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公开(公告)号：CN117721530A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311034762.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
Abstract: 本发明的一种金刚石SiV色心规则阵列结构的制作方法属于量子材料技术领域，结合电子束光刻技术在金刚石衬底表面形成纳米尺度的图形化二氧化硅/铱掩膜，对二氧化硅掩模层的厚度进行调整，控制硅离子渗透的位置和深度，并通过控制二次生长的条件及生长时间调控具有空位中心的外延层厚度，从而调控探测精度。本发明通过提出的金刚石硅色心规则阵列制备方法，采用二氧化硅/铱混合掩膜结构，通过控制镀膜厚度，对掺杂深度满足设定的需求，制备了具有规则阵列的金刚石SiV色心结构。
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公开(公告)号：CN101311339B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810050651.6
申请日：2008-04-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石材料技术领域。通过以甲烷、氢气、氮气为反应气体获得的CVD金刚石单晶的生长表面及沿生长方向侧面不同位置的光致荧光光谱的测试，光谱强度规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶。进而根据和氮含量相关的光致荧光峰的强度的规律变化，区分CVD金刚石单晶和其他金刚石单晶。本发明的方法简单、适用、快速；不对所生长的CVD单晶金刚石造成破坏。
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公开(公告)号：CN101465399B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810051719.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的用金刚石膜作热沉材料的LED芯片基座及制作方法涉及LED热沉的技术领域。本发明的结构由贴片区(1)，电极打线区(2)，底部焊盘(3)，电导通孔(4)，反射杯(5)，导热柱(6)，散热焊盘(7)，金刚石膜(9)，上陶瓷层(10)，下陶瓷层(20)构成；方法是在陶瓷基座的下陶瓷层(20)上生长CVD金刚石膜或焊接CVD自支撑金刚石膜做LED芯片的热沉系统。本发明涉及的热沉导热性好，降低产品的热阻，使热量尽快散发出去，提高LED的发光效率，同时也提高了产品的可靠性和延长了产品的寿命。
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公开(公告)号：CN1413906A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02133050.6
申请日：2002-09-25
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明的金/铁系元素复合膜上制备碳纳米管的方法属高浓度氢气气氛下直接制备碳纳米管的方法。首先在Si或SiO2衬底上溅射铁或钴或镍层，再溅射金层，制备出复合膜的催化剂；再将衬底置于热丝CVD设备中，以氢气和甲烷为反应气体，衬底温度为600～950℃，气体压力为12～30Tor，生长时间为10～120min；或在金/铁系元素复合膜上放置挡片，使氢气与甲烷的气体流量比为H2∶CH4＝100∶(1～100)；或不放置挡片，使H2∶CH4＝100∶(7.5～100)。本方法能制备出直径为20～200纳米的高纯多壁碳纳米管；无需对催化剂金属层预处理，不需要等离子体增强技术，达到简化工艺、缩短生长周期、降低成本的目的。在高氢气氛下生长的碳纳米管在场致发射、储氢及化学传感器等方面有较高的应用价值和良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1045815A
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：CN89107565.8
申请日：1989-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属一种在半导体衬底表面选择性生长金刚石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金刚石成核密度具有很大差异这一性质，实现了金刚石膜的选择性生长。主要工艺过程为研磨，生长隔离膜，光刻，制备金刚石膜，化学腐蚀等，所制备的金刚石膜具有质量高，选择性生长好，不破坏衬底等优点，而且制备参数易于控制，工艺简单，成品率高。本方法制备的金刚石膜可应用于大规模集成电路，微波器件，光电器件等半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN116425546B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310422731.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。
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公开(公告)号：CN115714143A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211478574.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该肖特基二极管包括重掺杂P型材料的衬底，在衬底的上表面生长的轻掺杂P型材料的漂移层，对漂移层进行刻蚀处理后得到的第一凹槽结构，在第一凹槽结构中沉积形成的N型结构，沉积在漂移层和N型结构上的场板，在衬底的下表面沉积的第一电极，在场板和漂移层上表面沉积的第二电极。本发明通过改变场板和结终端扩展结构的相对空间位置，实现了导通电阻和耐压性能的平衡并获得高的巴利加优值。
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公开(公告)号：CN112337403B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202011220068.2
申请日：2020-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种表面增强的三脊异形聚晶金刚石复合片及其制备方法属于超硬材料技术领域，所述的表面增强的三脊异形聚晶金刚石复合片，由CVD多晶金刚石条块、聚晶金刚石层和碳化钨‑钴硬质合金层构成，制备方法包括切割CVD多晶金刚石膜、按人字状并与金刚石微粉和碳化钨‑钴硬质合金圆柱坯料压实、高温高压烧结、机械加工等步骤。本发明制备的金刚石复合片具有耐磨性高、切削能力强、使用寿命长等优点。
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公开(公告)号：CN112323144A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011220069.7
申请日：2020-11-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种表面增强的聚晶金刚石复合片及其制备方法属于超硬材料技术领域。所述的表面增强的聚晶金刚石复合片，包括CVD多晶金刚石膜、聚晶金刚石层和碳化钨‑钴硬质合金层，制备方法包括激光扫描雕刻预制图案、整体压实成型、高温高压烧结等步骤。本发明通过在PDC表面热压烧结一层CVD多晶金刚石膜，提高了PDC的耐磨性，在高温高压烧结过程中表面CVD多晶金刚石膜沿激光预制纹路开裂，流体状态的金刚石微粉、钴、碳化钨混合物填充入裂隙形成聚晶，并与CVD多晶金刚石膜形成牢固D‑D键连接。因此在高温高压烧结过程中和高负荷工作条件下金刚石膜片不易随机崩裂脱落，以免造成刀具损伤。
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