-
公开(公告)号：CN118734915A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411224497.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 湖北大学
IPC: G06N3/063 , G11C13/00 , G06N3/0464
Abstract: 本发明通过权重冻结搭建忆阻器阵列，尤其适用于RRAM共享阵列，我们增强了多个独立神经网络模型之间的关联性，并将传统方案中需要单独设计的卷积模块扩展为共享设计。这意味着一个RRAM权重阵列可以参与多个任务的计算，从而提高了神经网络加速器架构的资源利用率，从而实现在存内计算架构中搭建存内计算共享模块，这不仅能优化硬件资源配置，还能降低设计成本，从而为部署多个神经网络模型进行多任务处理提供了一个更为高效和经济的方案。
-
公开(公告)号：CN118398896A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410584067.8
申请日：2024-05-11
Applicant: 湖北大学
IPC: H01M10/0567 , H01M10/0525 , H01M10/054 , H01M10/36 , H01G11/64 , H01G11/58
Abstract: 本发明公开了一种含一价碱金属阳离子添加剂的电解液及其在储能设备中的应用，属于新能源技术领域。锌阳极侧的不均匀锌沉积和界面副反应制约了水系锌离子电池的大规模储能发展，本发明通过在1M ZnSO4溶液中引入高还原电位的一价碱金属阳离子助力锌均匀沉积。共异性研究筛选出最好的K+添加剂，发现Zeta电位和差分电荷图显示阳离子参与到锌电极界面EDL结构，阻抗测试拟合K+添加剂的活化能最低，Zn最易脱溶剂沉积成核。利用分子动力学计算可知K+优先吸附于锌表面，静电力作用均匀锌沉积。本发明阐述了K+竞争吸附锌阳极界面，挤兑双电层内亥姆霍兹层的锌沉积，均匀分布机制，实现锌钒电池高可逆循环，为未来的新型储能装置的设计提供了一个新思路。
-
公开(公告)号：CN118387842A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410486526.9
申请日：2024-04-22
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米花状MoSe2颗粒及其制备方法和在忆阻器中的应用，属于纳米材料和薄膜器件技术领域。本发明以Se粉为Se源，钼酸钠为Mo源，NaBH4为还原剂，溶剂热法的合成方式制备MoSe2，并采用XRD、SEM、XPS、EDS和拉曼光谱等表征手段对材料进行表征来验证合成的MoSe2。接着，本发明采用一步旋涂法旋涂MoSe2悬浮液在ITO导电玻璃上制备MoSe2薄膜，通过在薄膜上蒸镀Al或Ag电极来探究Al/MoSe2/ITO和Ag/MoSe2/ITO忆阻器的阻变性能。本发明不仅探究操作电压与限制电流对MoSe2忆阻器阻变性能的影响，本发明还采用PET为基底制备了柔性MoSe2忆阻器并对其性能进行探究，研究MoSe2忆阻器在可穿戴器件上的发展。
-
公开(公告)号：CN113066927B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110170101.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
-
公开(公告)号：CN113130744A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108400339B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810167221.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 湖北大学
IPC: H01M4/66 , H01M10/0525 , H01G11/68 , H01G11/70
Abstract: 本发明涉及一种镍布集流体的制备方法及其应用，属于柔性集流体技术领域。本发明的制备方法是以纱布为基底，依次将基底进行粗化、敏化活化、还原及化学镀镍及后处理工艺，从而使金属导电镍层均匀包覆在基底的纤维上，从而制得所述的镍布集流体。本发明利用一步法敏化活化处理纯棉脱脂纱布，能够大大简化操作程序，提高产品的合格率，且本发明采用常温碱性化学镀液，避免了高温条件下镀液不稳定，造成镀液浪费，有利于溶液的维护，便于操作。另外，利用本发明的镍布集流体制得的锂离子电池和超级电容器，界面内阻小，能量密度高，赝电容高，大大提高了电池的生产效率，降低了生产成本，适用于工业化规模大生产。
-
公开(公告)号：CN110729137A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911013132.7
申请日：2019-10-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种泡沫镍自支撑镍纳米管超级电容器电极材料的制备方法，步骤如下：先对泡沫镍进行预处理；然后采用水热法或电沉积法在预处理后的泡沫镍表面生长氧化锌纳米棒；再在所述氧化锌纳米棒表面电沉积单质镍层，得到氧化锌@镍核壳结构；最后将氧化锌@镍核壳结构煅烧、刻蚀即可。本发明制备过程方便简单，绿色环保，成本低廉，解决了传统工艺中材料含杂质过多，操作繁琐等问题，从另一个方向构建出一种含新型镍纳米管的超级电容器储能材料。另外，本发明通过在泡沫镍表面生长镍纳米管来作为导电良好、结构稳定的自支撑电极材料，同时中空管状结构能够提供更大的比表面积，在提高导电性能的同时又保证了整个电容器充放电的循环稳定性。
-
公开(公告)号：CN107275106B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710524566.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开一种超级电容器用复合电极及其制备方法，其包括泡沫镍、镍纳米线以及Ni‑Co化合物，镍纳米线、Ni‑Co化合物由外向内依次对称设置在泡沫镍两侧，镍纳米线生长在泡沫镍上作为集流体和Ni‑Co化合物活性材料的生长基底。通过在泡沫镍上生长镍纳米线作为集流体，有效提高了集流体的活性物质担载量，并提升了单位面积电荷存储能力；同时，所述镍纳米线作为NiCo化合物活性材料的生长基底，促进了电极的倍率特性和循环寿命，并表现出突出的电化学性能。且本发明所述超级电容器用复合电极的制备方法简便、成本低廉，得到的NiCo化合物/镍纳米线/泡沫镍复合电极是一个比容量高、循环稳定性强的超级电容器用复合电极。
-
公开(公告)号：CN118734915B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411224497.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 湖北大学
IPC: G06N3/063 , G11C13/00 , G06N3/0464
Abstract: 本发明通过权重冻结搭建忆阻器阵列，尤其适用于RRAM共享阵列，我们增强了多个独立神经网络模型之间的关联性，并将传统方案中需要单独设计的卷积模块扩展为共享设计。这意味着一个RRAM权重阵列可以参与多个任务的计算，从而提高了神经网络加速器架构的资源利用率，从而实现在存内计算架构中搭建存内计算共享模块，这不仅能优化硬件资源配置，还能降低设计成本，从而为部署多个神经网络模型进行多任务处理提供了一个更为高效和经济的方案。
-
公开(公告)号：CN113113538B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
Abstract: 且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗 有提升。串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
93
records
(took 0.132 seconds)
