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公开(公告)号:CN109680052B
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN201910032354.7
申请日:2019-01-14
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: C12Q1/6869
摘要: 本公开提供了一种纳米孔薄膜、基因测序装置及纳米孔薄膜的制备方法,该纳米孔薄膜包括:基板、设置在所述基板的一面上的薄膜本体以及贯穿所述薄膜本体的纳米孔道,其中,所述基板上具有与所述纳米孔道相对应的通孔,所述纳米孔道具有用于容纳单个核酸分子通过且能够改变核酸分子的移动方向以降低核酸分子移动速度的检测部。本公开的纳米孔薄膜,由于纳米孔道中具有仅能容纳单个核酸分子通过的检测部,且该检测部能够通过改变核酸分子的移动方向来降低核酸分子的移动速度,核酸分子通过检测部的速度较慢,能够提高获取到的检测信号的数据量,进而能够提高基因测序的准确度。
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公开(公告)号:CN114556203A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202080002010.2
申请日:2020-09-18
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/13357 , H01L27/15
摘要: 本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组,属于显示技术领域。该阵列基板的制备方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板的一侧形成金属布线层,所述金属布线层包括第一铜金属层,所述第一铜金属层的厚度不大于1微米;在所述金属布线层远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层;在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧形成驱动引线层,且所述驱动引线层与所述金属布线层电连接;所述驱动引线层包括第二铜金属层,所述第二铜金属层的厚度大于1微米;在所述驱动引线层远离所述衬底基板的一侧设置功能器件层,所述功能器件层与所述金属布线层或者所述驱动引线层电连接。该制备方法能够避免衬底基板出现翘曲。
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公开(公告)号:CN113990884A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202010733605.7
申请日:2020-07-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供了一种驱动基板,包括:柔性基底、位于所述柔性基底上的多个薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基底一侧的第一导电图形层;所述柔性基底包括:显示区、可弯折区和绑定区,所述可弯折区位于所述显示区和所述绑定区之间,所述薄膜晶体管位于所述显示区内;所述第一导电图形层包括:多个第一连接端子和多条信号供给引线,所述第一连接端子位于所述显示区内,部分所述第一连接端子与所述薄膜晶体管的第一极电连接,所述信号供给引线位于所述可弯折区内,所述信号供给引线的两端分别延伸至所述显示区和所述绑定区内;所述第一导电图形层与所述柔性基底之间设置有至少一层无机绝缘层,所述无机绝缘层在所述可弯折区内为镂空结构。
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公开(公告)号:CN113809266A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202111086075.2
申请日:2021-09-16
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供的一种显示基板、其制作方法及显示装置,可提高柔性衬底的区域性剥离精度,包括:刚性衬底;柔性衬底,位于刚性衬底的一侧;牺牲层,位于柔性衬底与刚性衬底之间,牺牲层在柔性衬底上的正投影与刚性衬底的正投影互不交叠,且牺牲层对激光的吸收效率大于柔性衬底对激光的吸收效率。
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公开(公告)号:CN113689796A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202010404359.0
申请日:2020-05-13
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开公开了一种阵列基板、其检测方法及拼接显示面板,在阵列基板中像素包括:至少三种颜色的子像素和驱动各子像素发光的像素驱动芯片;每一子像素包括至少一个无机发光二极管;显示区域还包括:与无机发光二极管的正极连接的正极信号线,与像素驱动芯片连接的数据信号线、扫描线以及参考信号线;像素驱动芯片用于在扫描线的控制下,将数据信号线的信号分时写入不同颜色的子像素中。
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公开(公告)号:CN113178138A
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN202110443475.8
申请日:2021-04-23
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G09F9/33
摘要: 本公开提供一种显示面板、显示装置及其制备方法。显示面板包括:显示基板,包括衬底基板以及设置在衬底基板一侧的发光二极管;盖板基板,与显示基板对盒设置,盖板基板包括基底、设置在基底朝向显示基板一侧的第一量子点层、第二量子点层,多个子像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域,第一量子点层和第二量子点层分别位于第一子像素区域和第二子像素区域。本公开的技术方案,采用单一颜色的发光二极管,可以避免采用多种颜色发光二极管显示引起的光型不一致问题,提高各子像素区域的显示一致性,提高白光视角的一致性。
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公开(公告)号:CN112543997A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN201980001110.0
申请日:2019-07-22
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供一种阵列基板及其制造方法,该阵列基板的制造方法,包括:提供衬底基板;在衬底基板的第一表面形成第一有源层,第二有源层;在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极;在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层,所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层;对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层;在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层;对所述第一金属层图案化,去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分,以暴露所述第一绝缘层;利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层,在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层;对露出的第一有源层进行清洗。
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公开(公告)号:CN109300840B
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201811159425.1
申请日:2018-09-30
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层;在形成有第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层;通过一次构图工艺对有源层材质层和层间介质材质层进行处理,得到第二有源层和第二层间介质层。本申请解决了显示基板的制造过程复杂,制造成本较高的问题,简化了显示基板的制造过程,降低了显示基板的制造成本。本申请用于LTPO基板的制造。
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公开(公告)号:CN109671720B
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201811497063.7
申请日:2018-12-07
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L27/12
摘要: 本公开涉及显示技术领域,提出一种阵列基板的制作方法,该制作方法包括:在衬底基板之上依次形成第一半导体图案以及第一绝缘层组;在第一绝缘层组之上依次形成第二半导体图案以及第二绝缘层组;在第一绝缘层组以及第二绝缘层组形成两个第一过孔以露出第一半导体图案,并对露出的第一半导体图案进行退火且去除第一半导体图案表面的氧化层;在第一过孔内形成连接导线;在第二绝缘层组形成第二过孔以露出第二半导体图案,并在第二过孔内形成第一源极和第一漏极,使第一源极或第一漏极覆盖连接其中一个连接导线。使用该方法在对第一半导体图案进行退火时不会对第一源极和第一漏极产生影响,避免影响到电阻和显示屏的信赖性。
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公开(公告)号:CN111524927A
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN202010365235.6
申请日:2020-04-30
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供了一种驱动基板,包括:柔性基底,包括:显示区和可弯折区;第一导电层,位于柔性基底上,包括:位于显示区的第一导线和至少部分位于可弯折区的连接导线;可挠性绝缘层,包括:位于显示区的第一绝缘图形和位于可弯折区的第二绝缘图形,第一绝缘图形具有第一开口,第一导线位于第一开口内,第二绝缘图形位于连接导线远离柔性基底的一侧,第二绝缘图形覆盖连接导线的部分的厚度等于柔性基底的厚度;第二导电层,位于可挠性绝缘层远离柔性基底的一侧;平坦化层,位于第二导电层远离柔性基底的一侧,平坦化层在可弯折区为镂空结构;其中,第二绝缘图形覆盖连接导线的部分的厚度为d2,柔性基底的厚度为d3,d2≥2um且|d2‑d3|≤3um。
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