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公开(公告)号：CN108040498B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201680027886.6
申请日：2016-05-11
申请人： 瓦里安半导体设备公司
摘要： 本文提供源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法。源壳体组件可包括源壳体，所述源壳体环绕包括弧室的离子源，所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫，所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后，所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭，进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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公开(公告)号：CN107004620B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201580063788.3
申请日：2015-11-18
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 布莱德利·M·波玛李欧 , 艾利克·D·威尔森
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种用于在将半导体基板装载及卸载至半导体处理工具的装载锁室中的期间减少微粒污染的一种排气装载锁室的方法及装载锁系统，其中所述装载锁系统包括测量装载锁内部与外界大气之间的差压的传感器。所述方法使用预测何时停止装载锁排气的算法，以使得在每次门开启时实现小的、正的、可重复的压力猝发。此算法将针对排气速率及系统排气部件的响应时间的变化而自动作出调整。本发明还提供一种包含涉及对装载锁室进行排气的指令的非暂时性计算机可读储存媒体。
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公开(公告)号：CN110957213A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811131426.5
申请日：2018-09-27
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种形成半导体装置的方法，其可包括：在衬底层中形成沟渠，其中在所述衬底层的顶部上设置有硬掩模；以及相对于所述硬掩模的顶表面呈一角度对所述沟渠进行植入。所述方法可进一步包括：在所述沟渠内形成氧化物层，其中所述氧化物层沿所述沟渠的底部的厚度大于所述氧化物层沿所述沟渠的上部的厚度。本发明的形成半导体装置的方法可显著地简化工艺并改善半导体装置的性能。
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公开(公告)号：CN110622277A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880018810.6
申请日：2018-03-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30
摘要： 一种离子植入系统可包括：离子源，产生离子束，衬底平台，设置在离子源的下游；以及减速级，包括使离子束偏转的组件，其中所述减速级设置在离子源与衬底平台之间。所述离子植入系统还可包括向减速级提供氢气的氢来源，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。
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公开(公告)号：CN107810547B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680037201.6
申请日：2016-06-24
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 本发明揭示一种设备及利用发光二极管加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
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公开(公告)号：CN107408487B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201680015153.0
申请日：2016-03-16
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 亚历山大·利坎斯奇 , 史费特那·B·瑞都凡诺 , 威廉·戴维斯·李
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32697
摘要： 本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。本发明的等离子体处理设备允许多种多样的离子束角度并且因此允许多种多样的入射角度，且同时还能保持良好角展度。
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公开(公告)号：CN109923655A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780067250.9
申请日：2017-10-26
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/027 , G03F1/74
摘要： 一种设备可包括台板，所述台板对衬底进行保持。衬底平面结构可设置在所述台板的前面。所述衬底平面结构中具有开口。所述设备还可包括可拆卸的结构，所述可拆卸的结构设置在所述衬底平面结构的所述开口中。所述可拆卸的结构可具有开口，所述可拆卸的结构的所述开口暴露出所述台板的表面。
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公开(公告)号：CN105874557B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201480071772.2
申请日：2014-11-17
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC分类号： H01J37/147 , G02B27/30
摘要： 一种静电透镜系统及处理发散离子束的方法。静电透镜系统包含：第一电极，用于接收离子束；第二电极，用于接收穿过第一电极之后的离子束，其中第一电极与第二电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定上游间隙；第三电极，用于接收穿过第二电极之后的离子束，其中第二电极与第三电极中的其中之一的凸面和其中另一的凹面界定下游间隙，第二电极具有两个凹面或两个凸面；以及电压供应系统，用于独立地将电压信号供应到第一电极、第二电极和第三电极，其中电压信号随着离子束穿过第一电极、第二电极和第三电极而将离子束加速和减速。本发明的静电透镜系统可充当静电准直器和用于离子束的减速或加速的静电透镜。
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公开(公告)号：CN105849888B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480071549.8
申请日：2014-11-10
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
摘要： 本发明提供一种积体超导体装置及其制造方法。所述积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的第一中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述第一中间层上的第一定向超导体层，和安置于所述第一定向超导体层的一部分上的第一导电带。所述第一导电带可在其下方界定所述第一定向超导体层的第一超导体区，和邻近于所述第一超导体区的所述第一定向超导体层的第一暴露区。本申请的积体超导体装置制造的超导体结构类似于带材但直接形成于大面积衬底上，克服与独立式超导体带材的制造相关联的复杂性。
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公开(公告)号：CN108604523A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008729.5
申请日：2017-01-06
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/317
摘要： 一种装置可包含产生离子束的离子源，所述离子源耦合到第一电压。装置可进一步包含：停止元件，其安置于离子源与衬底位置之间；停止电压供应器，其耦合到停止元件；以及控制组件，其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止元件，当离子束包括正离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正，且当离子束包括负离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负，其中当将停止电压施加到停止元件时，离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
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