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公开(公告)号：CN101431215A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810184661.9
申请日：2004-12-21
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/0625 , H01S5/10 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0624 , H01S5/1064 , H01S5/22
摘要： 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。
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公开(公告)号：CN1886875A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035275.3
申请日：2004-12-21
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01S5/062
CPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0624 , H01S5/1064 , H01S5/22
摘要： 提供一种半导体激光装置和激光投影装置，在端面反射率不同的半导体激光装置(10)中，将配置在条状脊部(107a)上的电极，分割为由4个电极部(1)、(2)、(3)、(4)构成的四分割结构，使越是接近光出射端面侧的电极部，其注入电流越大。利用这种半导体激光装置，可以使与条状脊部对置的活性层内的载流子密度分布成为适合其光强度分布的分布，因此可以防止由于空间烧孔效应产生的横模的不稳定化和增益降低引起的高输出特性劣化。
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公开(公告)号：CN1875528A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031810.8
申请日：2004-08-31
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
发明人： A·A·贝法 , K·姆罗 , C·B·史塔加尔斯库 , A·T·谢里默尔
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/06256 , H01S5/0655 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34313
摘要： 一种单模、蚀刻面为分布式布拉格反射激光器包括AlGaIn As/InP激光谐振腔，具有多个法布里－佩罗特元件前端镜组合，以及后端检测器。该前端镜组合元件和后端反射元件包括输入和输出蚀刻面，并且激光谐振腔是蚀刻脊形谐振腔，它们都通过两个步骤的光刻和CAIBE工艺从外延晶片形成的。
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公开(公告)号：CN107078459A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057086.4
申请日：2015-09-17
申请人： 圣安德鲁斯大学董事会
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0625 , H01S5/10 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/026 , H01S3/105 , H01S5/0625 , H01S5/1003 , H01S5/105 , H01S5/1096 , H01S5/141 , H01S5/142
摘要： 一种激光器，包括：至少一个波长选择反射器，其包括垂直耦合到至少一个光子晶体谐振器的波导，所述波导和光子晶体谐振器被布置成提供在所述光子晶体谐振器的至少一个模式和所述波导的至少一个模式之间的波矢匹配；光学增益介质，用于产生用于耦合到所述波导中的光，以及在所述光学增益介质的端部处的反射器，所述反射器和所述光子晶体谐振器限定了激光腔。由光学增益介质产生的光被耦合到所述波导中并耦合到所述光子晶体谐振器中，并部分地反射回所述光学增益介质。
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公开(公告)号：CN102684041B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210064217.X
申请日：2012-03-12
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 中山人司
IPC分类号： H01S1/02
CPC分类号： G01N21/3581 , B82Y20/00 , H01S5/0057 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0609 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/34313 , H01S5/4031
摘要： 本发明涉及太赫兹波产生装置、光源装置、摄像机及成像装置。该太赫兹波产生装置具备：光源装置，其射出光脉冲；天线，其被照射从上述光源装置射出的光脉冲而产生太赫兹波，上述光源装置具有：光脉冲产生部，其产生光脉冲；第一脉冲压缩部，其对上述光脉冲产生部所产生的光脉冲进行基于可饱和吸收的脉冲压缩；第二脉冲压缩部，其对由上述第一脉冲压缩部进行了脉冲压缩的光脉冲，进行基于群速度色散补偿的脉冲压缩；放大部，其被设置于上述第一脉冲压缩部和上述第二脉冲压缩部之间，用于对从上述第一脉冲压缩部射出的光脉冲进行放大。
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公开(公告)号：CN102684067B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210062338.0
申请日：2012-03-09
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H01S5/0602 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/1064 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/166
摘要： 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
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公开(公告)号：CN103329367A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280005166.1
申请日：2012-01-11
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/0658 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0602 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/1014 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/222 , H01S5/34333 , H01S2301/176
摘要： 本发明提供了一种二分式GaN基半导体激光器件，具有在朝向第一发光区域的可饱和吸收区域内不太可能发生损坏的配置和结构。所述半导体激光器件包括第一发光区域（41A）、第二发光区域（41B）、夹在上述发光区域之间的可饱和吸收区域（42）、第一电极和第二电极。激光从其第二发光区域侧的端面发出。所述半导体激光器件具有脊状条纹结构。第二电极（62）由第一部分（62A）、第二部分（62B）和第三部分（62C）构成。满足1
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公开(公告)号：CN102893466A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024049.5
申请日：2011-05-09
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在半导体本体（1）的外面（11）上。
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公开(公告)号：CN102210072B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880131952.X
申请日：2008-12-26
申请人： 富士通株式会社
发明人： 关口茂昭
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/026 , G02F1/0102 , G02F2201/58 , G02F2203/20 , G02F2203/21 , G02F2203/50 , G02F2203/70 , H01S5/0265 , H01S5/0625 , H01S5/06832 , H01S5/10 , H01S5/1025 , H01S5/14
摘要： 为了能够以简单又实用的结构来独立于强度调制地对强度调制的信号高电平状态和信号低电平状态之间的频率差进行调整，从而能够抑制波形劣化从而延长传输距离，并能够对应不同的调制比特率，使光信号产生装置具有：单模激光器(110)；反射镜(210)，其构成与单模激光器的谐振器不同的其他的谐振器，使来自单模激光器的输出光的一部分反射后返回到单模激光器；强度调制器(140)，其设置在单模激光器和反射镜之间；相位调整器(120)，其设置在单模激光器和反射镜之间，用于对因强度调制器的强度调制而生成的信号高电平状态和信号低电平状态之间的频率差进行调整。
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公开(公告)号：CN102856788A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210034734.2
申请日：2010-03-19
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/042 , H01S5/343 , B82Y20/00
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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