公开(公告)号：CN101135046B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710147867.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  梅泽好太 ,  门永健太郎 ,  张皓翔

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。

公开(公告)号：CN102237267A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110109132.4

申请日：2011-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  柿本明修

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种薄膜的形成方法及成膜装置。在能够真空排气的处理容器内在被处理体的表面形成含有杂质的硅膜的薄膜的形成方法中，通过反复交替进行以由硅和氢构成的硅烷系气体吸附于被处理体的表面的状态向处理容器内供给该硅烷系气体的第1气体供给工序、向处理容器内供给含有杂质的气体的第2气体供给工序，来以非晶体状态形成含有杂质的硅膜。由此，即使在较低温的条件下也能够形成埋入特性良好的非晶体状态的含有杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN100561684C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN100539026C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510080241.2

申请日：2005-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。

公开(公告)号：CN100474515C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510077437.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  金采虎

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/365 ,  H01L21/469 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括：用于混合掺杂气体和稀释气体以形成混合气体并设置在处理容器外的气体混合箱体，从气体混合箱体向处理容器内供给混合气体的供给线，向气体混合箱体供给掺杂气体的掺杂气体供给系统，以及向气体混合箱体供给稀释气体的稀释气体供给系统。

公开(公告)号：CN101325160A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810142874.5

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  松永正信 ,  长谷部一秀 ,  梅泽好太 ,  周保华

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。

公开(公告)号：CN101252087A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080431.8

申请日：2008-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 周保华 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/36

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理区域内多次重复以下的循环从而在被处理基板上形成SiCN膜。各循环包括：供给包括硅烷类气体的第一处理气体的第一工序；供给包括氮化气体的第二处理气体的第二工序；供给包括烃气体的第三处理气体的第三工序；和隔断第一处理气体的供给的第四工序。在处理区域外不对第一、第二以及第三处理气体等离子体化而将它们供给处理区域，并且将处理区域加热至硅烷类气体与氮化气体以及烃气体相互反应的第一温度。

公开(公告)号：CN100399517C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN02808797.6

申请日：2002-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  山本博之 ,  梅原隆人 ,  川上雅人

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明的气相生长装置具有在内部配置有基板的反应容器和第1气体导入部及第2气体导入部，其中第1气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第1气体导入管，该第1气体导入部用于将由含有机金属的气体构成的第1气体供给上述反应容器内，第2气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第2气体导入管，该第2气体导入部用于将与上述含有机金属的气体发生反应、并且比上述含有机金属的气体的密度小的第2气体，供给上述反应容器内。第1气体导入管的气体喷出口和第2气体导入管的气体喷出口沿着配置在上述反应容器内的基板的外周进行配置。

公开(公告)号：CN100377317C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200480011043.4

申请日：2004-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  千叶贵司 ,  小川淳

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101096755A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126883.0

申请日：2007-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  长谷部一秀 ,  山本和弥

IPC: C23C16/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置的使用方法，在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜，在从所述反应室卸载所述被处理基板后，进行下一工序。首先，对附着在所述反应室的所述内面的副生成物膜进行氮化，此处，将所述反应室的所述内面加热至后处理温度，并将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内。接着，通过将所述反应室的所述内面从上述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后所述副生成物膜龟裂。通过对所述反应室内进行强制排起，排出由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分。