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公开(公告)号：CN116529673A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180079702.1
申请日：2021-11-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 公开了一种确定量测过程的性能指标的方法，包括：获得第一测量数据，该第一测量数据与第一测量条件集合有关；以及基于所述第一测量数据来确定第一测量选配方案。根据所述第一测量数据的、从分量分析或统计分解获得的一个或多个分量来确定所述至少一个性能指标。可替代地，至少一个性能指标根据与所述第一测量选配方案有关的一个或多个第一测量值和与第二测量选配方案有关的一个或者多个第二测量值的比较而被确定，其中第二测量选配方案与所述第一测量数据不同并且与第二测量条件集合有关，所述第二测量条件集合与所述第一测量条件集合不同。
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公开(公告)号：CN111133384B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201880061025.9
申请日：2018-09-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J·J·杰克 , S·G·J·马斯杰森 , K·布哈塔查里亚 , 张源宰 , 边珍武
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于确定图案化过程参数的方法，该方法包括：针对目标，从利用包括中心波长的辐射照射该目标所获得的数据计算中间参数的第一值；针对该目标，从利用包括两种不同中心波长的辐射照射该目标所获得的数据计算该中间参数的第二值；并且基于该中间参数的第一值和第二值计算图案化过程参数的组合测量。
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公开(公告)号：CN114144732A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080053489.2
申请日：2020-07-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , 张耕辅 , S·G·J·马斯杰森
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了用于确定关于目标结构的信息的方法和系统。在一种布置中，获得针对目标结构的不对称指示符的值。不对称指示符的值表示目标结构中套刻无关不对称的量。估计在先前时间对目标结构执行的初始套刻测量中的误差。使用所获得的不对称指示符的值和以下项之间的关系来执行该估计：不对称指示符的值与至少部分地由套刻无关不对称引起的套刻测量误差。使用初始套刻测量和估计误差来确定目标结构中的套刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110553602B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910871671.8
申请日：2015-10-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种度量方法、计算机产品和系统，包括根据目标的测量值来确定目标的结构不对称的类型，以及执行目标的光学测量的模拟以确定与不对称类型相关联的不对称参数的值。一种方法包括执行目标的光学测量的模拟以确定与根据目标的测量值确定的目标的结构不对称的类型相关联的不对称参数的值，以及分析不对称参数对于与目标相关联的目标形成参数的变化的敏感度。一种方法包括使用被目标衍射的辐射的测量参数来确定目标的结构不对称参数，以及基于对于与目标相关联的目标形成参数的变化最不敏感的结构不对称参数来确定目标的测量光束的属性。
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公开(公告)号：CN109073992B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201780025162.2
申请日：2017-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法，包括：获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量，该测量是使用测量辐射获得的；以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数，其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正，堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标之间的物理配置中的非设计差异。
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公开(公告)号：CN111736436A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010721198.8
申请日：2017-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/47
Abstract: 一种方法，包括：获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量，该测量是使用测量辐射获得的；以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数，其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正，堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标之间的物理配置中的非设计差异。
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公开(公告)号：CN107111250B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580071813.2
申请日：2015-10-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括根据目标的测量值来确定目标的结构不对称的类型，以及执行目标的光学测量的模拟以确定与不对称类型相关联的不对称参数的值。一种方法包括执行目标的光学测量的模拟以确定与根据目标的测量值确定的目标的结构不对称的类型相关联的不对称参数的值，以及分析不对称参数对于与目标相关联的目标形成参数的变化的敏感度。一种方法包括使用被目标衍射的辐射的测量参数来确定目标的结构不对称参数，以及基于对于与目标相关联的目标形成参数的变化最不敏感的结构不对称参数来确定目标的测量光束的属性。
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公开(公告)号：CN105980932B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括:照射目标,该目标具有交替的第和第二结构,其中第二结构的形式是依赖于焦距的,而第结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性;以及检测由目标重定向的辐射,以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量,其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。种用于形成这种目标的相关联的掩模和种具有这种目标的衬底。
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