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公开(公告)号：CN105980932B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括:照射目标,该目标具有交替的第和第二结构,其中第二结构的形式是依赖于焦距的,而第结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性;以及检测由目标重定向的辐射,以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量,其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。种用于形成这种目标的相关联的掩模和种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN114616524A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080076347.8
申请日：2020-10-12
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
Inventor： A·阿尔萨卡 , F·厄尔-古森 , L·G·M·克塞尔斯 , R·雷兹瓦尼·纳拉吉 , K·肖梅 , T·A·布伦纳 , S·索科洛夫
IPC: G03F9/00
Abstract: 校准系统包括板、固定对准标记和可变衍射光栅。该板与被设置在晶片上的晶片对准标记相邻。固定对准标记被设置在板上，并被配置为用作校准系统的初始校准的参考标记。该可变衍射光栅被设置在板上，并且包括被配置为形成多个可变对准标记的多个单元体。可变衍射光栅被配置为对可变对准标记中的一个可变对准标记与固定对准标记的级间偏移进行校准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108931891B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN108931891A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN105980932A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN1892432B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610093679.9
申请日：2006-06-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·C·雷杰能 , A·马卡罗威 , L·G·M·克塞尔斯 , S·尼天诺夫 , P·W·J·M·坎帕 , K·H·智洛夫
CPC classification number: G03F7/70291
Abstract: 本发明包括光刻装置和使用构图部件的器件制造方法，该光刻装置和器件制造方法增加了被同时编程的单独可控元件的数量，以便增大单独可控元件阵列的更新速度。减小了阵列所需的高速模拟输入的数量。减小了阵列的复杂程度，并增大了阵列的最大更新速度。此外，阵列中元件的数量可以容易地进行扩充。构图部件可以分成多组单元，光刻装置包括多个供给通道。每个供给通道可以布置成向相应单元组中的每个单元提供电压信号。这样可以减小为了单独对每个单元寻址而需要的构图部件的输入的数量。
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公开(公告)号：CN1892432A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610093679.9
申请日：2006-06-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·C·雷杰能 , A·马卡罗威 , L·G·M·克塞尔斯 , S·尼天诺夫 , P·W·J·M·坎帕 , K·H·智洛夫
CPC classification number: G03F7/70291
Abstract: 本发明包括光刻装置和使用构图部件的器件制造方法，该光刻装置和器件制造方法增加了被同时编程的单独可控元件的数量，以便增大单独可控元件阵列的更新速度。减小了阵列所需的高速模拟输入的数量。减小了阵列的复杂程度，并增大了阵列的最大更新速度。此外，阵列中元件的数量可以容易地进行扩充。构图部件可以分成多组单元，光刻装置包括多个供给通道。每个供给通道可以布置成向相应单元组中的每个单元提供电压信号。这样可以减小为了单独对每个单元寻址而需要的构图部件的输入的数量。
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