包含苷的化学机械抛光(CMP)组合物

    公开(公告)号:CN103764775A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201280043273.3

    申请日:2012-09-04

    IPC分类号: C09G1/02

    摘要: 一种化学机械抛光(CMP)组合物,其包含:(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物,(B)式1至式6的苷,其中R1为烷基、芳基或烷芳基,R2为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,R3为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,R4为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,R5为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,该苷中的单糖单元(X1、X2、X3、X4、X5或X6)的总数在1至20的范围内,且X1至X6为如在相应式1至式6中以矩形所指示的结构单元,及(C)含水介质。

    研磨制品,其制备方法及其应用方法

    公开(公告)号:CN102762684A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201180010888.1

    申请日:2011-01-19

    IPC分类号: C09K3/14

    摘要: 研磨制品,其包含选自无机颗粒、有机颗粒和无机-有机混杂颗粒(a1)的固体磨料颗粒(A),其具有根据激光衍射测得的为1-500nm平均初级粒度且具有与其表面化学键接的给电子基团(a2)。所述固体磨料颗粒(A)分布于整个固体基体(B)中或分布于其上,或者分布于整个固体基体(B)中且分布于其上。提供了一种制备研磨制品的方法和一种对用于制造电气和光学器件的基材进行加工的方法。所述方法使用所述研磨制品。

    包含苷的化学机械抛光(CMP)组合物

    公开(公告)号:CN103764775B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201280043273.3

    申请日:2012-09-04

    IPC分类号: C09G1/02

    摘要: 一种化学机械抛光(CMP)组合物,其包含:(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物,(B)式1至式6的苷,其中R1为烷基、芳基或烷芳基,R2为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,R3为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,R4为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,R5为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基,该苷中的单糖单元(X1、X2、X3、X4、X5或X6)的总数在1至20的范围内,且X1至X6为如在相应式1至式6中以矩形所指示的结构单元,及(C)含水介质。