公开(公告)号：CN101540365B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200910126826.1

申请日：2009-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3形成p型Al0.07Ga0.93N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al0.07Ga0.93N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。

公开(公告)号：CN102129970A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110021551.2

申请日：2011-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  川崎和重

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。首先，准备具有低位错区域（10）和位错密度比低位错区域（10）高的高位错区域（12）的GaN衬底（14）。然后，以不覆盖高位错区域（12）而包围高位错区域（12）的方式，在低位错区域（10）上形成绝缘膜（16）。然后，在GaN衬底（14）上形成氮化物半导体层（18）。由此，能够防止在高位错区域（12）产生的异常生长传播到低位错区域（10），并且能够防止由于原料扩散而在绝缘膜（16）的附近使氮化物半导体层（18）的厚度增大。其结果是，能够提高氮化物半导体层（18）的表面平坦性，能够提高半导体装置的成品率。

公开(公告)号：CN100550440C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510118514.8

申请日：2005-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/04 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在＜1-100＞方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。

公开(公告)号：CN101452837A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810135797.0

申请日：2005-10-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，并提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在 方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。

公开(公告)号：CN101340058A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810144617.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  竹见政义 ,  富田信之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/325 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及氮化物类半导体叠层结构、半导体光元件以及其制造方法。本发明提供氮化物类半导体叠层结构，其包含采用了有机金属化合物的III族原料和包含肼衍生物的V族原料的低电阻的p型氮化物类半导体层。可以构成电阻值低的p型氮化物类半导体层的工作效率良好的氮化物类半导体叠层结构。其具备基板和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料及p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm－3以下的p型氮化物类半导体层。