-
公开(公告)号：CN108565198A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810453542.2
申请日：2013-02-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H01L31/18 , H01L33/00
Abstract: 本申请涉及用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流。具体讲，本申请描述了离子注入的方法和系统，其中使用碳掺杂剂源材料实施碳掺杂。描述了各种气体混合物，包括碳掺杂剂源材料，以及用于所述碳掺杂剂的协流气体结合物。描述了在碳掺杂剂源材料中提供原位清洗，以及描述了具体的碳掺杂剂源气体、氢化物气体、氟化物气体、惰性气体、氧化物气体和其他气体的结合物。
-
公开(公告)号：CN104272433B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380019986.0
申请日：2013-02-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01L31/18 , H01L33/005
Abstract: 描述了离子注入的方法和系统，其中使用碳掺杂剂源材料实施碳掺杂。描述了各种气体混合物，包括碳掺杂剂源材料，以及用于所述碳掺杂剂的协流气体结合物。描述了在碳掺杂剂源材料中提供原位清洗，以及描述了具体的碳掺杂剂源气体、氢化物气体、氟化物气体、惰性气体、氧化物气体和其他气体的结合物。
-
公开(公告)号：CN108027106A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680050905.7
申请日：2016-07-08
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： G·M·汤姆 , W·K·奥兰德 , J·A·迪茨 , M·J·沃德金斯楷 , E·A·斯特姆 , S·K·迪马西奥 , 王录平 , J·V·麦克马纳斯 , S·M·露尔寇特 , J·I·阿尔诺 , P·J·马甘斯基 , J·D·斯威尼 , S·M·威尔逊 , S·E·毕夏普 , G·尼尔森 , J·D·卡拉瑟斯 , S·N·叶德弗 , 唐瀛 , J·德普雷斯 , B·钱伯斯 , R·雷 , D·埃尔策
CPC classification number: F16K17/003 , F16K17/04 , F16K31/002 , F16K31/0675 , F16K37/0025 , F17C13/04 , F17C2205/0338 , F17C2205/0391 , F17C2270/0518 , H02K49/106
Abstract: 本发明描述了不同类型的流体供应组件，所述流体供应组件用于输送流体到流体利用设施，例如半导体制造设施、太阳能电池板制造设施及平板显示器制造设施。所述流体供应组件包含流体供应容器及多种配置的阀头，可用于构成特性为压力调节式及/或吸附剂式的流体供应组件。
-
公开(公告)号：CN107004550A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066887.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J27/20 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/082 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
-
公开(公告)号：CN106237934A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610643193.1
申请日：2011-08-28
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 描述了一种设备，包括反应区，用于反应物气体与反应性固体在有效形成中间产物的条件下接触，和开口，用于使气体试剂未反应部分和中间产物离开反应区。本设备可有利地用于形成作为中间产物与反应物气体的反应产物的最终产物。反应物气体与反应性固体的反应可在第一反应区进行，而反应物气体与中间产物的反应在第二反应区进行。在具体实施中，反应物气体与中间产物的反应是可逆的，且反应物气体和中间产物以受控速率或以受控方式流入第二反应区，从而抑制形成反应性固体的逆反应。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103201824B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180052929.3
申请日：2011-08-28
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: B01J8/0285 , B01J8/0465 , B01J2208/00017 , B01J2208/00389 , B01J2208/00433 , B01J2208/00539 , C01B35/061
Abstract: 描述了一种设备，包括反应区，用于反应物气体与反应性固体在有效形成中间产物的条件下接触，和开口，用于使气体试剂未反应部分和中间产物离开反应区。本设备可有利地用于形成作为中间产物与反应物气体的反应产物的最终产物。反应物气体与反应性固体的反应可在第一反应区进行，而反应物气体与中间产物的反应在第二反应区进行。在具体实施中，反应物气体与中间产物的反应是可逆的，且反应物气体和中间产物以受控速率或以受控方式流入第二反应区，从而抑制形成反应性固体的逆反应。
-
公开(公告)号：CN105453225A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480025344.6
申请日：2014-03-03
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/2225
Abstract: 描述了用于掺杂物的注入的离子注入组合物、系统和方法。描述了具体的硒掺杂源组合物，以及并流气体用以实现在注入系统特征方面的优势的用途，所述注入系统特征为例如方法转变、束稳定性、源寿命、束均匀性、束流和购置成本。
-
公开(公告)号：CN103153858B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180049806.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 恩特格里斯公司
CPC classification number: C01B35/061 , C01P2006/88 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/31701 , Y02P20/134
Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。
-
公开(公告)号：CN119816923A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063290.1
申请日：2023-06-29
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/67 , H01L21/673 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种离子注入工具源和气体输送系统。所述系统可包括：包含一或多个气体供应容器的气源、连接到所述气源的离子注入机电弧室以及容纳于所述离子注入机电弧室内的镓靶。所述一或多个气体供应容器可供应氢和氟化物的气体混合物。所述氢在所述气体混合物中可占5％至60％。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.028 seconds)
