公开(公告)号：CN1144296C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN97119638.9

申请日：1997-09-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西田彰志

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/955

Abstract: 在一个模具中熔化和固化金属级硅以形成一个片状硅层，并在其上形成一个晶体硅层，从而提供一种便宜的太阳能电池，而不需要一个切片步骤。

公开(公告)号：CN1278656A

公开(公告)日：2001-01-03

申请号：CN00122589.8

申请日：2000-06-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文 ,  浮世典孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76259 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368

Abstract: 在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑,并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层,而形成薄膜半导体时,通过真空吸附和/或静电吸附来固定基片,并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法,并且允许重复使用基片,且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。

公开(公告)号：CN1198020A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98108876.7

申请日：1998-03-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 生产半导体衬底的方法,对第一衬底的表面阳极化形成多孔层;在多孔层表面和第一衬底与多孔层一侧相对侧的表面上同时形成半导体层;把多孔层表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上;在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底使多孔层表面上形成的半导体层转换到第二衬底上,从而在第二衬底的表面上提供半导体层。这使得可以以低的成本生产半导体衬底,同时可很好地利用昂贵的衬底材料。

公开(公告)号：CN1039449A

公开(公告)日：1990-02-07

申请号：CN89104710.7

申请日：1989-05-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西田彰志

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C16/407 ,  G02F1/13439 ,  H01B1/08 ,  H01L31/075 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种具有高透光亲和低电阻的功能性氧化锌沉积薄膜，可以在约200℃的低温和在如玻璃这样廉价基片上制取，它通过在不同于成膜区间的区间用活化能活化一种原料气体而形成一种有助于形成沉积膜的前身，在不同于成膜区间，也不同于刚刚提及的区间的一个区间中，使用活化能活化一种原料气而形成一种能与前身化学反应的活性物质，并将前身和活性物质导入成膜区间，从而沉积一种膜，其中用于形成前身的原料气体是一种烷基锌化合物，而用于形成活性物质的原料是氧气或臭气或臭氧气体。