公开(公告)号：CN104951141B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510413117.7

申请日：2015-07-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 邸云萍 ,  张慧 ,  张方振 ,  吕志军 ,  孙双

IPC分类号： G06F3/041

摘要： 本发明公开了一种触控模组、其制作方法、触摸屏及显示装置，在该触控模组的制作过程中，在形成第二触控电极、第二周边引线和第二接线端子的图形的过程中，与第二触控电极、第二周边引线和第二接线端子的图形同时形成且相互绝缘的第三接线端子可以保护第一接线端子不受损坏，这样，在形成第二触控电极的图形之前，无需在第一接线端子处形成保护层的图形，省去一次构图工艺；并且，在形成第二触控电极的图形之后，无需剥离保护层的图形，不仅可以省去一次剥离工艺，还可以避免剥离保护层对第一接线端子造成损坏而使第一接线端子的方阻增大；此外，第三接线端子与第一接线端子电性连接，还可以降低第一接线端子的方阻，提高第一接线端子的导电性。

公开(公告)号：CN105140234B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510451468.7

申请日：2015-07-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张方振 ,  崔承镇 ,  牛菁 ,  孙双 ,  吕志军

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于半导体技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成钝化层；在形成有所述钝化层的衬底基板上通过一次构图工艺形成接触层和像素电极，所述接触层与所述像素电极为同一透明导电材质。本发明解决了制造阵列基板的步骤较繁琐的问题，实现了简化制造阵列基板的步骤的效果，本发明用于阵列基板的制造。

公开(公告)号：CN106373967B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201610968576.6

申请日：2016-10-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 牛菁 ,  孙双 ,  张方振 ,  米东灿

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/443 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。该阵列基板的制备方法包括：在衬底上依次形成有源膜层、第一绝缘膜层、栅极膜层，通过一次构图工艺形成包括有源层、第一绝缘层和栅极的图形；形成栅绝缘层，通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述栅绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔；形成像素电极膜层，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构；形成源漏膜层，通过一次构图工艺，形成包括像素电极、源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触结构和所述第二接触结构的上方。该阵列基板的制备方法简化了生产过程，减少了由于对位不准引起的产品不良。

公开(公告)号：CN104483776B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201410841715.X

申请日：2014-12-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李明超 ,  张方振 ,  张培林

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/044

CPC分类号： G02B5/201 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/133512 ,  G02F2001/136236 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/40 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103

摘要： 本发明实施例提供一种彩膜基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，采用上述彩膜基板制备显示装置，能够简化制备工序，降低成本。彩膜基板的制备方法，包括通过一次构图工艺形成多个横纵交叉的第一黑矩阵、第二黑矩阵的图案以及多个位于第二黑矩阵图案远离衬底基板一侧表面的第一触控电极的图案；其中，第一黑矩阵和第二黑矩阵的图案交叉界定多个呈矩阵形式排列的彩色区域；在彩色区域内形成彩色滤光层的图案。

公开(公告)号：CN103984155B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410183094.0

申请日：2014-04-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张方振 ,  崔承镇 ,  惠官宝 ,  孙双 ,  牛菁

IPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/1333 ,  B32B37/1292 ,  B32B37/18 ,  B32B2457/202 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133325 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  Y10T156/10

摘要： 本发明公开了一种曲面显示装置及其制作方法，用以提供一种结构简单且制作工艺简单的曲面显示装置。所述曲面显示装置的制作方法包括：利用封框胶粘合热膨胀系数不相等的第一基板和第二基板的边框区域，得到对盒后的第一基板和第二基板；将对盒后的所述第一基板和所述第二基板从封框胶固化前的第一预设温度值加热到封框胶固化后的第二预设温度值；对加热后的所述第一基板和所述第二基板进行冷却处理。

公开(公告)号：CN104022017B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410256945.X

申请日：2014-06-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 舒适 ,  吕志军 ,  谷敬霞 ,  石岳 ,  张方振 ,  孙冰 ,  徐传祥

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32055 ,  H01L23/49877 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2201/10128 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的实施例提供了一种石墨烯图案化的方法及显示基板的制作方法，涉及电子技术领域，可以避免现有技术中光刻胶材料剥离时导致石墨烯薄膜脱落或者光刻胶在石墨烯膜层上残留的不良的情况，能够在保证生产成本的情况下提高产品良率。该方法包括：在石墨烯层上形成隔离层；在所述隔离层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理；按照图案化的光刻胶层对所述隔离层进行刻蚀形成图案化的隔离层；按照所述图案化的光刻胶层对所述石墨烯层进行刻蚀形成图案化的石墨烯层；将所述图案化的隔离层去除。本发明应用于电子设备中石墨烯图案化的方法。

公开(公告)号：CN102842587B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201210359670.3

申请日：2012-09-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张方振

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G09F9/35

摘要： 本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，包括：S1、在绝缘透明的基板上形成包括像素电极、电容电极和有源层的图形；S2、在步骤S1的基板上形成第一绝缘层、栅极、栅线和公共电极的图形，公共电极与电容电极形成存储电容；S3、在步骤S2的基板上形成第二绝缘层，在源漏区域及像素电极区域形成穿过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔，并保留在形成第二绝缘层上除源漏区域及数据线区域外的光刻胶；S4、在步骤S3的基板上沉积SD金属，通过光刻胶剥离的方式形成源极、漏极及数据线；S5、在步骤S4的基板上形成钝化层图形。还公开了一种阵列基板和显示装置，本发明的方法减少了阵列基板制作工艺中ma sk的次数，提高了生产效率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN105702861A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610073659.9

申请日：2016-02-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张方振 ,  惠官宝 ,  高涛 ,  宁策

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0048 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0006 ,  H01L51/0512

摘要： 本发明实施例提供一种碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板，涉及显示技术领域，能够提高通过碳纳米管溶液制备碳纳米管薄膜的效率。碳纳米管薄膜的制备方法，包括将载体基板放入碳纳米管悬浮液中，载体基板包括第一衬底基板以及形成于第一衬底基板上的电极对，电极对包括相对设置的第一电极和第二电极。对构成电极对的第一电极和第二电极分别施加电压，使得第一电极和第二电极之间形成电场，碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在电场作用下聚集在第一衬底基板设置有电极对的一侧表面，以形成碳纳米管薄膜。

公开(公告)号：CN105118382A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510541659.2

申请日：2015-08-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 吕志军 ,  张方振 ,  孙双

IPC分类号： G09F9/00 ,  G09F9/30

CPC分类号： G09F9/00 ,  G09F9/301

摘要： 本发明涉及电子材料领域。本发明公开了一种石墨烯层包括石墨烯膜和粘附于所述石墨烯膜一侧表面的有机绝缘膜；所述石墨烯膜与有机绝缘膜之间可形成氢键；所述有机绝缘膜为聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯或丙烯酸型树脂。本发明还公开了所述石墨烯层和聚酰亚胺基底构成的膜材及其制备方法。一方面，有机绝缘膜在后续光刻工艺中可以与石墨烯膜形成氢键，连接紧密；另一方面，有机绝缘膜还可以与聚酰亚胺形成紧密连接，因此，有机绝缘膜有效改善了石墨烯与聚酰亚胺的粘附性能。石墨烯膜、有机绝缘膜和聚酰亚胺基底构成的膜材，粘附性能好，石墨烯膜不易脱落。所述膜材可以应用于显示器件中。

公开(公告)号：CN104851894A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510300781.0

申请日：2015-06-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 宁策 ,  张方振

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78684 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板的制备方法至少包括以下步骤：形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。该阵列基板的制备方法简单，有利于阵列基板和显示装置量产化。