显示装置及其制造方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1246930A

    公开(公告)日:2000-03-08

    申请号:CN98802396.2

    申请日:1998-11-06

    CPC classification number: G02B26/02

    Abstract: 具有以下构成:光波导板12,导入光10,致动器基板18,被相对于该光波导板12的一个板面设置,并且排列有与多个象素对应数量的致动器部分14;象素结构102,被形成在该致动器基板18的各致动器部分14上;挡条70,在光波导板12和致动器基板18之间,被形成在象素结构102以外的部分上。由此,能容易形成光波导板和象素结构的间隔,并且可以均匀地形成在全部象素中。

    显示元件和显示设备
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1183603A

    公开(公告)日:1998-06-03

    申请号:CN95115105.3

    申请日:1995-08-14

    Abstract: 显示元件及包括许多显示元件的显示设备。它们具有反应快,功耗小,尺寸小,屏幕亮度高,彩色显示时也无需增加象素数等特点。该元件包括有一对表面和涂敷其上至少一部分的电极对的压电膜的致动器;与电极对之一接触以支承致动器的可动弯曲部分;固定弯曲部分使其能动的固定部分,连到致动器用以传递致动器位移的装置,以及置于位移-传递装置附近的透光板。

    压电薄膜元件
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1170990A

    公开(公告)日:1998-01-21

    申请号:CN97113029.9

    申请日:1997-05-26

    CPC classification number: H01L41/0973 H01L41/047

    Abstract: 压电薄膜型元件包括接续地整体设在堆在陶瓷基片(12)上构成的压电工作层,一个单一的平薄膜型下电极(16),一压电层(18)和包括多个交替设置的条形电极(20a,20b)上的电极(20)。下电极(16)为第一电极,上电极(20)为第二电极。第一、二电极及压电层(18)构成第一压电工作装置,而第二电极及压电层(18)构成第二压电工作装置。上述压电工作层上没堆着其它的压电层。这样压电薄膜型元件可充分利用压电工作段的工作性能,作用好,尺寸紧凑及可在低电压下工作。

    外部谐振器型发光装置
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105765802B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201480063207.1

    申请日:2014-11-17

    Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模,提高波长稳定性,抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备:光波导,其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面;布拉格光栅,其形成在光波导内;以及传播部,其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)~式(5)的关系。

    外部谐振器型发光装置
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105765802A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201480063207.1

    申请日:2014-11-17

    Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模,提高波长稳定性,抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备:光波导,其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面;布拉格光栅,其形成在光波导内;以及传播部,其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)~式(5)的关系。

    氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法

    公开(公告)号:CN105658849A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201580001462.8

    申请日:2015-06-25

    CPC classification number: C30B29/38 H01L33/02

    Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板,由在大致法线方向具有单晶结构的板形成,所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造:准备取向多晶烧结体,在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层,形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致,在晶种层上,形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层,形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致,除去取向多晶烧结体,得到氮化镓自立基板。根据本发明,能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。

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