公开(公告)号：CN101665926A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910172125.1

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种将多种反应气体依次向基板供给的成膜装置，在真空容器内供给第1及第2反应气体来形成薄膜，其具有：旋转台；第1反应气体供给部及第2反应气体供给部，其分别在以旋转中心为圆心的第1角度位置和第2角度位置沿径向延伸；第1分离气体供给部，其设置在第1角度位置和第2角度位置之间的第3角度位置；第1空间，其在包含第1角度位置的区域具有第1高度；第2空间，其在包含第2角度位置的区域具有第2高度；第3空间，其在包含第3角度位置的区域具有低于第1高度和第2高度的高度；加热装置，其加热第1分离气体。

公开(公告)号：CN101665921A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910172118.1

申请日：2009-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置具有旋转台、用于对真空容器进行耐腐蚀保护的保护顶板、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部以及在第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间设置的第1分离气体供给部。在成膜装置中形成包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间、包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间以及包括第1分离气体供给部并被设置成低于第1和第2高度的第3空间。成膜装置还具有为了对真空容器进行耐腐蚀保护而与保护顶板一起围绕旋转台、第1、第2和第3空间的真空容器保护部。

公开(公告)号：CN101660142A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910169420.1

申请日：2009-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/45551

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：设置在真空容器内，具有用于载置基板而设置的基板载置区域的旋转台；用于供给第1反应气体的第1反应气体供给部件；用于供给第2反应气体的第2反应气体供给部件；用于分离第1处理区域和第2处理区域的气氛气体而沿着周向位于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域；供给扩散到上述分离区域的两侧的分离气体的分离气体供给部件；对供给到上述分离气体供给部件的分离气体进行加热的加热部；用于排出上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体的排气口；上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体被供给到上述旋转台时，使上述旋转台旋转的驱动部。

公开(公告)号：CN1647253A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03807748.5

申请日：2003-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67098

Abstract: 纵型热处理装置(1)配置有在从处理室(5)的加载端口(4)取出被处理基板(W)之际，遮蔽加载端口(4)的快门装置(17)。快门装置(17)配置有选择性地关闭处理室(5)的加载端口(4)的端口盖(18)。端口盖(18)由配备有支撑它同时使其移动的伸缩臂(19)的驱动部来驱动。驱动部通过伸缩臂(19)使端口盖(18)在关闭加载端口(4)的关闭位置(PB)和关闭位置(PB)旁侧的待机位置(PA)之间做直线移动。

公开(公告)号：CN120033140A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411618661.0

申请日：2024-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种升降机构和基板处理装置，能够同时实现扬尘的减少和省空间化。本公开的一个方式的升降机构使将多张基板呈层架状地保持的基板保持器具进行升降，所述升降机构具有：支承部，其支承所述基板保持器具；以及多关节臂，所述多关节臂的前端连接于所述支承部，所述多关节臂使所述支承部进行升降。

公开(公告)号：CN117747486A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311179226.8

申请日：2023-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥真实 ,  本间学 ,  大泉行雄 ,  佐藤泉 ,  佐佐木勇治 ,  镰田辉实

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/673 ,  B08B5/02 ,  B08B13/00

Abstract: 本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够高效地去除残留在基板上的不需要的分子。本公开的一个方式的基板处理装置具备：基板保持器具，其将多个基板沿铅垂方向具有间隔地分多层进行保持；以及处理容器，其收容所述基板保持器具，其中，所述基板保持器具具有将相邻的所述基板间分隔开的分隔板，所述分隔板的下表面具有用于喷出第一气体的多个喷出部，所述多个喷出部能够被独立地进行所述第一气体的供给切断的控制。

公开(公告)号：CN106505014B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201610809549.4

申请日：2016-09-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  大泉行雄 ,  本间学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置用于一边利用旋转台使基板公转一边对该基板供给处理气体来进行处理，其中，其以包括如下构件的方式构成装置：旋转台，其设于处理容器内；旋转机构，其用于使所述旋转台旋转；支承部，其在所述旋转台的下方侧设于所述旋转台的旋转轴；开口部，其与基板的载置位置相对应地形成于所述旋转台；载置部，其借助所述开口部以自转自由的方式支承于所述支承部，用于以基板的上表面的高度位置与所述旋转台的上表面的高度位置对齐的方式载置基板；自转机构，其用于使所述载置部自转。

公开(公告)号：CN104862668B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201510087374.6

申请日：2015-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  高畠裕二 ,  本间学

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586

Abstract: 一种基板处理装置，其一边在真空容器内使载置在旋转台上的圆形的基板公转一边对该基板供给处理气体并进行处理，其中，该基板处理装置包括：凹部，其为了收纳上述基板而形成于上述旋转台的一面侧；加热部，其为了将上述基板加热到600℃以上并进行处理而对上述旋转台进行加热；以及3个支承销，其在上述凹部的底面上分别位于正三角形的顶点，并分别对与基板的中心分开了该基板的半径的2/3的部位进行支承，该支承销是为了以使上述基板自该凹部的底面浮起的状态支承上述基板而设置的。

公开(公告)号：CN108315718A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810025484.3

申请日：2018-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  大泉行雄 ,  本间学 ,  小林健

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45551 ,  B05C11/1031 ,  C23C14/042 ,  C23C14/228 ,  C23C14/26 ,  C23C14/505 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及基板处理装置。在一边使载置于旋转台的一面侧的作为基板的晶圆公转一边进行成膜处理时，沿晶圆的周向实施均匀的处理。设为利用旋转台(2)使在旋转台的一面侧载置晶圆的载置台(3)公转。另外，在载置台的自转轴(32)设有从动齿轮(4)，且沿该从动齿轮的公转轨道的整周设有与该从动齿轮构成磁齿轮机构的驱动齿轮(5)。利用自转用旋转机构(53)使驱动齿轮旋转，产生驱动齿轮的角速度与从动齿轮的基于公转的角速度的速度差，从而使载置台自转，因此，能在晶圆(W)的周向上使成膜处理的均匀性提高。另外，能利用驱动齿轮的角速度与从动齿轮的角速度之差容易地调整从动齿轮的自转速度。

公开(公告)号：CN103014671B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201210357121.2

申请日：2012-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本间学

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4585

Abstract: 本发明提供成膜装置和基板处理装置。该成膜装置具有在周向上互相分隔开的处理区域，在处理区域之间配置分离气体喷嘴，自分离气体喷嘴分别供给分离气体而将处理区域相互间分隔开。此时，在比分离气体喷嘴靠旋转台的旋转方向下游侧的位置设有用于在其与旋转台的上表面之间形成狭窄的空间的第1顶面。另外，在该第1顶面中的靠旋转台的旋转方向上游侧的部分设有比第1顶面位置高的第2顶面。