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公开(公告)号：CN114864529A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210551401.0
申请日：2022-05-18
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
IPC分类号： H01L23/492
摘要： 本发明涉及一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用，所述碳化硅复合基板包括层叠设置的单晶层、中间层与多晶支撑层；所述中间层中包括第一杂质、第二杂质与第三杂质；所述多晶支撑层中包括第一杂质与第二杂质。本发明通过在中间层以及多晶支撑层中均设置第一杂质与第二杂质，降低了单晶层与多晶支撑层之间的电阻率；引入的第一杂质与第二杂质，能够根据需要调节多晶支撑层的热膨胀系数，在满足使多晶支撑层的电阻率需求基础上，能够使多晶支撑层的热膨胀系数与单晶层相当，避免热膨胀系数相差过大造成的热失配。
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公开(公告)号：CN114481293A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210102307.7
申请日：2022-01-27
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法，该碳化硅晶体生长装置包括壳体、石墨坩埚、籽晶组件和加热件。壳体限定出容纳腔，石墨坩埚设在容纳腔内，石墨坩埚用于容纳助溶剂溶液，籽晶组件沿竖直方向可升降配合在壳体上，籽晶组件的一端伸入石墨坩埚内，籽晶组件用于承载生长的碳化硅晶体，加热件位于石墨坩埚的径向外侧：加热件和石墨坩埚中的至少一个沿竖直方向可升降。该碳化硅晶体生长装置，在生长过程中能够维持助溶剂溶液的液面相对于加热件的位置不变，维持助溶剂液面下方的温度梯度恒定，从而增加结晶的稳定性和一致性。
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公开(公告)号：CN114959899B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210387910.4
申请日：2022-04-13
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅复合基板及其制备方法，所述碳化硅复合基板包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层，所述单晶碳化硅层与所述碳化硅支撑层之间设置有至少1层金属硅化物层，所述单晶碳化硅层与相邻的金属硅化物层之间设置有第一界面层，所述碳化硅支撑层与相邻的金属硅化物层之间设置第二界面层，所述金属硅化物层的电阻率低于100μΩ·cm。所述碳化硅复合基板有效降低了碳化硅支撑层和单晶碳化硅薄层之间的界面电阻，降低了碳化硅复合基板的制造成本，提高了碳化硅复合基板的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115058765B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210551939.1
申请日：2022-05-18
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：(1)利用溶液生长法由低质量单晶基板得到高质量晶锭；(2)高质量晶锭的端面处进行离子注入，形成弱化层；(3)端面与支撑基板键合，施加应力使高质量晶锭沿弱化层裂开，得到碳化硅复合基板。本发明提供的制造方法直接在晶锭的端面进行薄层转移，无需加工晶锭的外周，减少了晶锭切片的工序，提高了效率；而且，可以在晶锭的端面重复进行多次薄层转移，直至晶锭耗尽，单晶材料的损耗大大减少，降低了碳化硅复合基板的制造成本。
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公开(公告)号：CN117433669B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311754875.6
申请日：2023-12-20
摘要： 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆键合力测试装置及测试方法。该晶圆键合力测试装置包括键合晶圆夹具、压电刀片、刀片推进器和信号收集处理组件，键合晶圆夹具用于固定待测试的键合晶圆片；压电刀片用于插入键合晶圆片的键合界面，压电刀片包括上电极层、压电层和下电极层，压电层设置于上电极层和下电极层之间；刀片推进器用于夹持压电刀片并能以恒定力或恒定速度推动压电刀片插入键合晶圆片的键合界面；信号收集处理组件与压电刀片电性连接，信号收集处理组件用于收集压电刀片的电压信号并将电压信号转化为压力值。本发明提供的测试方法使用上述晶圆键合力测试装置，可以快速准确地测试出键合界面的键合力。
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公开(公告)号：CN117438391B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311734685.8
申请日：2023-12-18
IPC分类号： H01L23/373 , C30B28/14 , C30B29/36 , C30B33/10 , H01L29/16 , H01L29/04 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种高热导率3C‑SiC多晶基板及其制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，所述高热导率3C‑SiC多晶基板的热导率为400‑450#imgabs0#，晶型为100%的3C‑SiC，组织为多晶，晶粒为沿厚度方向的柱状晶，晶粒取向为(111)方向，通过化学气相沉积方法，在一定温度和压力下，在Si单晶基底上，且Si单晶基底的表面为完全正轴的Si(111)面，生长晶粒尺寸较大和取向一致的3C‑SiC多晶层，消除了晶界对沿厚度方向导热过程中晶格振动的散射作用，增加了沿厚度方向的热导率，使得基于3C‑SiC多晶基板的复合3C‑SiC基板具有优异的散热性能。
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公开(公告)号：CN117156947B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311423341.5
申请日：2023-10-31
摘要： 本发明涉及一种复合压电衬底的制备方法，所述制备方法包括：首先，将压电材料供体的待键合面进行离子注入，在压电材料供体的待键合面形成损伤层，得到含有损伤层的压电材料供体；然后，将含有损伤层的压电材料供体和半导体材料衬底进行键合，得到键合体；之后，将键合体的支撑层与压电材料陪片进行临时键合，得到第一复合衬底；接着，将第一复合衬底进行热处理，得到第二复合衬底和压电材料供体剩余部分；最后，将第二复合衬底进行解键合，得到复合压电衬底和压电材料陪片。本发明提供的制备方法能够实现压电材料供体完整剥离，减少复合压电衬底的加工步骤，避免现有技术中产生的碎屑污染，提升产品良率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117066238B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311337709.6
申请日：2023-10-17
IPC分类号： B08B9/28 , B08B9/34 , B08B9/44 , F26B21/00 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种晶圆片盒清洗设备及晶圆片盒清洗方法，属于半导体晶圆片盒清洗技术领域。晶圆片盒清洗设备包括腔体、放置架和两个清洗模组，腔体开设有用于与外界连通的窗口；放置架设于腔体内，放置架用于承载若干晶圆片盒；两个清洗模组分别设于放置架的两侧，清洗模组包括驱动机构、喷头和连接组件，连接组件一端连接喷头，另一端连接超纯水供应组件和高纯氮气供应组件，超纯水供应组件用于供应超纯水，高纯氮气供应组件用于供应高纯氮气，使喷头能够择一地喷出超纯水和高纯氮气，驱动机构能够驱动喷头运动以使超纯水和高纯氮气覆盖若干晶圆片盒，解决了结构繁杂、施工难度大和成本高的问题，并且能够有效清洗晶圆片
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公开(公告)号：CN114864529B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210551401.0
申请日：2022-05-18
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用，所述碳化硅复合基板包括层叠设置的单晶层、中间层与多晶支撑层；所述中间层中包括第一杂质、第二杂质与第三杂质；所述多晶支撑层中包括第一杂质与第二杂质。本发明通过在中间层以及多晶支撑层中均设置第一杂质与第二杂质，降低了单晶层与多晶支撑层之间的电阻率；引入的第一杂质与第二杂质，能够根据需要调节多晶支撑层的热膨胀系数，在满足使多晶支撑层的电阻率需求基础上，能够使多晶支撑层的热膨胀系数与单晶层相当，避免热膨胀系数相差过大造成的热失配。
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公开(公告)号：CN117305985B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311610357.7
申请日：2023-11-29
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及碳化硅单晶生长，具体涉及石墨坩埚、其制备方法及碳化硅单晶长晶方法技术领域。石墨坩埚，所述石墨坩埚内壁设有石墨‑铝复合层。还包括石墨坩埚的制备方法，制备铝、石墨浆料；将铝、石墨浆料置于石墨坩埚内壁上，烧结所述石墨坩埚，烧结后冷却，制得具有石墨‑铝复合层的石墨坩埚。及采用上述石墨坩埚的单晶碳化硅长晶方法。生长出的单晶碳化硅表面能够长时间维持光滑，减少溶剂夹杂及二维成核，利于制造大厚度的高质量的单晶碳化硅晶体。
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