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    平板天线部件以及具备其的等离子体处理装置
    2.
    发明授权
    平板天线部件以及具备其的等离子体处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101849444B

    公开(公告)日：2012-08-29

    申请号：CN200980100907.2

    申请日：2009-03-13

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 植田笃 ,  足立光 ,  田才忠 ,  福田良则 ,  本乡俊明 ,  吉冈正雄

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

    Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35～0.5的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7～0.85的范围内。

    平板天线部件以及具备其的等离子体处理装置
    3.
    发明公开
    平板天线部件以及具备其的等离子体处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101849444A

    公开(公告)日：2010-09-29

    申请号：CN200980100907.2

    申请日：2009-03-13

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 植田笃 ,  足立光 ,  田才忠 ,  福田良则 ,  本乡俊明 ,  吉冈正雄

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

    Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件，向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波，其特征在于，具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口，上述贯通口包含：沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口；在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口，从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35～0.5的范围内，从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7～0.85的范围内。

    微波导入装置
    5.
    发明公开
    微波导入装置 失效

    公开(公告)号：CN101313390A

    公开(公告)日：2008-11-26

    申请号：CN200680043791.X

    申请日：2006-11-15

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 田才忠 ,  汤浅珠树 ,  野沢俊久

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

    Abstract: 本发明提供一种微波导入装置，具备：产生规定频率的微波的微波发生器、将上述微波转换为规定振动模式的模式转换器、朝向规定空间而设置的平面天线构件、连结上述模式转换器和上述平面天线构件并传播上述微波的同轴波导管，其特征是，上述同轴波导管的中心导体形成为筒状，上述中心导体的内径(D1)在第一规定值以上，上述同轴波导管的外侧导体也形成为筒状，上述外侧导体的内径的半径(r1)与上述中心导体的外径的半径(r2)之比(r1/r2)被维持为第二规定值，上述外侧导体的内径(D2)在第三规定值以下。

    等离子体处理装置以及等离子体密度分布的调节方法
    6.
    发明授权
    等离子体处理装置以及等离子体密度分布的调节方法 失效

    公开(公告)号：CN101855946B

    公开(公告)日：2013-02-13

    申请号：CN200880110139.4

    申请日：2008-10-02

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  野沢俊久

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

    Abstract: 本发明的目的在于使得特别是能够在圆周方向上调节在等离子体处理装置的处理室内生成的等离子体密度。一种等离子体处理装置(1)，其中从同轴波导管(30)供应的微波经由滞波板(25)被导入处理容器(2)内，在处理容器(2)内处理气体被等离子化，从而基板(W)被处理，在该等离子体处理装置(1)中，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)与滞波板(25)的连结处，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)的外部导体(32)的内部中以内部导体(31)为中心的圆周方向上的一部分上，并且电介质部件(45)被配置在以内部导体(31)为中心的圆周方向上的任意位置。

    等离子处理装置
    7.
    发明授权
    等离子处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101371341B

    公开(公告)日：2010-08-18

    申请号：CN200780002764.2

    申请日：2007-01-22

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久 ,  石桥清隆

    IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/507 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449

    Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，该等离子处理装置具有真空处理容器(34)、设于该容器内的、载置被处理体(W)的载置台(36)。处理容器(34)具有形成有上部开口的筒状容器主体(34A)、气密地安装于该主体的上部开口、由透过电磁波的电介体制的顶板(50)。该等离子处理装置还具有通过顶板向容器内供给用于产生等离子的电磁波的电磁波供给系统(54)、用于将包含处理气体的气体供给到容器内的气体供给系统(110)。在顶板(50)上形成有用于将由气体供给系统供给的气体向容器内喷出的气体喷射孔(108)。在各喷射孔(108)内配置由具有透气性的电介体制的放电防止构件(120)。

    等离子处理装置
    8.
    发明公开
    等离子处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101371341A

    公开(公告)日：2009-02-18

    申请号：CN200780002764.2

    申请日：2007-01-22

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久 ,  石桥清隆

    IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/507 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449

    Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，该等离子处理装置具有真空处理容器(34)、设于该容器内的、载置被处理体(W)的载置台(36)。处理容器(34)具有形成有上部开口的筒状容器主体(34A)、气密地安装于该主体的上部开口、由透过电磁波的电介体制的顶板(50)。该等离子处理装置还具有通过顶板向容器内供给用于产生等离子的电磁波的电磁波供给系统(54)、用于将包含处理气体的气体供给到容器内的气体供给系统(110)。在顶板(50)上形成有用于将由气体供给系统供给的气体向容器内喷出的气体喷射孔(108)。在各喷射孔(108)内配置由具有透气性的电介体制的放电防止构件(120)。

    微波等离子体处理装置
    10.
    发明公开
    微波等离子体处理装置 无效

    公开(公告)号：CN101133688A

    公开(公告)日：2008-02-27

    申请号：CN200680007051.0

    申请日：2006-02-21

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  野泽俊久 ,  山本伸彦

    IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01J37/32192

    Abstract: 本发明是一种微波等离子体处理装置，其包括：收容待处理物体的腔室；将处理气体供应到腔室中的处理气体供应单元；产生微波的微波发生源，该微波用于在腔室中形成处理气体的等离子体；将微波发生源所产生的微波导向腔室的波导单元；由导体材料制成的平面天线，其设置有用于将波导单元所引导的微波向腔室辐射的多个微波辐射孔；由介电材料制成的微波透射板，该微波透射板用作腔室的顶壁并透射已经穿过平面天线的微波辐射孔的微波；以及布置于平面天线的相对于微波透射板的相反侧上的慢波板，该慢波板具有缩短到达平面天线的微波的波长的功能。平面天线和微波透射板彼此接触，在它们之间基本上没有空气，慢波板和微波透射板由相同材料制成，并且由慢波板、平面天线、微波透射板和腔室中形成的处理气体的等离子体形成的等效电路满足谐振条件。

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