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公开(公告)号：CN106784064A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611095712.1
申请日：2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , C22C28/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0264 , C22C28/00 , H01L31/18
Abstract: 一种GeBi合金薄膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。包括P型硅衬底，以及采用分子束外延方法形成于P型硅衬底之上的厚度为150～660nm的GeBi合金薄膜。本发明通过控制锗源、铋源的温度和生长时间，制备得到了铋含量高达32.8％的GeBi合金薄膜，远远超过了GeBi合金的最大固溶率，有效提升了薄膜的导电性能；本发明制备得到的GeBi合金薄膜的应用波长范围可完全覆盖C波段和L波段，且截止波长超过2.3μm，可广泛应用于红外光电探测器。
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公开(公告)号：CN104201480B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410338832.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种新型LTCC叠层圆极化微带天线，克服现有微带贴片天线在难以兼顾高增益、宽频带、圆极化以及小型化多方面性能的缺陷。该新型微带天线基于LTCC技术，增加了耦合贴片的数量，优化了现有的一个激励贴片对应一个耦合贴片的传统模式，有效提高微带天线增益，天线单元增益较传统天线单元增益提高了50％以上，中心频率处辐射效率在90％以上，在很宽的频带内具有高增益、高辐射效率，并且天线具有较好的圆极化特性，能够更好地兼顾微带贴片天线高增益、宽频带以及圆极化的性能要求。在要求一定的增益时，利用该天线单元组阵相比传统天线单元有效的减小了天线阵列的面积，实现高增益天线的小型化设计。
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公开(公告)号：CN105892103A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610223600.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/762
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2203/13 , H01L21/7624 , H01L29/1606 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极?双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。
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公开(公告)号：CN105609960A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610055964.5
申请日：2016-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种带背腔结构的平面螺旋天线，属于微波器件领域。包括输入输出端口、指数渐变巴伦、平面螺旋天线、介质板和金属背腔，所述指数渐变巴伦包括平衡端和非平衡端，所述平衡端连接平面螺旋天线的两臂，所述非平衡端连接输入输出端口，所述指数渐变巴伦由金属背腔包裹；其特征在于，所述金属背腔为阶梯状结构，阶梯由平衡端到非平衡端方向上呈上升趋势。本发明平面螺旋天线采用新型的阶梯状背腔结构，实现了8-18GHz的宽带范围内驻波比小于1.45，具有较好的抗干扰能力，改善了平面螺旋天线的性能。
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公开(公告)号：CN105449319A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510970286.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/18
CPC classification number: H01P1/181
Abstract: 一种带状线式铁氧体移相器，属于微波通信器件领域。自下而上依次为第一铁氧体层、第一介质层、第二介质层和第二铁氧体层，铁氧体移相器中心开一通孔，以通孔为中心的四个方向上分别为激励线圈结构、第一单元结构、第二单元结构和第三单元结构，所述单元结构包括位于第一介质层和第二介质层之间的带状线结构以及贯穿铁氧体移相器的金属柱。本发明带状线式铁氧体移相器在兼顾插入损耗和平均功率方面的优异性能的同时，能显著减小铁氧体移相器的体积，实现与有源电路的集成；且无需考虑介质材料与铁氧体材料的匹配问题，大大减小了工艺难度；将三个移相器单元集成于一个移相器空间内，增加了集成度，提高了磁化线的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105356021A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510579771.5
申请日：2015-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一体化腔体带通滤波器和低通滤波器组件，属于微波器件领域。该组件由一个腔体带通滤波器和一个腔体低通滤波器连接组成且整体连接组合为一体，腔体低通滤波器和带通滤波器通过腔体低通滤波器中的内导体进行匹配连接，腔体低通滤波器的内导体与腔体带通滤波器的金属谐振柱固定连接，腔体低通滤波器为糖葫芦式滤波器，腔体带通滤波器为交趾或梳状滤波器；腔体低通滤波器和带通滤波器为同轴滤波器且均为多阶滤波器。本发明主要针对腔体带通滤波器和腔体低通滤波器，采用将腔体低通滤波器中的内导体与腔体带通滤波器中的金属谐振柱固定连接的方式实现了低通滤波器和带通滤波器的一体化，减小了器件体积，方法简单，并实现了滤波器高谐波抑制的要求。
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公开(公告)号：CN104402427A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410705259.6
申请日：2014-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性材料技术领域。所述低矫顽力LiZnTi旋磁铁氧体材料由主料、玻璃相助烧剂和助熔剂构成，其中主料的重量百分比为99.5％～99.8％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0.1％～0.4％，助熔剂重量百分比为0.1％，所述主料为Li0.42Zn0.28Ti0.13Fe2.17O4，所述玻璃相助烧剂由原料按照质量比ZnO：Bi2O3：SiO2,：Li2CO3＝5:3:1:1配制，所述助熔剂为粒径小于100nm的Al2O3纳米粉。本发明实现了LiZnTi铁氧体在低温(900～940℃)下的烧结和制备，并得到矫顽力低的铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN104195552A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410338437.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/02381 , H01L21/02565
Abstract: 本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO2薄膜的方法，用以提高VO2薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al2O3缓冲层，最后采用反应磁控溅射法以制备有Al2O3缓冲层的Si基底为衬底，溅射制备VO2薄膜。本发明工艺简单，易于实现；制备的Si基VO2薄膜具有极强的择优取向，成膜质量高，也更接近于金红石型VO2；通过Al2O3缓冲层的引入，减小了相变弛豫时间，也极大的提高了电阻变化率，本发明引入的Al2O3缓冲层厚度仅为25nm，并不会造成Si基VO2薄膜在作为电致开关或者电致存储器件时其阈值电压过大；本发明对推进VO2薄膜在半导体器件中的应用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN101943803A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010218977.2
申请日：2010-07-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 一种用于太赫兹波调制的结构材料，属于电子技术领域。该结构材料包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其中介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板，电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。本发明采用对太赫兹波高度透明的介质材料作为基板，具有非常小且稳定的太赫兹波吸收损耗；采用高速相变材料一二氧化钒薄膜制作电磁共振器阵列，借助于热或激光调制，通过激发二氧化钒薄膜的相变来实现太赫兹波的调制。相对于现有的基于金属电磁共振器阵列的太赫兹调制器，本发明具有更大的调制深度。
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公开(公告)号：CN101895196A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010227239.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/24
Abstract: 次级电流采样的电流型多路输出DC-DC开关电源，属于电子技术领域。该开关电源主变压器T1次级侧至少包括两路输出电路，在对其中一路输出电路的输出电压进行电压采样的同时，在该输出电路的整流续流电路和与该输出电路相连的主变压器T1的次级绕组之间还串联了一个耦合变压器T2，在耦合变压器T2的次级通过电流采样电路对耦合电流进行采样。本发明电压采样电路和电流采样电路是针对同一路输出电路进行电压采样和电流采样，这样所得的电流采样信号完全不受其它路输出电流和变压器T1初级励磁电流的影响，实现了对同一输出电路输出电流的精确采样；同时采样耦合变压器T2还保证了电源的初次级相互隔离。
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