公开(公告)号：CN111630623A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980009430.0

申请日：2019-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 麦里特·法克 ,  梅根·多佩尔 ,  茂山和基 ,  切尔西·杜博斯 ,  贾斯廷·莫塞斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 描述了用于控制等离子体性能的方法和系统的实施例。在实施例中，一种方法可以包括以第一组功率参数向等离子体室供应功率。另外，该方法可以包括使用该第一组功率参数在该等离子体室内形成等离子体。该方法还可以包括测量以该第一组功率参数耦合到该等离子体的功率。而且，该方法可以包括以第二组功率参数向该等离子体室供应功率。该方法可以另外包括测量以到该等离子体的该第二组功率参数耦合到该等离子体的功率。该方法还可以包括至少部分地基于对以该第二组功率参数耦合的功率的测量来调整该第一组功率参数。

公开(公告)号：CN104205306B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201280071768.7

申请日：2012-11-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 谷川雄洋 ,  茂山和基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/32137 ,  Y10T29/49998

Abstract: 包括：在将被处理基体搬入处理容器内之前，对在该处理容器内静电吸附被处理基体的静电卡盘施加电压的工序；和在对静电卡盘施加电压的工序之后，向处理容器内搬入被处理基体的工序。另外，在对静电卡盘施加电压的工序中，对静电卡盘施加电压，使以包围静电卡盘的方式设置的聚焦环与被处理基体之间的电位差降低。

公开(公告)号：CN102760632B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210125069.8

申请日：2012-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  石桥清隆 ,  森田治 ,  谷川雄洋 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  吉川弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。

公开(公告)号：CN101595241B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200880003117.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社大阪真空机器制作所 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 植田吉彦 ,  茂山和基 ,  福森弘司

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种溅射方法及溅射装置，其构成简单，能够实现低温低损伤成膜，并且生产性高。本发明是在真空容器内在被成膜对象物上形成初期层后再在初期层上形成第二层的溅射方法，其特征在于，在所述真空容器内，将一对靶子配置为，其表面之间隔开间隔地相互面对，并且该表面朝向配置于靶子间的侧方的被成膜对象物倾斜，在所述一对靶子的对置面侧产生磁场空间而进行溅射，用该被溅射出的溅射粒子在被成膜对象物上形成初期层，再以比初期层的成膜速度快的成膜速度在被成膜对象物上形成第二层。

公开(公告)号：CN103229280A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055047.2

申请日：2011-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  田才忠 ,  佐佐木胜 ,  三原直辉 ,  松本直树 ,  茂山和基 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。

公开(公告)号：CN102576673A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047610.7

申请日：2010-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉川弥 ,  茂山和基 ,  冈山信幸 ,  周藤贤治 ,  大塚康弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。

公开(公告)号：CN101952974A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105047.1

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。

公开(公告)号：CN101501241A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029265.2

申请日：2007-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松林信次 ,  茂山和基 ,  户部康弘

IPC: C23C14/56 ,  H01L51/50 ,  C23C14/06 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供成膜装置、成膜系统和成膜方法。该成膜系统能够避免在有机EL元件等的制造工序中所形成的各层的相互污染、而且所占空间也小、且具有高生产率。成膜装置(13)用于在基板上进行成膜，其中，在处理容器(30)的内部包括用于成膜第1层的第1成膜机构(35)和用于成膜第2层的第2成膜机构(36)。设置用于使处理容器(30)内减压的排气口(31)，并将第1成膜机构(35)配置在相比第2成膜机构(36)更靠近上述排气口(31)的位置上。第1成膜机构(35)例如利用蒸镀在基板上成膜第1层，第2成膜机构(36)例如利用溅射在基板上成膜第2层。