公开(公告)号：CN102779777A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210240591.0

申请日：2009-01-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  中村太一 ,  藤井知之

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67005 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/2462

Abstract: 提供一种高可靠性的接合构造及具有该接合构造的半导体制造装置，该接合构造具有埋设在陶瓷构件中的金属端子和与外部连接、或从外部供给电力的金属连接构件。实施方式中的半导体用基座（1），由氮化铝构成，具有带孔的陶瓷构件（4）、由钼构成的埋设在陶瓷构件（4）中的端子（3）、插入到孔中的与端子（3）连接的由钼构成的连接构件（5）、连接端子（3）和连接构件（5）的焊料接合层（6），焊料接合层（6）只由金（Au）构成。

公开(公告)号：CN115995374B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202210702212.9

申请日：2022-06-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  久野达也 ,  井上靖也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，减少了其对晶片的均热性的影响。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、接合层(40)、附带有台阶的孔(81)、附带有台阶的绝缘管(84)、以及供电端子(82)。附带有台阶的孔(81)具有细径的孔上部(81a)、粗径的孔下部(81b)及孔台阶部(81c)，孔上部(81a)从冷媒流路(31)的形成区域(37)通过。附带有台阶的绝缘管(84)插入于附带有台阶的孔(81)，且具有细径的管上部(84a)、粗径的管下部(84b)及管台阶部(84c)。供电端子(82)的上端与电极(27)接合。

公开(公告)号：CN119365970A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202280005647.6

申请日：2022-06-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小岛充 ,  竹林央史 ,  和气隼也

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20；导电性的基板30；气体共通通路54，其设置于基板30的内部；气体流出通路56，其以从气体共通通路54至晶片载放面的方式设置有多个；气体流入通路52，其设置成自基板30的下表面与气体共通通路54连通；以及绝缘套筒60，其为配置于基板贯通孔31且不能分离的1个部件。绝缘套筒60具有：构成气体共通通路54的一部分的第一连通孔64、以及设置成从第一连通孔64至绝缘套筒60的上表面且构成气体流出通路56的一部分的第二连通孔66。

公开(公告)号：CN113395793B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202110250161.6

申请日：2021-03-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/03 ,  H05B3/04 ,  H05B3/26 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供陶瓷加热器。陶瓷加热器(10)具备陶瓷板(12)、平面电极(14)以及电阻发热体(21)。在陶瓷板(12)中埋设有第一导通孔(51)、第二导通孔(52)、连接部(53)和增强部(54)。第一导通孔(51)是导电性的，从电阻发热体(21)朝向导通孔用贯通孔(16)设置。第二导通孔(52)是导电性的，从导通孔用贯通孔(16)朝向与电阻发热体(21)相反的一侧设置。连接部(53)是导电性的，将第一导通孔(51)与第二导通孔(52)电连接。增强部(54)在导通孔用贯通孔(16)的内侧设置于连接部(53)与导通孔用贯通孔(16)的内周面之间，由与陶瓷板(12)相同的材料制作。

公开(公告)号：CN110770877B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201880039732.8

申请日：2018-06-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H05B3/74

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具备：表面为晶圆载置面(12a)，且内置有电极(14、16)的氧化铝烧结体制的板件(12)；将该板件(12)沿厚度方向贯通的至少一个贯通孔(18)；以及经由氧化铝烧结体制且环状的第一接合层(24)接合在该板件(12)的背面(12b)的氧化铝烧结体制的绝缘管(20)(筒状部件)。

公开(公告)号：CN108475656B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201680074971.8

申请日：2016-12-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  鸟居谦悟

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 静电卡盘加热器(10)在圆盘状的陶瓷基体(30)埋设有多个发热体(20)。静电卡盘加热器(10)的作为晶片载置面的上表面(12)分为多个区，在各区且在陶瓷基体(30)埋设有具有端子(22、24)的发热体(20)。在静电卡盘加热器(10)的下表面(14)具有数量(这里为8个)比发热体(20)的总数少的端子汇聚区域(16)。全部的发热体(20)的端子(22、24)通过陶瓷基体(30)的内部而配线于任一个端子汇聚区域(16)。

公开(公告)号：CN115966449A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211052075.5

申请日：2022-08-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  井上靖也 ,  竹林央史 ,  石川征树

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其课题在于，在具备冷媒流路的晶片载放台的基础上，防止由热应力所导致的破损。晶片载放台(10)是具备供冷媒流通的冷媒流路的晶片载放台，其中，该晶片载放台(10)具备：上部基材(12)，其具备内置有电极(26)的陶瓷基材(20)，且在陶瓷基材(20)的上表面具有晶片载放面(22a)；下部基材(80)，其上表面设置有构成冷媒流路的侧壁及底部的流路沟(88)；以及密封部件(16)，其配置于上部基材(12)与下部基材(80)之间，以将冷媒流路(18)与外部之间密封。

公开(公告)号：CN115210860A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180006040.5

申请日：2021-10-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  伊藤丈予

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供半导体制造装置用构件(10)，其具备：陶瓷制的上部板(20)，其具有晶片载置面(22)，且未内置电极；导电材料制的中间板(30)，其设置于上部板(20)中的与晶片载置面(22)相反一侧的面，用作静电电极；以及陶瓷制的下部板(40)，其接合于中间板(30)中的与设置有上部板(20)的面相反一侧的面。

公开(公告)号：CN114628308A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111499114.1

申请日：2021-12-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  伊藤丈予

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种具备尺寸精度高的凹形状或凸形状的晶片载置面的半导体制造装置用构件及其制法。半导体制造装置用构件(10)具备：具有凹形状的晶片载置面(22)且内置有静电电极(24)的陶瓷制的上部板(20)；经由第一金属接合层(31)接合于上部板(20)的与晶片载置面(22)相反侧的面上的中间板(30)；以及经由第二金属接合层(32)接合于中间板(30)的与接合上部板(20)的面相反侧的面上的下部板(40)。中间板(30)的热膨胀系数大于上部板(20)和下部板(40)的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN114041323A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202080047846.4

申请日：2020-06-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  竹林央史 ,  相川贤一郎

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/74 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 一种带轴的陶瓷加热器，其具备：埋设有电阻发热体的陶瓷板；接合于陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面上的中空陶瓷轴；以沿着轴向的方式设置于陶瓷轴内周面的多个纵槽；设置于纵槽内的导电膜；以及将电阻发热体的端子与导电膜电连接的连接部件。