公开(公告)号：CN102941530B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210400827.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  关正也 ,  草宏明 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: B24B37/04 ,  B24B21/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  B24B21/004 ,  B24B21/008 ,  B24B21/20 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  B24B41/068 ,  B24B49/00 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明提供一种用于抛光基片的外周的抛光装置。该抛光装置包括配置成水平地保持基片并转动基片的旋转保持机构、设置在基片周围的多个抛光头组件、配置成将抛光带供给到多个抛光头组件并从多个抛光头组件收回抛光带的多个带供给与收回机构、以及配置成沿旋转保持机构保持的基片的径向方向移动多个抛光头组件的多个移动机构。所述带供给与收回机构沿着基片径向方向设置在多个抛光头组件的外侧，且所述带供给与收回机构被固定在位。

公开(公告)号：CN105500154A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610036726.X

申请日：2008-12-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  关正也 ,  草宏明 ,  山口健二 ,  中西正行

IPC: B24B21/00 ,  B24B21/18 ,  B24B21/20

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  B24B21/004 ,  B24B21/008 ,  B24B21/20 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/042 ,  B24B37/30 ,  B24B41/068 ,  B24B49/00 ,  Y10T428/24777 ,  B24B21/18

Abstract: 本发明提供一种用于抛光基片的外周的抛光装置。该抛光装置包括配置成水平地保持基片并转动基片的旋转保持机构、设置在基片周围的多个抛光头组件、配置成将抛光带供给到多个抛光头组件并从多个抛光头组件收回抛光带的多个带供给与收回机构、以及配置成沿旋转保持机构保持的基片的径向方向移动多个抛光头组件的多个移动机构。所述带供给与收回机构沿着基片径向方向设置在多个抛光头组件的外侧，且所述带供给与收回机构被固定在位。

公开(公告)号：CN102743974B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210110815.6

申请日：2012-04-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  前田和昭 ,  后藤正典

IPC: B01D61/02 ,  B01D61/06 ,  C02F1/44 ,  C02F103/08

CPC classification number: C02F1/441 ,  B01D61/06 ,  B01D2313/246 ,  C02F1/006 ,  C02F2103/08 ,  C02F2201/003 ,  C02F2301/022 ,  C02F2303/10 ,  Y02A20/131 ,  Y02W10/30

Abstract: 本发明提供能量交换腔以及具有该能量交换腔的海水淡化系统，该能量交换腔从腔的下方进行浓缩海水的给排水，从上方进行海水的给排水，能够在抑制浓缩海水与海水的混合的同时，进行从浓缩海水向海水的压力传递。本发明的能量交换腔在将增压的海水通入到反渗透膜分离装置(4)中而将淡水与浓缩海水分离的海水淡化系统中，具有：腔(CH)，收容浓缩海水及海水；浓缩海水口(P 1)，设在腔(CH)的下部，进行浓缩海水的给排水；海水口(P2)，设在腔(CH)的上部，进行海水的给排水；浓缩海水分散构造体(26)，与浓缩海水口(P1)连通，使浓缩海水在水平面整体上分散；和海水分散构造体(25)，与海水口(P2)连通，使海水在水平面整体上分散，被导入到腔(CH)内的浓缩海水与海水直接接触，浓缩海水与海水的压力能量实现交换。

公开(公告)号：CN103304006B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310073141.1

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  后藤正典 ,  前田和昭

IPC: B01D61/06 ,  C02F1/44 ,  C02F103/08

CPC classification number: F03B17/00 ,  B01D61/06 ,  B01D2313/246 ,  C02F1/441 ,  C02F2103/08 ,  C02F2303/10 ,  F03B13/00 ,  F05B2220/62 ,  Y02A20/131 ,  Y02W10/30

Abstract: 本发明提供一种能量回收装置，通过在腔的口附近配置两个多孔板并将多孔板的配置位置和多孔板的开口率设定为最佳范围，而能够使从口流入的局部的水流在腔截面上均匀化。本发明的能量回收装置是海水淡化系统中使用的能量回收装置，具有腔(20)、浓缩海水口(P1)、海水口(P2)、和在浓缩海水口及海水口附近分别配置两个的第一多孔板(31)和第二多孔板(32)，第一多孔板(31)及第二多孔板(32)以满足如下三个条件中的任意一个条件的方式设定，该三个条件为，第一多孔板(31)的开口率为45～60％，第二多孔板(32)的开口率为45～60％，以及第一多孔板(31)与第二多孔板(32)的距离(L2)为腔内径的0.5倍以上。

公开(公告)号：CN101332580B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200810128588.3

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  関正也 ,  草宏明 ,  伊藤贤也

IPC: B24B21/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68792

Abstract: 根据本发明的抛光装置适用于对诸如半导体晶片的衬底的周边进行抛光。该抛光装置包括保持工件的保持部分、使抛光带与工件接触的抛光头、向所述抛光头供给抛光带的供给卷轴、使已经接触过工件的抛光带重绕的重绕卷轴、以及使所述抛光头进行摇摆运动的摆动机构，其中所述摇摆运动的枢转点位于预定点上。

公开(公告)号：CN101877305B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010168158.1

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728

Abstract: 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。

公开(公告)号：CN101733696A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910225171.3

申请日：2006-04-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  白樫充彦 ,  伊藤贤也 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  関正也

IPC: B24B29/00 ,  B24B55/06

CPC classification number: B24B21/16 ,  B24B9/065 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明公开了基板抛光方法及处理方法。在一种基板抛光方法中包括：通过移动机构将基板移动到用于抛光基板外围部分的斜边抛光装置和用于抛光基板凹口的凹口抛光装置中的一个上；利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的一个，第一次抛光基板的外围部分或基板的凹口；在第一次抛光之后仅将纯水供应到基板上，以形成覆盖基板表面的水膜；在水膜形成于基板表面上的情况下，通过移动机构将基板移动到斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个上；和利用斜边抛光装置和凹口抛光装置中的另一个，第二次抛光基板的外围部分或基板凹口。

公开(公告)号：CN101687304A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023918.0

申请日：2008-07-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  草宏明 ,  关正也

IPC: B24B21/08 ,  B24B9/00 ,  B24B21/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/002 ,  B24B9/065 ,  H01L21/02021

Abstract: 本发明的研磨装置具备：研磨带(41)，具有研磨面；基板保持部(32)，保持基板(W)并使其旋转；加压垫(50)，将研磨带按压到基板保持部所保持的基板的坡口部上；以及研磨带进给机构(45)，使研磨带在其长度方向上行进。加压垫(50)具有：垫主体部(53)；板状的按压部(51)，具有隔着研磨带按压基板的坡口部的按压面(51a)和位于该按压面的相反侧的背面；以及多个连结部(52)，对按压部和垫主体部进行连结。按压部由硬质的塑料形成，在按压部的背面与垫主体部之间形成有空间(S)。

公开(公告)号：CN100550314C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680013140.6

申请日：2006-04-18

Applicant: 日本微涂料株式会社 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  白樫充彦 ,  井上和之 ,  山口健二 ,  关正也 ,  佐藤觉 ,  渡边淳 ,  加藤健二 ,  田村淳 ,  浅川荘一

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00

CPC classification number: B24B9/065 ,  B24B21/16

Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。

公开(公告)号：CN101522368A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037179.6

申请日：2007-10-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥圭瑞 ,  伊藤贤也 ,  关正也 ,  草宏明

IPC: B24B21/20 ,  B24B21/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B21/20 ,  B24B21/004 ,  B24B21/04

Abstract: 本发明提供一种能够在研磨前通过简单的操作算出研磨带供给卷轴和研磨带回收卷轴的研磨带卷绕体的外径，能够根据该外径算出研磨带的剩余量、使用量等的研磨装置及研磨方法。研磨装置具有研磨带供给卷轴(46)、研磨头(44)和研磨带拉出机构(G1)，并且具有经过研磨头(44)从研磨带供给卷轴(46)回收研磨带(43)的研磨带供给/回收机构(45)。研磨带供给/回收机构(45)具有给研磨带供给卷轴(46)施加旋转转矩、给经过研磨头(44)的研磨带(43)施加预定张力的马达(Mb)，以及检测该研磨带供给卷轴(46)的旋转角度的旋转角度检测器(REa)。