公开(公告)号：CN113330139A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202080009371.X

申请日：2020-01-24

申请人： 应用材料公司

发明人： 肖文 ,  桑杰·巴特 ,  刘树围 ,  维布什·金达尔

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  G03F1/22 ,  G03F1/52

摘要： 披露了物理气相沉积靶材组件、包括靶材组件的PVD腔室和使用所述靶材组件制造EUV掩模坯料的方法。靶材组件包括：相邻于靶材并围绕靶材的周边边缘的靶材屏蔽件，靶材屏蔽件包括绝缘材料；和非绝缘外周边装置夹，用于将靶材屏蔽件固定至所述组件。

公开(公告)号：CN110955111A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910244279.0

申请日：2019-03-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖啟宏 ,  杨岳霖

IPC分类号： G03F1/76 ,  G03F1/52

摘要： 一种光罩及使用其的光微影方法。光罩包含基板、光反射结构、图案化层以及多个凸块。基板具有第一表面及第二表面。光反射结构位于基板的第一表面上。图案化层位于光反射结构上。多个凸块位于基板的第二表面上。多个空隙形成于凸块之间且凸块沿远离基板的第二表面的方向突出。

公开(公告)号：CN110865512A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201810981437.6

申请日：2018-08-27

申请人： 南昌欧菲生物识别技术有限公司

发明人： 李宗政 ,  林君翰 ,  陈冠宏 ,  周祥禾 ,  詹明山

IPC分类号： G03F1/38 ,  G03F1/52

摘要： 本发明公开了一种掩膜组件、投影模组、光电装置和电子设备。掩膜组件包括掩膜和反射镀膜。反射镀膜设置在掩膜上，掩膜组件形成有透光区域与非透光区域，反射镀膜与非透光区域对应，反射镀膜用于反射射向非透光区域的激光。本发明实施方式的掩膜组件通过在非透光区域设置反射镀膜，使得激光发射器射向非透光区域的激光不是被吸收而是被反射镀膜反射回去，被反射镀膜反射的激光在掩膜组件和激光发射器之间来回反射并最终从透光区域射出以形成激光图案，相较于激光被非透光区域吸收，激光被反射时损耗较小，从而可以更充分的利用激光，进而减小投影模组的功耗。

公开(公告)号：CN102243444B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201010175938.9

申请日：2010-05-14

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 郭建 ,  周伟峰 ,  明星 ,  陈永 ,  肖光辉

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/52 ,  G03F1/38

CPC分类号： G03F7/7015 ,  G03F1/14 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50 ,  G03F1/52 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70466

摘要： 本发明提供一种曝光设备、掩膜板及曝光方法，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够利用一块掩膜板对两层光刻胶进行曝光，减少了制造成本，提高了生产效率。该设备包括：承载基板的载台；在载台上方，与载台平行地设有掩膜板；掩膜板与载台之间设有透镜装置；第一照明光源，射出的光线从掩膜板的上方垂直射到掩膜板的上表面，穿过掩膜板，经由透镜装置射到载台；在掩膜板的下表面上，掩膜板的光吸收区域中设有光反射区域；在透镜装置中设有光反射装置；第二照明光源，射出的光线通过透镜装置中的光反射装置被垂直地反射到掩膜板的下表面，被掩膜板下表面的光反射区域反射，经由透镜装置射到载台。本发明用于光刻胶层曝光。

公开(公告)号：CN118795721A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410415427.1

申请日：2024-04-08

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 木下隆裕 ,  小泽良兼

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F1/44 ,  G03F1/42 ,  G03F1/84

摘要： 本发明提供一种能够简便地评估基准标记的加工精度(例如深度)的EUV掩膜坯料的评估方法。一种形成于EUV掩膜坯料的基准标记的评估方法，拍摄形成于所述EUV掩膜坯料的基准标记并获取基准标记图像，根据该获取到的基准标记图像获取作为所述基准标记与背景水平的对比度的基准标记对比度，通过该获取到的基准标记对比度评估所述基准标记的加工精度。

公开(公告)号：CN114930245A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080086842.7

申请日：2020-12-10

申请人： 凸版光掩模有限公司

发明人： 松井一晃 ,  小岛洋介

IPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/52 ,  H01L21/302 ,  C23C14/06

摘要： 本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、多层反射膜(2)、封盖层(3)、低反射部(5)，低反射部(5)由吸收膜(A)和吸收膜(B)交替层叠而成，吸收膜(A)的电子束校正时的校正蚀刻速率大于吸收膜(B)的电子束校正时的校正蚀刻速率，吸收膜(B)含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。

公开(公告)号：CN111435217A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201911075216.3

申请日：2019-11-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金二权 ,  金相辰 ,  高熙英 ,  金熙范 ,  金勋 ,  崔烘硕 ,  许晋硕

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F1/56 ,  H01L21/027

摘要： 公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的吸收结构。

公开(公告)号：CN110824853A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910319701.4

申请日：2019-04-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖啟宏 ,  廖主玮

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/38 ,  G03F1/52 ,  G03F1/54

摘要： 一种遮罩及其制造方法和使用方法。遮罩的使用方法方法包括将遮罩夹持在遮罩台上，其中遮罩包括多层磁膜；通过使用遮罩来执行第一微影制程；使遮罩移动远离遮罩台；以及确认多层薄膜的表面层的表面状况是否可接受；以及当表面层的表面状况被确认为不可接受时自多层磁膜剥离多层磁膜的表面层。

公开(公告)号：CN109782531A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811313603.1

申请日：2018-11-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 薛文章 ,  李环陵 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F1/58

摘要： 提供光掩模及其制造方法。光掩模包含掩模基底、反射式多层膜、盖层以及吸收复合结构。掩模基底具有前侧表面和后侧表面。反射式多层膜设置于掩模基底的前侧表面之上。盖层设置于反射式多层膜之上。吸收复合结构设置于盖层之上。吸收复合结构包含第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层及蚀刻停止层。第一吸收层设置于盖层之上。第二吸收层设置于第一吸收层之上。第三吸收层设置于第二吸收层之上。蚀刻停止层设置于第一吸收层和第二吸收层之间。第一吸收层和第二吸收层是由相同材料所形成。

公开(公告)号：CN109426068A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810481786.1

申请日：2018-05-18

申请人： 格芯公司

发明人： E·韦尔迪恩 ,  陈宇路 ,  拉尔斯·赖柏曼 ,  帕伟特·麦盖特

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F1/54 ,  G03F1/24

摘要： 本发明涉及使用光掩膜衬底形貌的EUV图案化，揭露一种光掩膜包括具有顶部表面的衬底。在该衬底的该顶部表面上形成形貌特征。该形貌特征可为产生于该衬底的该顶部表面上的凸块或凹坑。在该形貌特征上方的该衬底的该顶部表面上形成反射体。该形貌特征翘曲该反射体，以在该反射体所反射的光中生成相位及/或振幅梯度。在该反射体上图案化吸收体，以定义阻剂材料的光刻图案。在利用极紫外(EUV)光光刻该阻剂材料期间，该反射体所反射的光中的该梯度产生阴影区。