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公开(公告)号:CN1588892A
公开(公告)日:2005-03-02
申请号:CN200410060873.8
申请日:2004-09-17
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: H04L12/26
摘要: 本发明公开了一种存储服务器性能综合测试系统,包括设置在客户机上的测试管理模块和负载产生模块,前者负责设置测试参数,向负载产生模块发送测试命令,收集负载产生模块的测试结果数据,并将测试结果数据统计整理后输出,控制测试全过程;后者用于创建I/O访问流量,在测试管理模块控制下,传送I/O请求报文到存储服务器,并接收存储服务器返回的响应信息。本发明在高速宽带局域网中,使用多台客户机模拟多个用户,遵循用户访问存储服务器的统计特性,在规定的测试时间内访问存储服务器,测试其在各种负载条件下体现出来的性能。本发明测试原理科学,采用了Linux下的多线程技术、进程间通信技术和网络编程技术,具有评测过程简单,评测费用低等优点。
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公开(公告)号:CN105488811A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510822670.6
申请日:2015-11-23
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: G06T7/20
CPC分类号: G06T2207/30241
摘要: 本发明公开了一种基于深度梯度的目标跟踪方法,通过对获取的待跟踪RGB-D视频序列的第一帧进行标定,提取RGB图像的方向梯度直方图特征和深度图像的深度梯度信息;基于上述信息,对当前帧进行目标检测和目标跟踪,并根据检测结果和跟踪结果,进一步得到最终目标框;最后,对下一帧重复前述步骤且在每一帧处理后,对分类器模型进行选择性调整。相应地本发明还公开了一种对应的系统。通过执行本发明中的方法,有效解决了当前目标跟踪方法中存在的在背景与目标颜色接近、光照变化明显、遮挡等导致的跟踪错误或丢失的问题,大大提高了目标跟踪的鲁棒性,同时减少了训练模型的漂移问题,尤其适用于小速率目标跟踪的应用场合。
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公开(公告)号:CN101805178B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201010100562.5
申请日:2010-01-22
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622 , B02C17/00
摘要: 本发明公开了一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法,该方法以碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙为原料,用直径为1~2mm的ZrO2小球、厚度为1μm的缝隙过滤浆料、转速为1400~2400rpm、球磨时间为1~3小时,最终获得粒径大小为20~50nm的钛酸钡基PTC粉体;然后再分散剂、粘合剂和增塑剂进行混合球磨3~5小时,然后静置5~12小时去除气泡及物理团聚,最后进行过筛处理获得流延浆料;最后对流延浆料进行流延操作,制备钛酸钡陶瓷生坯。获得的片式细晶PTC,其特征在于磁体晶粒大小在2微米以下,室温电阻率≤120Ω.cm,升阻比≥4×103,居里温度在80~120℃。
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公开(公告)号:CN101483417B
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200910060548.4
申请日:2009-01-16
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: H03H3/007 , C04B35/10 , C04B35/622
摘要: 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法,即采用固相法,向主晶相Al2O3粉末中加入Co,Mn,Cr,Si,Ti,B,V等元素,对氧化铝进行掺杂改性,降低了氧化铝陶瓷的烧成温度,并在粉体改性的基础上提出了一种黑色氧化铝有机流延成型方法,选择了适合氧化铝的流延成型剂,复合溶剂,复合增塑剂。得到均匀、稳定、高固相含量的浆料,提高了素坯成型质量。使用刮刀法流延,设备简单可行,自然干燥过程方便,干燥过程不会引起坯体的破裂,起皱,和无法脱膜的现象。制得膜体致密,并用机械打孔法来制备叠层基片,得到多层布线用黑色氧化铝基片。
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公开(公告)号:CN101830698A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN201010123229.6
申请日:2010-03-15
申请人: 华中科技大学 , 佛山市南海蜂窝电子制品有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/624
摘要: 本发明公开了一种高居里点低电阻率无铅PTCR陶瓷材料,其组成为式①,式中:x=0.1~0.5;y=0.1~0.3;z=0.001~0.01;j=0.1~0.2;k=0.01~0.05;w=0.0001~0.001,成分中Ln为Sm、Nd、Y和La任一种或二种元素;Cn为Ca和Sr中的至少一种元素。制备过程为:(1)分别制备含Bi、Na、K、Ba、Ti、Ln、Cn、Si、Mn离子的溶液,按式①中给出的摩尔比例配制混合溶液:(2)按上述混合溶液∶有机单体∶交连剂=100ml∶(6~20)g∶(0.5~8)g的比例混合,溶液中的有机单体和交连剂交联聚合得到凝胶;(3)700-800℃煅烧1~3小时,得到陶瓷粉体;(4)粉体造粒、干压成型后在高温1200~1300℃下烧结1~2小时。该陶瓷材料具有高居里点、低电阻率的特点。[Bi0.5(Na1-xKx)0.5]y[Ba1-y-z-j]TiO3+zLn3++jCn2++kSi2++wMn(NO3)2??①。
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公开(公告)号:CN118892496A
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202410930426.0
申请日:2024-07-11
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: A61K33/26 , A61K31/427 , A61K31/795 , A61K47/69 , A61P35/00 , A61P1/18 , A61P25/28 , A61P7/04 , A61P25/00 , A61P1/16 , A61P13/12 , A61P9/10 , A61P25/16 , A61P25/14
摘要: 本发明设计一类基于PROTAC设计的靶向铁蛋白的铁死亡诱导型纳米剂型,其结构通式如I所示: 其中,代表E3泛素连接酶的配体,‑L‑代表连接基团,选无取代或者任选含有一个或多个杂原子的C1‑50烷基链,杂原子可以选自O,S,N;代表各种饱和或不饱和长烷基链。针对于尚无商业化抑制剂的铁蛋白,可以在较低浓度下降解细胞内的靶标蛋白,与铁基金属有机骨架协同诱导铁离子过载,诱导芬顿反应产生活性氧(ROS),从而导致脂质过氧化的积累,诱导细胞铁死亡。该类化合物在胰腺癌中进一步验证,具有较好的降解活性和肿瘤杀伤作用,具有较高的安全性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN106920276B
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201710098523.8
申请日:2017-02-23
申请人: 华中科技大学
摘要: 本发明公开了一种三维重建方法和系统,其中方法的实现包括:基于校正后的左、右视角图像提取左、右特征点的特征向量,通过计算左、右特征点特征向量之间的空间距离寻找左、右支撑点,基于左支撑点对左视角图像进行三角剖分得到多个左三角形,在左三角形内取左估测点,右估测点由左估测点在右视角图像对应行遍历得到,基于左估测点的视差先验信息和左、右估测点之间的似然概率分布建立联合概率分布,使用最大后验概率估计左、右估测点之间的视差,得到视差图;基于视差图使用三角测量恢复目标景深信息,得到三维点云。这种方法可以快速、精确的找到视差图,上述方法得到的点云可用于厚度测量和距离测量,实现了自动化测量。
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公开(公告)号:CN102946236B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201210405161.X
申请日:2012-10-22
申请人: 华中科技大学
摘要: 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法,该制备方法包括步骤S1:在洁净的Si衬底上制备阻挡层;S2:在阻挡层上制备布拉格反射栅,布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成;S3:在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极;S4:在底电极上制备多层异质结构,并作为体声波谐振器的压电层;多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成;S5:将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜;S6:在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流,具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性;室温下具有较大的优值。
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公开(公告)号:CN103626489B
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201310570899.6
申请日:2013-11-13
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种低温烧结叠层片式钛酸钡热敏陶瓷的制备方法,钛酸钡陶瓷材料的化学组成通式为:(Ba1-xLax)1.005TiO3,其中1‰≤x≤10‰。该方法通过溶胶凝胶法制备的掺镧的纳米钛酸钡粉体,经流延成型、切片、排胶,然后通过还原再氧化烧结制得PTC热敏电阻器。该方法采用溶胶凝胶法制备纳米或亚微米原料粉体,并在制备粉体的过程中同时引入微量掺杂的纳米半导化元素等,并采用还原再氧化的工艺制备陶瓷元件;目的在于实现分子级微量元素的均匀掺杂,在制备出细晶陶瓷的同时降低材料电阻率,制备得到晶粒细小、室温电阻率低并具有较大升阻比的PTC热敏陶瓷;本发明还可以降低陶瓷的烧结温度,改善陶瓷与电极的收缩匹配性能。
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公开(公告)号:CN102896705A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210356441.6
申请日:2012-09-21
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: B28D5/04
摘要: 本发明公开了一种单晶切割装置,包括:切割盖,其为一金属凹形槽,凹形槽内底部开有半圆槽,凹形槽壁上加工有切割栅;切割底座,其为一长方体金属块,长方体金属块的一表面开有半圆槽,长方体金属块在开有半圆槽的表面加工有切割栅;切割底座嵌套于切割盖的凹形槽内,切割底座与切割盖的半圆槽合成一放置待切割单晶的通槽,切割底座与切割盖的切割栅一一对应形成一个完整的单晶切割栅;金刚锯,其穿过单晶切割栅,前后拉割金钢锯实现切片。应用本发明切割晶片,可改善晶片厚度的均一性,降低晶片表面应力,减少表面凹凸,提高成品率。
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