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公开(公告)号：CN109628911A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811597699.9
申请日：2018-12-25
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/513
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/44 , C23C16/513
摘要： 本发明公开了一种消除等离子体化学气相淀积首片效应的方法，属于集成电路制造技术领域。通过CVD设备腔体经过刻蚀性气体清洁腔体和基座表面后，增加“加热”步骤，对整个腔体环境进行改善；所述“加热”步骤为提高CVD设备腔体环境温度。本发明适用于采用等离子体沉积介质薄膜工艺，通过工艺的优化和改进可以明显消除等离子体化学气相淀积系统的首片效应。本发明效率高，节省成本，可以有效地消除CVD设备淀积薄膜的首片效应，有利于提高工艺的稳定性和片间厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN109502575A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811597700.8
申请日：2018-12-25
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明公开了一种化学气相淀积制备大面积石墨烯的方法，属于石墨烯制备技术领域。首先在表面清洁的衬底上外延生长异质衬底，并对外延生长异质衬底进行退火；然后向CVD腔体内通入碳源后进行退火操作，在所述异质衬底的表面生长得到石墨烯；最后在氢气及惰性气体氛围中冷却至室温，得到大面积石墨烯。本发明提高了石墨烯的成核密度，增加了石墨烯的生长速度，实现了石墨烯大规模商业化应用。
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公开(公告)号：CN114752918A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110023554.3
申请日：2021-01-08
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明提供一种腔室的清洗方法，该方法先关闭ICP‑CVD反应腔室的分子泵，用干泵抽真空；通入清洗气体高频电源启辉，形成清洗气体的等离子体对腔室内进行清洗，在该过程中间歇启动低频电源；然后关闭干泵，启动分子泵抽真空；通入清洗气体，启动高频电源对腔室进行清洗，在该过程中间歇启动低频电源，完成腔室的清洗。该清洗方法使用常规的含氟气体、惰性气体和含氧气体在腔室内进行等离子清洗作业；通过双工艺规控制程序来控制不同的腔压条件及射频条件对腔室顶部，边缘，底部进行清洗；同时通过流程的切换来保证对腔室材料的损伤降至最低；减少腔室内由于清洗过程及腔室损伤带来的颗粒问题。
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公开(公告)号：CN111370282B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201811598157.3
申请日：2018-12-26
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法，所采用的清洗气体包括CF4和N2O。本发明能够有效解决小型研究机构所使用的Si系等离子增强化学气相沉积腔室清洗问题，可以杜绝气路被污染甚至被堵的风险，提高设备的可靠性，延长设备维护周期，提高生产效率，降低颗粒污染，提高产品品质。
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公开(公告)号：CN113130366A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110285687.8
申请日：2021-03-17
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本申请公开了一种晶圆扫描用喷嘴及其系统与应用，包括喷嘴主体、喷嘴外腔、抽气嘴和匀气网，所述喷嘴主体作为主要输送管道，喷嘴主体底部连接匀气网一端，匀气网另一端与喷嘴外腔底部相连，喷嘴外腔顶部与喷嘴主体相连，所述喷嘴外腔与匀气网和喷嘴主体中间的部分形成抽气腔，抽气嘴一端设在喷嘴外腔上并与抽气腔相连，抽气嘴另一端往外连接真空设备、负压设备或尾排口。由于匀气网的匀气调节作用，使得更大面积的液的受到不同作用的负压吸附作用，使得大面积的液珠不会脱落，达到期望使用的大面积喷涂的效果；并且，通过调压控压系统可实现液滴的大小控制，满足多种需求。
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公开(公告)号：CN111336792A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811558316.7
申请日：2018-12-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种干燥微水珠的腔体，所述微水珠含有腐蚀性、挥发性液体。其腔体包括腔体基座、密封罩、晶圆检测传感器、晶圆升降系统及加热盘，其中，所述密封罩安装于所述腔体基座上，在其一个竖直面设有自动门来传送晶圆，所述腔体基座设置有排风接口，所述排风接口与厂务酸碱排风系统相连接，所述晶圆升降系统包括传动机构和顶针，所述传动机构安装于所述腔体基座上，所述顶针与所述传动机构相连接，所述传动机构带动所述顶针穿透所述加热盘升降，使晶圆在所述加热盘上升降，所述晶圆检测传感器位于所述密封罩外顶部，用于检测所述加热盘上是否有晶圆以及晶圆是否与水平面平行。本发明的干燥微水珠的腔体有效降低了生产成本，提高了工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN111218665A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010051521.5
申请日：2020-01-17
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/02
摘要： 本发明提供一种柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法，包括提供衬底，并在所述衬底上形成柔性基底；通过电感耦合等离子体化学气相沉积法在所述柔性基底上沉积光学可调的氮化硅薄膜，其中沉积温度为25-150℃，并通入反应载气，所述反应载气包括硅气源和氮气源，所述氮气源和所述硅气源流量比为0.5-16，所述氮化硅薄膜厚度为30nm-1000nm；采用物理机械或化学方法将所述柔性基底从所述衬底上剥离；具有有益效果：在柔性基底上低温沉积光学性能可调的氮化硅薄膜，不会软化或熔融柔性基底，通过调整的氮气源和硅气源流量比获得不同折射率的氮化硅薄膜，可应用于可见光波段低损耗波导，扩展以氮化硅为光学器件材料应用的范围和形式。
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公开(公告)号：CN111195852A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811376951.3
申请日：2018-11-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： B24B29/02
摘要： 本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。该平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置包括：晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。本发明能够实现无损、无盲区地去除器件侧壁的黏附层和损伤层。
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公开(公告)号：CN111162005A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811325940.2
申请日：2018-11-08
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L43/08 , H01L43/12 , G11C11/16
摘要： 本发明公开一种多层磁性隧道结刻蚀方法和MRAM器件。在不中断真空的情况下依据特定的步骤对晶圆进行加工，至少分别使用一次反应离子等离子体刻蚀腔室和离子束刻蚀腔室。对多层磁性隧道结的加工过程一直处在真空环境中，避免了外界环境对刻蚀的影响。通过刻蚀和清洗结合的工艺使器件结构维持了较好的陡直度，并且大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤，极大的提高了器件的性能和可靠性。另外，离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用，克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题，提高了生产效率和刻蚀工艺精度。
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公开(公告)号：CN110643970A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910981191.7
申请日：2019-10-16
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开了一种从III-V材料上，如III-V衬底或者和其之上形成的III-V器件结构，镀高粘附性薄膜的方法，具体是在PECVD反应腔室内采用非反应惰性气体等离子轰击III-V衬底及III-V器件结构，以去除III-V材料上的自然氧化层（如氧化铟、氧化镓等），然后再进行PECVD方式镀膜；所述非反应惰性气体选自氩气（Ar）、氦气（He）、氙气（Xe）、氖气（Ne）或氢气（H）2。本发明通过非反应惰性气体的等离子轰击，在不破真空环境下有效去除III-V自然氧化层，然后完成镀膜从而杜绝薄膜粘附性的问题。
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