中，所述开口可变式盖板的材料为耐高温材料。用于真空蒸镀设备。
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公开(公告)号：CN205934012U
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201620961698.8
申请日：2016-08-26
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本实用新型公开一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备，涉及磁控溅射技术领域，为解决因磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度不均匀而导致形成在基板上的膜层的厚度不均匀的问题。所述磁控溅射靶材包括溅射面，溅射面为中部区域凹陷的弧面。当将磁控溅射靶材安装在磁控溅射靶上，在基板上形成膜层时，相比于溅射面的中部区域与基板之间的距离，溅射面的边缘区域与基板之间的距离较小，减小因磁场不均匀而导致对应于溅射面的中部区域的成膜速度与对应于溅射面的边缘区域的成膜速度之差，改善磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度的均匀性，从而改善形成在基板上的膜层的厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN105080922A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510505460.4
申请日：2015-08-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种等离子体清洗设备。所述等离子体清洗设备包括多个等离子体发生筒；所述等离子体发生筒的一端为进气口，另一端为出气口，每个所述等离子体发生筒将位于其内部的气体激发为等离子体；所述多个等离子体发生筒阵列设置；且所述多个等离子体发生筒下端的开孔交错设置。上述等离子体清洗设备输入到玻璃基板表面的等离子体可以均匀地将玻璃基板覆盖，减少未被等离子体覆盖的死角，从而可以保证对玻璃基板的清洗效果。
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