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公开(公告)号：CN111081626A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911411347.4
申请日：2019-12-31
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种包含高电阻陶瓷热熔射材料的静电卡盘，自下而上依次为金属母材、电介质层、导电电极层以及上部电介质层，其中下部电介质或上部电介质层均由经过熔射滤光处理的Al2O3-YAG复合酸化物粉末制成。本发明可增大静电卡盘均匀吸附力强度，缩短脱离时间，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN110556331A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910879522.6
申请日：2019-09-19
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
发明人： 杨冬野
摘要： 本发明在陶瓷材料与金属材料使用类似粘结薄膜的黏着材料时，提供能够更好进行连接作业的复合材料的制造方法及静电卡盘的制造方法和黏着材料。覆盖膜25及基膜27，具有水溶性，黏着剂23，具有不溶于水（或者难溶于水）的性质。因此，陶瓷侧部材31制造时，保持真空吸着台29黏着膜21的覆盖膜25，去除溶解于水，使第1黏着剂层23a的基膜27，去除溶于水，使第2主面A可以露出。
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公开(公告)号：CN110517982A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910834506.5
申请日：2019-09-05
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
发明人： 杨冬野
IPC分类号： H01L21/683 , B05D5/00 , B05D1/02
摘要： 本发明涉及一种半导体用防浸蚀静电卡盘及其制造方法，静电卡盘的构成包括静电卡盘基板、吸附固定晶圆的介质层、基板与介质层之间的粘附层、保护粘附层免于等离子体浸蚀并防止污染物的产生的防浸蚀层。本发明的优点是制备的防浸蚀层可保护粘附层免于暴露在等离子体环境中，避免由于粘附层受到等离子体浸蚀而产生的颗粒造成的反应腔内加工的晶圆受到污染，同时可以延长静电卡盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118507414B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410977577.1
申请日：2024-07-22
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司 , 固态湿法(苏州)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明实施例提供了一种基于摄像头的晶圆对位方法和装置，其中，该方法包括：将待处理晶圆放置在机械手的机械手臂上，通过机械手调整坐标将待处理晶圆放置于摄像头的下方，待处理晶圆的材质为不透明或半透明；控制机械手内部设置的光源发亮，光源发出的预设颜色的单色光通过漫散射部件进行透射，将光源区域透射为预设颜色的背景光，机械手臂的材质为透明材料，漫散射部件的材质为半透明材料；基于待处理晶圆的边缘位置与预设颜色的背景光存在的色差，通过摄像头抓取待处理晶圆的边缘点位生成圆形，输出圆形的圆心坐标；将圆心坐标与初始设置的标准片位置做比对，计算出坐标偏移；通过机械手根据所述坐标偏移对待处理晶圆进行移动，完成晶圆对位。
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公开(公告)号：CN118335655A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410488074.8
申请日：2024-04-23
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
发明人： 任潮群
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种防止密封劣化的加热保温机构、加热保温方法及半导体热处理装置。在半导体热处理装置(10)中使用，加热源(22)通过气密部件(36)固定在支撑部件(16)上，在加热源(22)与气密部件(36)的接触部位设置阻断辐射热的辐射热阻断部件，具体的，在石英加热器组件(22H)的第二发热部件(23B)的外表面涂设有作为辐射热阻断部件的金属反射膜(X1)，通过金属反射膜(X1)阻断石英加热器组件(22H)的第一发热部件(23A)产生的热能，不向气密部件(36)传导热量。
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公开(公告)号：CN116469812B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310722043.X
申请日：2023-06-19
申请人： 北京芯士联半导体科技有限公司 , 苏州芯慧联半导体科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种晶圆清洗机的喷淋装置，属于晶圆清洗的技术领域，具体所述喷淋装置包括多套喷淋臂、升降组件、旋转组件和防护罩，所述防护罩的底部开口设置，升降组件和旋转组件驱动喷淋臂转动和升降，在一个喷淋臂进行喷淋工作时，其他喷淋臂在升降组件和旋转组件的控制下进入防护罩。通过本申请的处理方案，改善了正在喷淋的清洗液飞溅至其他喷淋臂上的问题，减少正在喷淋的喷淋臂上的从其他喷淋臂中喷出的清洗液的残留量；从而提高每个喷淋臂在喷淋过程中清洗腔室内的喷淋液的单一性，改善喷淋过程中其他种类的清洗液间断的落在晶圆上问题，改善二次污染的问题，减少清洗时间，提高清洗效率。
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公开(公告)号：CN110931340A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911371588.0
申请日：2019-12-27
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要： 本发明揭示了一种有效防止尾气结晶挂壁的干法刻蚀用尾气处理装置，包括等离子体干法刻蚀装置、连接等离子体干法刻蚀装置的气体排出口的至少一个排气管、包裹设于排气管外部的加热带、用于加热传导至加热带进行控温的温度控制器、设于排气管内用于反馈其内部温度至温度控制器的温度传感器、设于排气管外端的过滤器、以及设于过滤器后端的真空泵。本发明实现了在等离子体干法刻蚀尾气的处理过程中防止尾气在排气管管壁结晶，提高尾气处理效率。
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公开(公告)号：CN118335654A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410488070.X
申请日：2024-04-23
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
发明人： 任潮群
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种防止热处理中品质劣化的加热保温机构、加热保温方法及半导体热处理装置。在半导体热处理装置(10)中使用，加热源(22)通过气密部件(36)固定在支撑部件(16)上，加热源(22)包括俯视为连续环状的连续环状部件(52)、以及与连续环状部件(52)连接并沿垂直方向延伸的垂直固定部件(54)。垂直固定部件(54)通过气密部件(36)固定，防止硅基板的加热不均。
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公开(公告)号：CN117476525A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311814462.2
申请日：2023-12-27
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本申请提供了一种晶圆盒开盖设备，属于盒体运输及开盖机构的技术领域，具体包括：平移装置和抓取装置抓取晶圆盒并移动至定位装置上方，定位装置，包括放置台、位于放置台上的定位机构和锁定机构，定位机构与晶圆盒的底部配合以对晶圆盒在放置台上的位置进行定位，锁定机构与锁定凹槽卡紧将晶圆盒锁定在放置台上；开盖装置，包括开盖安装板、开盖升降机构、拨杆和拨动驱动机构，开盖升降机构用于驱动开盖安装板升降；开盖安装板升高后，拨杆的顶端穿过通槽并位于卡扣和盒体之间，且拨动驱动机构驱动拨杆对卡扣施加远离盒体侧壁的作用力，以使卡扣和第二凸起分离。通过本申请的处理方案，提高转移晶圆盒和打开晶圆盒的效率。
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公开(公告)号：CN117116914B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311376752.3
申请日：2023-10-24
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明公开一种用于晶圆对位的测量标记及测量方法，涉及半导体技术领域。测量标记包括：X向测量标记，用于测定待对准的上晶圆和下晶圆在X方向的偏移量，包括用于设置在上晶圆表面的第一X向偏移测量标记和用于设置在下晶圆表面的第二X向偏移测量标记；Y向测量标记，用于测定上晶圆和下晶圆在Y方向的偏移量，包括用于设置在上晶圆表面的第一Y向偏移测量标记和用于设置在下晶圆表面的第二Y向偏移测量标记；Rz向测量标记，用于测定上晶圆和下晶圆在Rz方向的偏移量，包括用于设置在上晶圆表面的第一Rz向偏移测量标记和用于设置在下晶圆表面的第二Rz向偏移测量标记。本发明可提高两张晶圆对位精度，从而实现高质量的晶圆键合。
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