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公开(公告)号：CN104603908A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
申请人： 瓦里安半导体设备公司
摘要： 在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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公开(公告)号：CN107004550A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066887.7
申请日：2015-10-27
申请人： 恩特格里斯公司
IPC分类号： H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J27/20 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/082 , H01L21/265
摘要： 本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
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公开(公告)号：CN104603908B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
申请人： 瓦里安半导体设备公司
摘要： 本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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公开(公告)号：CN1973346B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN03815031.X
申请日：2003-06-26
申请人： 山米奎普公司
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 , 达勒·C·雅各布森
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/304 , H01L21/2658 , H01L21/3215 , H01L21/67213 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L29/66575
摘要： 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
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公开(公告)号：CN108305824A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810031852.5
申请日：2018-01-12
申请人： FEI公司
发明人： G·A·施温德 , A·P·J·M·波特曼 , S·凯洛格 , L·V·科文 , L·米尔
CPC分类号： H01J27/20 , H01J27/205 , H01J37/08 , H01J37/26 , H01J2237/006 , H01J2237/061 , H01J2237/082
摘要： 本文公开了一种碰撞电离源。一个示例性的源包括：设置为接收气体和带电粒子束的电离区域，其中带电离子束电离至少部分气体；以及设置为将气体提供到电离区域的供应管道，其中供应管道具有从输入孔向输出孔减少的非均匀高度，输出孔邻近电离区域设置。
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公开(公告)号：CN106024560A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610580329.9
申请日：2016-07-22
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号： H01J35/24 , H01J27/20 , H01J27/205 , H05H3/06
摘要： 本发明提供了一种射线管，所述射线管包括离子源、阴极、阳极，离子源的电位和阳极的电位均高于阴极的电位，离子源和阴极间形成的电场能将从离子源产生的正离子加速轰击到阴极产生中子射线和二次电子，阳极和阴极间形成的电场能将从阴极产生的二次电子加速轰击到阳极产生X射线。本发明的射线管通过共用一套供电系统，能够同时产生X射线和中子射线，具有结构紧凑、成本低、安全性好的优点。
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公开(公告)号：CN1973346A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN03815031.X
申请日：2003-06-26
申请人： 山米奎普公司
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 , 达勒·C·雅各布森
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/304 , H01L21/2658 , H01L21/3215 , H01L21/67213 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L29/66575
摘要： 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx－，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
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公开(公告)号：CN107275175A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710222521.5
申请日：2017-04-06
申请人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
CPC分类号： H01J27/20 , B03C1/023 , B03C3/383 , B03C3/41 , B03C3/47 , B03C3/60 , G21K1/087 , H01J27/022 , H01J27/26 , H01J37/08 , H01J2237/0807 , H01J37/261 , H01J2237/002 , H01J2237/022
摘要： 一种离子源，包括外壳、导电尖端、配置为将操作气体供应到尖端的附近的气体供应系统以及配置为冷却尖端的冷却系统。气体供应系统包括具有中空内部的第一管，并且在管的中空内部中提供化学吸气剂材料。
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公开(公告)号：CN101587815B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810111942.1
申请日：2008-05-19
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 公开了一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性；并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。本发明的离子源结构能够增强样品分子的电离效率，形成的样品离子集中分布在源体两侧的扁平空间内，这种离子云分布有利于提高IMS的灵敏度。另外，由于源体本身具有一定的透过率，在源体两侧产生的正负离子可以穿过源体，被分离到源体的两侧，因此能够有效地提高离子的利用效率。
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