公开(公告)号：CN111584354A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010459633.4

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 蚀刻方法。本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN106457507B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201580020769.2

申请日：2015-04-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  八木圭太 ,  木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/34 ,  B24B49/02 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。

公开(公告)号：CN106863108A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611023375.5

申请日：2016-11-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  盐川阳一 ,  渡边和英

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种尽管测定位置不同也能够获得稳定的膜厚的研磨方法。在本发明的方法中，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，将晶片(W)的表面按压于研磨垫(2)，在研磨台(3)最近的规定次数旋转的期间内取得来自设置于研磨台(3)的膜厚传感器(7)的多个膜厚信号，根据多个膜厚信号决定多个测定膜厚，基于多个测定膜厚决定在晶片(W)的表面形成的凸部的最顶部的推定膜厚，基于凸部的最顶部的推定膜厚对晶片(W)的研磨进行监视。

公开(公告)号：CN102179757A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010621521.0

申请日：2010-12-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 曾根忠一 ,  本岛靖之 ,  丸山彻 ,  大野胜俊 ,  盐川阳一

IPC: B24B29/00 ,  B24B39/00 ,  B24B49/14 ,  B24B55/03 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B55/02

Abstract: 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

公开(公告)号：CN119427201A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411023365.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 木下将毅 ,  盐川阳一 ,  田上景太

IPC: B24B37/34 ,  B24B37/20 ,  B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  F17D1/14 ,  F17D3/01 ,  F17D3/18

Abstract: 本发明提供一种研磨装置，能够防止研磨液的磨粒、工件的研磨屑附着于光学传感器头，提高工件的膜厚的测定精度。研磨装置具备：研磨台(3)，该研磨台支承形成有通孔(4)的研磨垫(2)；光学膜厚测定系统(20)，该光学膜厚测定系统具有安装于研磨台(3)的光学传感器头(25)；透明液流入路(50)，该透明液流入路向通孔(4)供给透明液；以及与通孔(4)连通的投光侧透明液流出路(51)及受光侧透明液流出路(52)。光学传感器头(25)具有向斜上方发出光的投光面(71)和接收来自工件(W)的反射光的受光面(72)，投光面(71)面向投光侧透明液流出路(51)，受光面(72)面向受光侧透明液流出路(52)。

公开(公告)号：CN118848807A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410499816.7

申请日：2024-04-24

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  佐佐木俊光 ,  盐川阳一 ,  渡边夕贵 ,  椛泽雅志

IPC: B24B37/10 ,  B24B7/22 ,  B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是研磨方法、储存有使计算机动作用的程序的计算机可读取的记录介质及研磨装置，提出一种不需要事先对参照晶片进行研磨，能够一边研磨工件一边获取该工件的相对膜厚轮廓的技术。本研磨方法在工件(W)的研磨过程中，通过在工件(W)上的两点(R、M)反复生成参照光谱和监视光谱来制作参照光谱历史和监视光谱历史，计算作为最近的监视光谱与参照光谱历史内的多个参照光谱的差的多个参照历史差，计算作为最近的参照光谱与监视光谱历史内的多个监视光谱的差的多个监视历史差，基于参照历史差或监视历史差的最小点，计算监视点(M)与参照点(R)之间的膜厚差。

公开(公告)号：CN117177839A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280029035.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 椛泽雅志 ,  佐佐木俊光 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B37/015

Abstract: 本发明关于一种一边将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别关于一边基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。在研磨方法中，使用垫温度调整装置(5)将研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度调整至规定温度，并基于设于研磨垫(3)的膜厚测定器(7)的测定值，一边控制将基板(W)按压于研磨面(3a)的研磨负重，一边研磨基板(W)。

公开(公告)号：CN114536210A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111375685.4

申请日：2021-11-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边夕贵 ,  盐川阳一 ,  广尾康正

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02 ,  G01B11/06

Abstract: 提供一种能够不受噪声的影响地确定正确的研磨对象层的厚度的研磨方法、工件的研磨监视方法及研磨监视装置。本方法是用于研磨工件(W)的研磨对象层的研磨方法，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，将工件(W)按压于研磨垫(2)而对研磨对象层进行研磨，向工件(W)照射光，接收来自工件(W)的反射光，根据每个波长测定反射光的强度，生成表示强度与反射光的波长的关系的分光波形，对分光波形进行傅里叶变换处理，从而生成频率光谱，使频率光谱的波峰搜索范围根据研磨时间进行移动，确定在波峰搜索范围内的频率光谱的波峰，从而确定与所确定的波峰对应的所述研磨对象层的厚度。

公开(公告)号：CN108818295A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810707673.9

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  木下将毅

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。

公开(公告)号：CN104924198B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510125524.8

申请日：2015-03-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  八木圭太 ,  小林洋一

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B49/04 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 一种研磨装置和研磨方法，使半导体晶片的被研磨面与研磨垫相对滑动而对被研磨面进行研磨，研磨装置具有：边缘室，其通过按压半导体晶片的被研磨面的背面，而将被研磨面按压到研磨垫；膜厚测定部，其在半导体晶片的研磨中推断半导体晶片的被研磨面的残膜外形；以及闭合回路控制装置，其在半导体晶片的研磨中，根据膜厚测定部的测定结果而控制边缘室对被研磨面的背面的按压。闭合回路控制装置控制半导体晶片的研磨中的边缘室产生的按压，并对作为边缘室的周边部的挡护环的压力进行控制，边缘室的周边部对被研磨面的对于研磨垫的按压产生影响。采用本发明，可高精度地对研磨对象物进行研磨。