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公开(公告)号：CN110807295A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911012013.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 上海大学
IPC: G06F30/392
Abstract: 本发明涉及集成电路设计行业自动化EDA技术领域，提供了一种集成电路时钟树综合优化方法，包括以下步骤：S1.预设时钟树约束文件中的参数；S2.根据参数自动生成线路布局；S3.调整线路布局中寄存器的位置，使时钟源到每一个寄存器的布线长度之间的差值位于预设范围之内；S4.在时钟信号源处设置若干驱动单元，用于驱动时钟树的负载；S5.替换驱动单元，使每一个驱动单元的驱动能力相同。通过这种设计，对集成电路后端设计过程中最重要的时钟树综合设计环节进行了设计顺序的标准化，使其具有良好的通用性，从而降低了后端环节的设计门槛，降低了人力成本，提高设计效率，保证了设计质量。
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公开(公告)号：CN101871123B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010201205.8
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102323609A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110253713.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种四元并行碲锌镉核辐射探测器装置,它包括四个碲锌镉探测器，每个碲锌镉探测器分别经过一个前置放大器再经过一个差分放大器和一个主放大器，然后一起连接一个加法电路，最后该加法电路连接到一个多道能谱仪和数字示波器，四个碲锌镉探测器测得的信号，经放大后由多道能谱仪和数字式波器进行处理。该探测器比传统的单元探测器探测面积大，探测效率高，探测时间短，适用于便携式核辐射探测谱仪，可广泛应用于核废料监控，环境监测以及机场港口铁路货物等的反射性检测。
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公开(公告)号：CN101887849A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010215711.2
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/208
Abstract: 本发明涉及一种两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置，属纳米晶体薄膜制备方法技术领域。本发明方法的特点是：综合利用了超声雾化热解法和溶胶-凝胶法的原理和设备，分两步沉积ZnO薄膜。第一步是用改进的超声雾化热解法设备制备ZnO纳米颗粒。该设备的特征主要有在喷雾的导管上增加一个高压发生源和荷电喷头，并用一根石英管贯穿整个加热炉，使之直接通向装有一定量去离子水的烧杯里。第二步是使用超声波清洗器和离心机反复清洗ZnO纳米颗粒，最后通过旋涂机旋涂到衬底上。采用本方法避免了超声雾化热解法制备过程中产生的气溶胶对环境的污染，并获得结晶质量高的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN101859704A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010185685.3
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/365 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101459207A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910044852.X
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10－5～10－7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr－CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr－CZT复合电极与以往的Au－CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I－V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。
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公开(公告)号：CN101038942A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710038763.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极－电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极并在器件阴、阳极端面之间的器件侧面增加一个与阴极电连接的电容栅，属半导体探测器件技术领域。本发明中的电容栅制备工艺能获得有效修正权重势分布并与阴极电连接的电容栅，从而该碲锌镉探测器件在共面栅阳极和侧面电容栅的双重作用下改善性能，其特征为，在阴极和共面栅阳极端面之间的晶片侧面包有环绕晶体的如聚四氟乙烯或涤纶等绝缘介质薄膜材料，形成环绕晶体侧面的绝缘介质薄膜环套，然后再在介质材料上沉积或包覆金属层形成环绕绝缘介质薄膜的金属环套，金属环套一边紧靠阴极端面，另一边与阳极端面保留有晶片侧面高度(即器件厚度)1/2～1/10的间距，介质环套和包覆其上的金属环套和一起构成器件侧面电容栅，该电容栅与阴极电连接，以达到与阴极同电位。
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公开(公告)号：CN1320616C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410084748.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH-KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1285501C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510023575.6
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻炉中的石英反应管中，随后将其上方的孔口封口，将其下方设置的微小通气孔调节至需要的孔口大小，其调节大小范围为0.3-3mm2，然后抽真空，保持一定的真空度，真空度范围为10-1-10-2Pa；继续打开真空系统，使石英反应管内的合成化合物于源端高温处产生的气相物质被气流运送至沉积端；源端温度为800-1000℃，沉积端区的温度为450-600℃，运输速率为20-40g/24hr；电阻加热炉内温度梯度为16-24℃/cm，石英管内产生的尾气籍真空系统经冷阱收集于尾气吸收池。本发明方法及装置的优点是气相输送速率快，生产效率高，而且结构简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN119685937A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411632614.1
申请日：2024-11-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火方法，包括以下步骤：S1：检测碲锌镉晶片内部的点缺陷种类及缺陷浓度；S2：根据点缺陷检测结果确定退火调控的对应气相源；S3：通过物理气相沉积在石英片上制备气相源薄膜；S4：确认退火的气相源气压；S5：将碲锌镉晶片和沉积有气相源薄膜的石英片分别封装在退火石英管的两端，随后置于退火炉中，分别对退火石英管的两端进行加热，最终得到经气相退火改性的CdZnTe晶体。与现有技术相比，本发明可以对气相源的种类和含量进行调控，最终得到内部缺陷显著减少、晶体电学性能显著提高的碲锌镉晶体。
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