金属的精制方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102112638A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980130513.1

    申请日:2009-07-30

    CPC classification number: B22D27/02 B22D27/04 C01B33/037 C22B9/228 C22B61/00

    Abstract: 本发明的金属的精制方法,为对由金属形成的母材照射电子束使其熔解后,使该熔解的母材凝固,由此精制所述母材的金属的精制方法,该精制方法包括:对装填在水冷坩埚中的所述母材的表面的全部区域照射所述电子束,完全熔解所述母材的工序,其中,所述水冷坩埚配置在高真空气氛中;保持对所述熔解了的母材照射所述电子束的状态,并缓慢地减弱所述电子束的输出,从而使所述熔解了的所述母材由所述熔解了的母材的熔融金属底部向着所述电子束照射侧的熔融金属表面部缓慢地凝固的工序;和所述熔解了的母材的凝固进行至规定的比例之后,除去未凝固的熔融金属部的工序。

    成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法

    公开(公告)号:CN101163814A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200680008726.3

    申请日:2006-03-14

    Abstract: 在有效利用作为成膜材料的Dy、Tb的同时,通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系的磁铁表面高速成膜来提高生产率,能以低成本制造出永磁铁。通过在具有规定形状的铁-硼-稀土系磁铁表面上形成Dy膜的成膜工序以及通过在规定温度下实施热处理,使在表面上成膜的Dy扩散到磁铁的晶界相的扩散工序制造永磁铁。在上述情况下,成膜工序由加热实施该成膜工序的处理室,使预先配置在该处理室内的Dy蒸发,在处理室内形成具有规定的蒸汽压的Dy蒸汽气氛的第1工序,以及将保持在低于处理室内的温度上的磁铁送入处理室,在该磁铁达到规定温度之前,利用处理室内和磁铁之间的温差,使Dy选择性地附着沉积到磁铁表面的第2工序构成。

    硅精制方法及硅精制装置
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102482105A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080039072.7

    申请日:2010-09-17

    CPC classification number: C01B33/037 H05H1/44

    Abstract: 本发明的硅精制方法中,使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置,填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下,向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体,由此精制所述金属硅。

    永磁铁及永磁铁的制造方法

    公开(公告)号:CN101563738B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN200780047381.7

    申请日:2007-12-19

    Abstract: 提供一种永磁铁的制造方法,使附着在包含润滑剂的烧结磁铁表面的Dy、Tb高效扩散到晶界相中,可以高生产效率制作出高磁特性的永磁铁;其包括:第一工序,使Dy、Tb中的至少一种,附着到包含润滑剂的铁-硼-稀土类系的合金原料粉末烧结而成的烧结磁铁表面的至少一部分中;第二工序,通过在规定温度下实施热处理,使附着在烧结磁铁表面上的Dy、Tb中中的至少一种扩散到烧结磁铁的晶界相中;此时,作为烧结磁铁使用的是平均结晶粒径在4μm~8μm范围内制作的磁铁。

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