-
公开(公告)号：CN119452304A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380048896.8
申请日：2023-07-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 描述了一种用于生成掩模图案设计以用于使用光刻装置在衬底上对图案进行成像的方法和系统。这些方法包括标识光刻工艺中位于两个相邻曝光场之间的区域，并且基于规定的背景强度标准来确定要放置在掩模图案设计的吸收层的区域中的亚分辨率特征的位置和几何形状。确定诸如亚分辨率特征的节距和关键尺寸(CD)等几何参数以及诸如套刻参数和线端距离等位置参数，以帮助设计和定位吸收层中的亚分辨率特征，从而使吸收层的镜面反射最小化。位置参数还可以帮助拼接相邻曝光场的图像。
-
公开(公告)号：CN105980932A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113508338B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202080015560.8
申请日：2020-02-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 该文档中提供了一种确定用于在衬底上制造特征的一个或多个工艺的特性的方法，该方法包括：获取衬底上的至少一个区域的至少部分上的多个特征的图像数据；使用图像数据以获取多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据；确定取决于多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据的变化的统计参数；根据图像数据中的缺陷特征的确定数目，确定特征的缺陷制造的概率；并且确定具有特征的缺陷制造的概率和统计参数的一个或多个工艺的特性。
-
公开(公告)号：CN105980932B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括:照射目标,该目标具有交替的第和第二结构,其中第二结构的形式是依赖于焦距的,而第结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性;以及检测由目标重定向的辐射,以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量,其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。种用于形成这种目标的相关联的掩模和种具有这种目标的衬底。
-
公开(公告)号：CN113508338A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080015560.8
申请日：2020-02-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 该文档中提供了一种确定用于在衬底上制造特征的一个或多个工艺的特性的方法，该方法包括：获取衬底上的至少一个区域的至少部分上的多个特征的图像数据；使用图像数据以获取多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据；确定取决于多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据的变化的统计参数；根据图像数据中的缺陷特征的确定数目，确定特征的缺陷制造的概率；并且确定具有特征的缺陷制造的概率和统计参数的一个或多个工艺的特性。
-
公开(公告)号：CN108931891B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
-
公开(公告)号：CN108931891A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810681219.0
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.019 seconds)
