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公开(公告)号：CN111199852A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811363820.1
申请日：2018-11-16
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
Abstract: 本发明涉及电子发射装置领域，具体涉及一种光诱导场致发射阴极电子发射装置。本装置包括阴极、阳极、发光器件、光学组件、直流高压电源，阴极与阳极连接到高压直流电源；阴极与阳极平行，都垂直于水平线，阴极表面为的薄膜材料覆盖，在单色光作用下，阴极上的薄膜材料表面内电子获得光子的能量而产生自由载流子吸收、晶格吸收或激子吸收产生较高能量电子。本装置在不影响阴极电子发射装置微型化的基础上，有效地提高场致发射阴极电子源的发射电子的电流密度，同时有效降低场致电子发射对电源的要求，并且可实现表面优异的电子发射特性和优异的导电性能的结合，进而获得优异的场致发射特性。
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公开(公告)号：CN110016648A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810021695.X
申请日：2018-01-10
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
Abstract: 发明属于电子器件制备技术领域，具体为一种适用于高温压电传感器的绝缘隔离涂层制备方法，中心柱前处理之后进行安装固定，之后放入真空室加热烘烤除气，再溅射清洗后进行过渡层沉积和绝缘隔离涂层沉积。采用在中心支撑结构上沉积微米级陶瓷性金属氧化物或氮化物作为绝缘隔离涂层，实现内部正、负引线结构的绝缘隔离，该涂层可具有稳定的绝缘性能和较高的膜层结合力，可解决在高温、高冲击等恶劣环境条件下，传统绝缘套管在高温下线性膨胀及分解等问题，实现部件完整性，以提高电子器件的稳定性和准确性，产品质量更为稳定。
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公开(公告)号：CN103903930B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210574543.5
申请日：2012-12-26
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H01J1/02
Abstract: 本发明一种辉光放电电极，具体公开一种具有缝隙电绝缘结构的辉光放电电极，该电极包括真空引线、设置在真空引线一端的电极、套在真空引线和电极外的屏蔽罩，所述的屏蔽罩与真空引线之间设有绝缘子，电极、真空引线与屏蔽罩之间均形成缝隙；所述的缝隙的间距为5～20mm，绝缘子远离电极的头部，绝缘子为纯度大于等于的Al2O3陶瓷材料。本发明的电极结构简单；具有良好的电绝缘性能和耐中子辐照性能；同时能够避免对周围系统产生寄生放电和射频干扰；无需定期维修，或延长定期维修间隔时间，满足聚变实验堆对回光放电电极的安全性和可靠性要求。该电极既适用于聚变实验堆，也适用于某些有特殊要求的超高真空装置的辉光放电电极。
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公开(公告)号：CN117467929B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311834567.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及高分子材料表面处理技术领域，具体公开了一种高分子材料表面金属化处理方法，包括以下步骤：S1、高分子基材表面的离子束溅射清洗：采用低能射频气体离子源对高分子基材表面进行离子束溅射清洗；S2、高分子基材表面的高能气体离子注入：采用高能气体离子源对高分子基材表面进行高能气体离子注入；S3、高分子基材的表面金属化处理。本发明采用高、低能气体离子源综合处理高分子基材，能够大幅提高高分子基材的表面自由能，使表面金属膜层与高分子基材具有较高的剥离强度和附着力，使处理后的高分子基材粘结强度高、性能稳定，且该处理方法具有工艺简单、生产效率高、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117542718A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487217.5
申请日：2023-11-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置，包括放电仓和中性粒子束产生机构，放电仓外设有射频天线，射频天线连有脉冲射频电源，以使放电仓内形成等离子体；中性粒子束产生机构包括气路电极、引出产生栅极及偏压电源组，气路电极和引出产生栅极通过偏压电源组连接，并分别设于放电仓相对的两侧，以对等离子体中的负离子加速，使负离子通过引出产生栅极射出形成中性粒子束；引出产生栅极能够对负离子进行减速及中性化处理。其能够解决等离子刻蚀时会使基片表面产生损伤或缺陷的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114302546B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN116322281A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310277998.9
申请日：2023-03-21
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种利于提高第二代高温超导载流性能的处理方法、超导层、超导材料，处理方法包括：在未经氧化热处理的超导层上进行离子注入，在超导层内引入纳米级缺陷注入离子的种类包括非金属气体离子和金属离子；然后在超导层注入离子处理后的表面镀银膜，然后进行高温氧化热处理，使至少部分纳米级缺陷在注入离子和氧化处理作用下形成纳米氧化物颗粒。本发明的处理方法利于提高超导带材的载流性能，且成本相对较低。
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公开(公告)号：CN116180187A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211411580.4
申请日：2022-11-11
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中广核研究院有限公司
IPC: C25D11/26
Abstract: 本发明公开了一种微弧氧化电解液和反应堆锆合金表面涂层的制备方法，微弧氧化电解液包括溶剂和电解质，其中：溶剂的电导率为0～5μs/cm；电解质包括氢氧化锂和/或硼酸锂，氢氧化锂的浓度为3～10g/L，硼酸锂的浓度为3～10g/L；一种反应堆锆合金表面涂层的制备方法，包括：对反应堆锆合金表面进行预处理，使得反应堆锆合金表面的粗糙度Ra
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公开(公告)号：CN115696711A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211483600.9
申请日：2022-11-24
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 内江师范学院
Abstract: 本发明属于等离子体发生器技术领域，具体公开了一种介质阻挡放电无间隙一体化电极的制备方法，该方法包括：步骤(1)：加工并清洗金属电极；步骤(2)：配制等离子体电化学氧化电解液；步骤(3)：对清洗好的金属电极，进行等离子体电化学氧化处理，金属电极表面原位生长陶瓷介质涂层；步骤(4)：对等离子体电化学氧化处理后的金属电极进行机械加工，形成无间隙一体化电极；步骤(5)：采用两块无间隙一体化电极，介质层相对并接上电源，形成介质阻挡放电无间隙一体化电极。本发明能够有效解决现有技术中金属电极与电介质层覆盖或嵌套不紧密，导致介质阻挡放电介质间的等离子体放电减弱、能量利用效率降低等问题。
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公开(公告)号：CN112859142B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110098750.7
申请日：2021-01-25
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中国核动力研究设计院
IPC: G01T1/18
Abstract: 本发明公开了一种管壁中子灵敏层制备方法及正比计数管，本发明利用磁控溅射方式制备硼中子灵敏层，该法制备的硼灵敏层与金属管体材料的可控性好、界面结合力强，涂层纯度高、结构单一、致密度高，探测数据更加准确可靠。本发明的制备方法适用于正比计数器的管壁中子灵敏层的制备，同时也适用于其他需要涂层的管件。
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