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公开(公告)号：CN109545928B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811614645.9
申请日：2018-12-27
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。
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公开(公告)号：CN109545928A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811614645.9
申请日：2018-12-27
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。
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公开(公告)号：CN107507896A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710873379.0
申请日：2017-09-25
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种紫外LED光源倒装结构，包括：衬底，在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层。贯穿金属反射层以及部分电流扩展层的第一电极凹槽；贯穿n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层的第二电极凹槽；与第一电极凹槽接触连接的p电极，与第二电极凹槽接触连接的n电极；设置于外延层结构背离衬底一侧的环形金属条结构，环形金属条结构对p电极以及n电极进行环形包裹，且与p电极连接，与n电极不连接。该紫外LED光源倒装结构具有发光效率高、防静电释放危害、散热快、抗老化及可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN107452846A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710873273.0
申请日：2017-09-25
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/46
摘要： 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、重掺杂n型AlGaN层、轻掺杂n型AlGaN层、量子阱有源区、电子阻挡层、P型导电层、反射层、电流扩展层、绝缘层以及导电薄膜层。其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构。该紫外LED倒装芯片具有防漏电、发光效率高、电压浪涌小、防静电释放危害、散热快及可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN107366491A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710585601.7
申请日：2017-07-18
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： E05F15/70 , E05F15/632 , E05F15/73 , E05F2015/767 , E05Y2900/40 , E06B11/02 , G06K9/00268 , G07C9/00158 , G07C9/00166
摘要： 本申请公开了一种电动伸缩门的控制方法，包括：采集得到人脸图像，并对人脸图像进行特征提取，得到特征信息；利用特征信息与数据库中的预存特征信息进行比对；当预存特征信息中存在与特征信息相同的特征信息时，提示用户选择电动伸缩门的开启模式，并根据开启模式控制电动伸缩门伸缩的距离。该方法无需配备专门的控制人员，能够在对用户的识别验证通过后自动开启电动伸缩门，节省了宝贵的人力资源、实现了对电动伸缩门的“无人化”监控和管理，进而有效降低企业的运行成本。本申请还公开了一种电动伸缩门，具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN107195743A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710359384.X
申请日：2017-05-19
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/10 , H01L23/60 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/647
摘要： 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。
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公开(公告)号：CN208608218U
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201821048062.X
申请日：2018-06-29
申请人： 广东工业大学
摘要： 本实用新型公开了一种紫外LED垂直结构芯片，包括：第一衬底；位于第一衬底一表面的发光外延层，发光外延层包括：位于第一衬底表面的N型外延层，位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层；位于发光外延层背离第一衬底一侧的反射层；位于第一衬底背离发光外延层一侧的N型电极结构，及位于反射层背离第一衬底一侧的P型电极结构。相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208596699U
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201820707357.7
申请日：2018-05-11
申请人： 广东工业大学
摘要： 本实用新型公开了一种深紫外LED外延芯片封装结构包括穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到重掺杂N型AlGaN层的第一凹槽和穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到电流扩展层的第二凹槽，第一凹槽内、第二凹槽内设置有底部的第一金属层、第二金属层，侧壁的第一隔离层、第二隔离层，及填充的N型内部金属接触层和P型内部金属接触层，与设置在台面的N型电极和P型电极连接。通过在芯片内部刻蚀形成凹槽，减小了对发光区域的刻蚀以及损害，增大了有效发光面积；凹槽的设置增加了外延层内部的电流路径，起到了分流的作用，金属层以及内部金属接触层的设置缩短了传热路径，降低了热阻，提高了散热效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208271932U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201821048045.6
申请日：2018-06-29
申请人： 广东工业大学
摘要： 本实用新型公开了一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构，发光外延层包括位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层，其中，相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。此外，由于第二衬底的设置，使得更加容易将第二衬底和P型电极结构的剥离去除，而便于剩余发光结构转移连接至其他器件结构中。
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公开(公告)号：CN208208784U
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201820157154.5
申请日：2018-01-30
申请人： 广东工业大学
摘要： 本实用新型属于紫外LED领域，尤其涉及一种紫外LED垂直芯片结构。本实用新型提供了一种紫外LED垂直芯片结构，包括：依次设置的n型电极、第一衬底、第一外延层和p型电极；所述第一外延层包括依次叠加的缓冲及成核层、AlN/AlGaN超晶格和n型AlGaN层；所述缓冲及成核层与所述第一衬底叠加；所述缓冲及成核层为异质结构的BN层；所述第一衬底为微型纳米图形化蓝宝石衬底。本实用新型通过在微型纳米图形化蓝宝石衬底的表面上叠加了异质结构的BN层，BN材料熔点高、热稳定性好，最大限度地从根源上提高了紫外LED外延层结构中的材料质量以及晶体横向生长的速率、降低了位错密度、有效地缓解了异质衬底与外延层的应力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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