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公开(公告)号：CN116539397A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310686406.9
申请日：2023-06-09
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种碳化硅腐蚀装置，包括加热桶，支架和观测装置；加热桶用于盛装碱性腐蚀原料，上端开口；待观测晶片位于加热桶的开口上方处受碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀；支架用于放置待观测晶片，并能使待观测晶片在水平方向上移动以便选择观测区域对准观测装置；观测装置用于观察晶片的腐蚀过程。该装置利用加热桶盛装碱性腐蚀原料，利用支架放置待观测晶片，通过碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀待观测晶片，并在腐蚀过程中利用观测装置观察晶片表面的腐蚀过程，无需对待观测晶片进行研磨，防止晶片腐蚀过程中的重要信息因研磨过度而丢失，利于更好地研究晶片表面缺陷的演化和移动情况。本发明还提供一种用于上述碳化硅腐蚀装置的碳化硅缺陷观测方法。
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公开(公告)号：CN115961346A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211704156.9
申请日：2022-12-29
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/36 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种大尺寸碳化硅外延气体供应装置，包括内部具有通气腔的壳体，所述通气腔的中部通过主隔板围合而成有主通路，所述主通路的延伸方向与所述通气腔的延伸方向一致，所述主隔板的外壁与所述通气腔的内壁之间形成供氢气流通的外围旁路；所述主通路内平行设置有两个内横隔板，两所述内横隔板之间、所述主隔板的内壁与任一所述内横隔板的侧壁之间分别形成供前驱气体和掺杂气体流通的主气道。该大尺寸碳化硅外延气体供应装置能够优化大尺寸碳化硅外延片的浓度均匀性调整效果，并使得大尺寸碳化硅外延片的厚度均匀性得以相应优化。本发明还公开了一种应用了该大尺寸碳化硅外延气体供应装置的大尺寸碳化硅外延气体供应方法。
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公开(公告)号：CN115712000A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211460102.2
申请日：2022-11-16
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的托盘基座测速设备，包括外延反应腔室、托盘基座和测速装置。外延反应腔室的两端分别设置有进气端口和出气端口以及连通进气端口和出气端口，用于供反应气流动的气流通道；托盘基座转动设置于外延反应腔室内，气流通道流经托盘基座，托盘基座的下方设置有随托盘基座同步转动的测速叶轮，且测速叶轮位于气流通道的外部；测速装置包括信号发射器和信号接收器，信号发射器和信号接收器分别设置于外延反应腔室的两端。本发明提供的托盘基座测速设备的测速叶轮设置于托盘基座的下方且位于气流通道的外部，避免了测速叶轮对反应气气流的影响，同时实现了对托盘基座转速的测量，提高了外延生长晶体的质量。
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公开(公告)号：CN114959898A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210379731.6
申请日：2022-04-12
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种高压超高压器件用碳化硅外延片的制备方法，包括：在碳化硅衬底的碳面涂布一层碳膜，置于外延炉反应室内，通入氢气，逐步升温至1600～1650℃后，通入硅源、碳源和掺杂源，在碳化硅衬底的硅面生长缓冲层，调整各类源的流量值，生长外延层至指定厚度，退火，降至室温，对晶片保护后，抛去碳膜，得到碳化硅外延片。本发明在现有商业化外延炉基础上，通过对衬底进行碳面涂布碳膜，在外延和退火中通过碳膜的碳原子迁移，补充外延层的碳空位，实现碳空位修复，此外还可以调节退火工艺参数改善碳空位密度，增加载流子寿命，与传统载流子寿命增强技术相比，无需复杂的注入+退火或长时间高温氧化。
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公开(公告)号：CN113371712A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110849202.3
申请日：2021-07-27
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B29/36 , C30B23/00
摘要： 本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。
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公开(公告)号：CN118712047A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411070738.5
申请日：2024-08-06
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片制作方法及晶片，涉及半导体制备工艺技术领域。通过在晶锭上进行简单的主参考面和副参考面的制作，在对晶锭切割后即可使得晶片上具有主定位面和副定位面，由此根据副定位面相对主定位面的方位，达到区分晶片的第一表面和第二表面的目的。本发明提供的晶片制作方法简单，并且保证了晶片具有较大的可用面积。
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公开(公告)号：CN118443702A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410519986.7
申请日：2024-04-28
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开一种碳化硅单晶体缺陷的检测方法和系统，系统包括表面缺陷检测模块，自动切换模块，内部缺陷检测模块和中控模块；表面缺陷检测模块用于获得碳化硅单晶体的表面图像，并根据表面图像获得碳化硅单晶体的表面缺陷检测结果；自动切换模块用于在获得表面缺陷检测结果后，将碳化硅单晶体传输至内部缺陷检测模块；内部缺陷检测模块用于获得碳化硅单晶体的X光衍射图谱，并根据X光衍射图谱获得碳化硅单晶体的内部缺陷检测结果；中控模块用于根据表面缺陷检测结果和内部缺陷检测结果生成碳化硅单晶体的检测报告。
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公开(公告)号：CN117802572A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311868680.4
申请日：2023-12-29
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体晶体的生长方法，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表面，进行半导体晶体的生长，从而能够避免缺陷密集区域中缺陷对所制备半导体晶体质量的影响。
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公开(公告)号：CN117352372A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311454315.9
申请日：2023-11-02
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的碳化硅晶片在清洗液中浸泡，得到清洗后的碳化硅晶片；所述清洗液包括非质子极性溶剂与水。与现有技术相比，本发明在湿法清洗工艺前将碳化硅晶片在包括非质子极性溶剂与水的清洗液中进行浸泡，利用非质子极性溶剂与有机物的相似相容性，进一步溶解晶片加工过程中及清洗中的有机物残留，有效降低宏观颗粒，进一步降低微观粒子在晶片表面的附着，提高晶圆的品质，为后续外延、器件的稳定性能提高保证。
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公开(公告)号：CN114059155B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111399398.7
申请日：2021-11-19
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的制备方法，包括以下步骤：A)将碳化硅原料置于坩埚底部，将碳化硅籽晶置于坩埚顶部，所述碳化硅籽晶与坩埚非接触面设置有硅膜；B)将步骤A)得到容器置于碳化硅晶体生长单晶炉中，密封并抽真空，再充入生长气体，然后进行脱膜处理，晶体生长后得到碳化硅晶体。本申请通过在碳化硅籽晶表面制备硅膜，可以有效解决籽晶表面没有做任何二次处理带来的加工过程存留少量划伤缺陷，粘接操作过程在籽晶表面引入新的损伤，生长过程中温度设置不合理导致籽晶碳化等问题导致碳化硅籽晶初期接长的缺陷较多，大大提升碳化硅晶体生长成功率及生长质量。
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