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公开(公告)号：CN117711977A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311720084.1
申请日：2023-12-14
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明涉及基板交接技术领域，公开了一种基板交接系统，包括承载机构、升降机构、多个进气通道、背吹执行机构和控制模块；承载机构水平设置在超临界腔室的第一开口部，顶部用于支撑基板的下表面，且承载机构上设有贯穿孔；升降机构设置在承载机构的下方，适于穿过贯穿孔对基板进行支撑；多个进气通道位于承载机构的内部；多个进气通道的出气口均位于承载机构的顶部，并环绕承载机构的边缘设置；背吹执行机构与进气通道连通，用于向进气通道供应惰性气体；控制模块与升降机构及背吹执行机构均通信连接，用于控制背吹执行机构的背吹流量，本发明保持了基板表面IPA液膜的完整性，提高了基板干燥良品率。
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公开(公告)号：CN117650080A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311616606.3
申请日：2023-11-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及基板处理技术领域，公开了一种密封结构、超临界干燥装置和基板处理系统，密封结构包括：腔室主体，腔室主体的长度方向一侧设置有第一密封部；旋转门，旋转门靠近腔室主体的一侧设置有第二密封部，第二密封部适于与第一密封部贴合；旋转门远离腔室主体的一侧设置有第一楔形部，第一楔形部设置于旋转门的高度方向两侧；密封驱动块，设置于腔室主体的高度方向两侧；密封驱动块上设置有第二楔形部；密封驱动块适于沿高度方向靠近旋转门，使得第二楔形部抵顶第一楔形部，并驱动旋转门沿长度方向靠近腔室主体，以使第二密封部与第一密封部完全贴合。本发明能够保证腔室主体的干燥腔室的密封性，有利于提高基板的良率。
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公开(公告)号：CN112086352B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202010784138.0
申请日：2020-08-06
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 一种利用Locos生长氧化隔离层以及制备IGBT芯片的工艺，包括热氧化层的形成：在晶圆中每个芯片表面覆盖形成氮化硅层，采用氧化工艺在氮化硅层以外的芯片边缘生长出热氧化层用于漏电隔离；热氧化层的厚度调节：采用研磨液对热氧化层进行研磨或采用刻蚀工艺对热氧化层进行刻蚀，使热氧化层达到预期厚度；去除氮化硅层，然后再进行晶圆全局平坦化处理。本发明的工艺能够有效避免晶圆芯片中心部分过抛或研磨不充分的问题，进而保证芯片性能。
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公开(公告)号：CN117532495A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311785726.6
申请日：2023-12-22
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供的一种化学机械抛光装置，属于抛光技术领域，包括抛光头载体、弹性膜结构和压环结构，在抛光过程中，弹性膜上的气室结构气压增加，气室结构对基板施加一定的压力，同时压环结构上的抵接部与气室结构抵接并且限制气室结构在增压过程朝向远离基板方向膨胀，通过设置的压环结构，能够限制边缘的气室结构朝向远离基板方向的膨胀，使气室结构对基板压力分布的更加均匀，增加了基板的抛光效果。
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公开(公告)号：CN112233975B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202010924345.1
申请日：2020-09-04
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质，其中，该方法包括：获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目；判断待研磨物质数目是否达到预设值；当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。通过实施本发明，保证了待研磨物质在第二抛光盘的研磨时间处于预设研磨时间范围内，提高了待研磨物质的研磨效率，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN116460732A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310621088.8
申请日：2023-05-29
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B49/16 , B24B37/005
摘要： 本发明涉及基板研磨技术领域，提供了一种基板研磨装置和控制方法，该基板研磨装置包括抛光头和吸盘。抛光头内设置有第一气路通道；吸盘的顶部连接在抛光头的底部，吸盘的底部设置有与第一气路通道连通的气孔，以及位于气孔周围的接触面。通过气孔的负压直接吸附基板能够缩短基板装载在抛光头上的安装时间，气孔的吸附力和接触面的摩擦力可以使基板牢牢的与吸盘底部固定住，就不需要设置保持环，降低了研磨成本。此外，在卸载基板时，第一气路通道除了不向气孔提供负压之外，还可以向气孔提供气压，那么就能够快速的将基板卸载，减少了研磨过程整体时间，加快了研磨工艺的效率。
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公开(公告)号：CN118866765A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410944019.5
申请日：2024-07-15
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆的化学机械研磨方法，属于化学机械研磨技术领域，所述晶圆的化学机械研磨方法包括S10：沿X轴分别布置存放工位、清洗干燥工位、研磨工位，其中所述存放工位包括多个存放槽，所述清洗干燥工位包括多个清洗槽和干燥槽，所述研磨工位包括沿X轴方向布置的多个研磨机构；S20：所述研磨工位的一侧设置第一导轨以及滑动连接于所述第一导轨的第一机械手，所述清洗干燥工位的一侧设置第二导轨以及滑动连接于所述第二导轨的第二机械手，所述存放工位的一侧设置第三导轨以及滑动连接于所述第三导轨的第三机械手；S30：所述第一导轨和所述第二导轨之间设有第一暂存位，所述第二导轨和所述第三导轨之间设有第二暂存位。
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公开(公告)号：CN118527447A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410635123.6
申请日：2024-05-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B08B15/04
摘要： 本发明涉及晶圆清洗技术领域，公开了一种晶圆清洗设备的风量控制方法、装置、设备和存储介质，该方法包括：根据晶圆清洗设备中各个预设模组的清洁度需求确定各个预设模组对应的压差设定值，形成压差梯度分布，其中，预设模组的清洁度需求越高，对应的压差设定值越大；接收当前工况下各个预设模组的实时压差检测值；根据压差设定值和实时压差检测值控制对应预设模组的送风装置的转速以维持压差梯度分布，本发明可以避免当进行传输作业时模组与模组之间会出现扰流现象使模组的压差出现波动，颗粒有可能从洁净等级低的模组流向洁净等级高的模组的情况，从而提高清洗效果。
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公开(公告)号：CN118418035A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410592242.8
申请日：2024-05-13
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/34 , B24B57/02
摘要： 本发明涉及化学机械研磨工艺技术领域，公开了研磨台、研磨设备及吸附移动方法，研磨台包括：驱动结构；主体，具有用于研磨基板的研磨面，主体具有若干与研磨面连通的喷孔；喷射组件，设置于主体，喷射组件包括控制结构和输送结构，输送结构具有输送口，输送口与对应的喷孔连通，本发明在主体的研磨面设置喷孔，当基板研磨完成需要移动时，通过研磨头吸附基板后，此时控制结构控制输送结构将干扰物质通过喷孔输送至基板与研磨面之间，干扰物质沿着基板与研磨面之间的空间扩散即可迅速破坏液膜，液膜的破坏过程简单高效，基板底部的液膜破坏后，研磨头无需施加较大的吸力即可顺畅的吸附并移动基板。
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公开(公告)号：CN114705115B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210447738.7
申请日：2022-04-26
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： G01B7/06
摘要： 本发明公开了一种涡流传感器，控制模块触发波形生成模块产生使线圈模块谐振的正弦波形，线圈模块谐振生成电流信号；信号传输模块基于电流信号得到采样电压信号，信号传输模块对采样电压信号进行处理后发送至控制模块；控制模块根据接收处理后的采样电压信号，计算晶圆表面导电膜厚度值；线圈模块内部包括多个不同测量截面的线圈，在被测晶圆抛光过程中，对于抛光过程的每个阶段，将对应的测量截面的线圈切换至检测回路中，从而实现针对不同的测量过程进行时间分割，每个过程精确匹配电涡流传感器的最佳线性、分辨率参数。
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