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公开(公告)号:CN110317174A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201910242189.8
申请日:2019-03-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C07D233/60 , C07D487/04 , C07F9/22 , G03F7/004 , G03F7/027
Abstract: 本发明涉及氢阻隔剂、氢阻隔膜形成用组合物、氢阻隔膜、氢阻隔膜的制造方法、及电子元件。本发明的课题在于提供能向各种材料赋予氢阻隔性能的氢阻隔剂、包含该氢阻隔剂的氢阻隔膜形成用组合物、包含前述的氢阻隔剂的氢阻隔膜、使用了前述的氢阻隔膜形成用组合物的氢阻隔膜的制造方法、和具备氢阻隔膜的电子元件。使用具有咪唑基的特定结构的盐化合物作为氢阻隔剂。另外,将前述的氢阻隔剂配合至基材成分中,制备氢阻隔膜形成用组合物。进而,使用前述的氢阻隔膜形成用组合物,形成氢阻隔膜。
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公开(公告)号:CN102169995B
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201110070855.8
申请日:2007-12-11
Applicant: 东京应化工业株式会社 , 株式会社关东学院大学表面工学研究所
IPC: H01M4/66 , H01M4/04 , H01M10/0525 , C09D183/04 , G03F7/039 , G03F7/038
CPC classification number: H01M4/60 , G03F7/022 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/0382 , G03F7/0385 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , H01M4/045 , H01M4/049 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/48 , H01M4/66 , H01M4/665 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/025 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明利用与以往技术不同的构成,能够实现一种具有高输出电压及高能量密度、且充放电循环特性优异的电池。本发明使用以下负极基材来作为用于锂离子二次电池的负极基材:特征在于在具备有机膜的支撑体上形成金属膜的负极基材;特征在于所述有机膜的表层由金属氧化物膜被覆的所述负极基材;特征在于在具备由包含有机成分及无机成分的复合膜形成材料所形成的复合膜的支撑体上,形成金属膜的负极基材;或者特征在于在形成了光阻图案的支撑体上,形成由二氧化硅系被覆膜形成用涂布液所形成的二氧化硅系被覆膜,并在除去了所述光阻图案的支撑体上形成金属膜的负极基材。
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公开(公告)号:CN103597615A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201280027586.X
申请日:2012-06-08
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L31/0749 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种肼配位Cu硫属化物络合物,其是通过在肼的存在下使Cu或Cu2Se与硫属元素在不含胺系溶剂的二甲基亚砜中反应、并在所得到的溶液中加入不良溶剂或对所得到的溶液进行浓缩和过滤而得到的。
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公开(公告)号:CN102169994B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201110070833.1
申请日:2007-12-11
Applicant: 东京应化工业株式会社 , 株式会社关东学院大学表面工学研究所
IPC: H01M4/66 , H01M4/04 , H01M10/0525 , C09D183/04 , G03F7/039 , G03F7/038
CPC classification number: H01M4/60 , G03F7/022 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/0382 , G03F7/0385 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , H01M4/045 , H01M4/049 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/48 , H01M4/66 , H01M4/665 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/025 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明利用与以往技术不同的构成,能够实现一种具有高输出电压及高能量密度、且充放电循环特性优异的电池。本发明使用以下负极基材来作为用于锂离子二次电池的负极基材:特征在于在具备有机膜的支撑体上形成金属膜的负极基材;特征在于所述有机膜的表层由金属氧化物膜被覆的所述负极基材;特征在于在具备由包含有机成分及无机成分的复合膜形成材料所形成的复合膜的支撑体上,形成金属膜的负极基材;或者特征在于在形成了光阻图案的支撑体上,形成由二氧化硅系被覆膜形成用涂布液所形成的二氧化硅系被覆膜,并在除去了所述光阻图案的支撑体上形成金属膜的负极基材。
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公开(公告)号:CN101569036B
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN200780045668.6
申请日:2007-12-11
Applicant: 东京应化工业株式会社 , 株式会社关东学院大学表面工学研究所
Abstract: 本发明利用与以往技术不同的构成,能够实现一种具有高输出电压及高能量密度、且充放电循环特性优异的电池。本发明使用以下负极基材来作为用于锂离子二次电池的负极基材:特征在于在具备有机膜的支撑体上形成金属膜的负极基材;特征在于所述有机膜的表层由金属氧化物膜被覆的所述负极基材;特征在于在具备由包含有机成分及无机成分的复合膜形成材料所形成的复合膜的支撑体上,形成金属膜的负极基材;或者特征在于在形成了光阻图案的支撑体上,形成由二氧化硅系被覆膜形成用涂布液所形成的二氧化硅系被覆膜,并在除去了所述光阻图案的支撑体上形成金属膜的负极基材。
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公开(公告)号:CN101065709B
公开(公告)日:2011-11-02
申请号:CN200580040726.7
申请日:2005-11-28
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H05K3/108 , G03F7/0397 , G03F7/11 , H05K3/384 , H05K2201/0317
Abstract: 本发明用于制造抗蚀图案的方法包括:层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体,(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层,和(c)由化学放大型正性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层,获得光致抗蚀剂层压材料的步骤;将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤;和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
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公开(公告)号:CN102163722A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201110070861.3
申请日:2007-12-11
Applicant: 东京应化工业株式会社 , 株式会社关东学院大学表面工学研究所
IPC: H01M4/66 , H01M10/0525 , C09D183/04 , G03F7/039 , G03F7/038
CPC classification number: H01M4/60 , G03F7/022 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/0382 , G03F7/0385 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , H01M4/045 , H01M4/049 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/48 , H01M4/66 , H01M4/665 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/025 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明利用与以往技术不同的构成,能够实现一种具有高输出电压及高能量密度、且充放电循环特性优异的电池。本发明使用以下负极基材来作为用于锂离子二次电池的负极基材:特征在于在具备有机膜的支撑体上形成金属膜的负极基材;特征在于所述有机膜的表层由金属氧化物膜被覆的所述负极基材;特征在于在具备由包含有机成分及无机成分的复合膜形成材料所形成的复合膜的支撑体上,形成金属膜的负极基材;或者特征在于在形成了光阻图案的支撑体上,形成由二氧化硅系被覆膜形成用涂布液所形成的二氧化硅系被覆膜,并在除去了所述光阻图案的支撑体上形成金属膜的负极基材。
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公开(公告)号:CN110317174B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN201910242189.8
申请日:2019-03-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C07D233/60 , C07D487/04 , C07F9/22 , G03F7/004 , G03F7/027
Abstract: 本发明涉及氢阻隔剂、氢阻隔膜形成用组合物、氢阻隔膜、氢阻隔膜的制造方法、及电子元件。本发明的课题在于提供能向各种材料赋予氢阻隔性能的氢阻隔剂、包含该氢阻隔剂的氢阻隔膜形成用组合物、包含前述的氢阻隔剂的氢阻隔膜、使用了前述的氢阻隔膜形成用组合物的氢阻隔膜的制造方法、和具备氢阻隔膜的电子元件。使用具有咪唑基的特定结构的盐化合物作为氢阻隔剂。另外,将前述的氢阻隔剂配合至基材成分中,制备氢阻隔膜形成用组合物。进而,使用前述的氢阻隔膜形成用组合物,形成氢阻隔膜。
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公开(公告)号:CN114761497B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202080082415.1
申请日:2020-11-17
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C09D11/101 , C08F220/38 , C08L33/14 , C08F2/44 , C09D11/38 , G02B1/04 , G09F9/00 , C08K3/22
Abstract: 本发明提供能形成高折射率的固化物、并且即使不包含有机溶剂或者仅包含少量有机溶剂、也能应用喷墨法的液态的感光性油墨组合物、该感光性油墨组合物的固化物、具备由该固化物形成的膜的显示面板、和使用前述的感光性油墨组合物的固化物的制造方法。在包含光聚合性化合物(A)、金属化合物粒子(B)、和光聚合引发剂(C)的感光性油墨组合物中,使用特定结构的硫醚化合物(A1)、和特定结构的(甲基)丙烯酸酯化合物(A2)作为光聚合性化合物(A),使用选自由氧化钛粒子、钛酸钡粒子、氧化铈粒子、及硫化锌粒子组成的组中的至少1种作为金属化合物粒子(B)。
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公开(公告)号:CN116981699A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202280016575.5
申请日:2022-02-21
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F2/46
Abstract: 本发明提供能够形成金属氧化物纳米粒子的局部存在被抑制的固化物的光固性液态组合物、该光固性液态组合物的固化物、和使用前述光固性液态组合物的固化物的制造方法。在包含光聚合性单体(A)、金属氧化物纳米粒子(B)和光聚合引发剂(C)的光固性液态组合物中,作为含氮化合物(D),含有选自由特定结构的胺化合物(D1)及特定结构的亚胺化合物(D2)组成的组中的至少1种。
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