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公开(公告)号:CN102356470A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201080012074.7
申请日:2010-03-16
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/0465 , H01L31/02021 , H01L31/02165 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L31/056 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种光电转换装置,将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块,以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴,具有多个配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成的光电转换元件对,所有的所述光电转换元件被电串联连接。
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公开(公告)号:CN102270647A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201010504411.6
申请日:2010-10-11
申请人: 采钰科技股份有限公司 , 美商豪威科技股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L31/0232 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L31/0216 , H01L31/02164 , H01L31/02165
摘要: 本发明提供一种图像感测装置及其形成方法。该方法包含:提供一透镜;形成一第一牺牲单元于透镜之上;形成一电磁干扰层于透镜及第一牺牲单元之上;移除第一牺牲单元及部分形成于第一牺牲单元上的电磁干扰层,以形成一具有一开口的电磁干扰图案,开口露出该透镜的一选择部分;形成一第二牺牲单元于开口之内以覆盖透镜的选择部分的一中央区域,且仍露出透镜的选择部分的一周围区域;形成一遮光层于该电磁干扰图案、该第二牺牲单元、该透镜的选择部分的该周围区域之上;移除该第二牺牲单元及该第二牺牲单元之上的该遮光层,以露出该透镜的选择部分的该中央区域作为一透光区。本发明不会发生传统电磁干扰图案所产生的问题于图像感测装置的透光区。
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公开(公告)号:CN101999177A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN200880122059.0
申请日:2008-12-09
申请人: 高通MEMS科技公司
IPC分类号: H01L31/052 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/076 , H01L31/02165 , H01L31/02167 , H01L31/056 , H01L31/0687 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要: 将多个二向色滤光片包括于多接面光伏电池中以增加效率。举例来说,在包含蓝色、绿色和红色有源层的多接面光伏电池中,可接近所述蓝色、绿色和红色有源层安置分别反射蓝光、绿光和红光的蓝色、绿色和红色二向色滤光片,以反射回第一次未被吸收的光。所述二向色滤光片可用以将入射在所述PV电池上的白光多路分解且将合适波长传递到适当有源层,例如将蓝色波长传递到所述蓝色有源层、将绿色波长传递到所述绿色有源层、将红色波长传递到所述红色有源层。所述PV电池可另外经干涉调谐以增加吸收效率。因此,在某些实施例中可使用光学谐振层和腔。
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公开(公告)号:CN101887142A
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN201010178236.6
申请日:2010-05-11
申请人: (株)赛丽康
IPC分类号: G02B5/22 , H01L27/146
CPC分类号: G02B5/201 , B82Y20/00 , G02B5/1809 , H01L27/14621 , H01L31/02165
摘要: 公开了能够进行光刻处理的金属光学滤波器和包括该金属光学滤波器的图像传感器,更特别地,提供了能够进行光刻处理的金属光学滤波器和包括该金属光学滤波器的图像传感器,即使该金属光学滤波器具有较少数量的金属层也能够自由地调节其透射带及透射率,同时因为可以通过光刻处理实现纳米构图,所以该金属光学滤波器能够实际应用到CMOS处理中。能够进行光刻处理的金属光学滤波器包括:以相等的纳米间距相互平行地布置的多个金属棒;以及形成于所述多个金属棒之间以及所述多个金属棒的上表面和下表面上的绝缘材料;其中,所述金属棒形成为包括上部Ti层、Al层和下部TiN层。
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公开(公告)号:CN101853872A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010158451.X
申请日:2010-03-31
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02165
摘要: 本发明提供一种图像感测装置及其制造方法。该图像感测装置包含一具有一前端及一背端的装置基材。装置基材具有一辐射感测区域,其可感测具有一相对应波长的辐射。图像传感器也包含一形成于装置基材的前端上的第一层。第一层具有一第一折射系数及一第一厚度,第一厚度为第一折射系数的函数。图像传感器具有一形成于第一层上的第二层。第二层不同于第一层并具有一第二折射系数及一第二厚度,第二厚度为第二折射系数的函数。本发明可以将像素对于辐射的吸收最佳化。
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公开(公告)号:CN101828144A
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200880112218.9
申请日:2008-10-01
申请人: 高通MEMS科技公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/133 , G02B26/00 , G02B5/28
CPC分类号: G02B26/001 , G02B5/285 , H01L31/02165 , H01L31/02168 , H01L31/0543 , H01L31/0547 , Y02E10/52
摘要: 本发明揭示使用干涉堆叠形成的彩色光伏(PV)装置,所述干涉堆叠经调谐以反射覆盖PV电池、装置、面板或阵列的前侧或背侧的色彩。覆盖PV装置的干涉堆叠包括干涉调制器(IMOD)或二向色对堆叠。此些装置可经配置以反射足够的选择波长的光以便赋予一色彩,同时将足够的光透射到PV活性材料以便产生有用的电。
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公开(公告)号:CN101627289A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200780036943.8
申请日:2007-08-09
申请人: 光学解决方案纳米光子学有限责任公司 , 光学解决方案有限责任公司
IPC分类号: G01J3/28 , G02B5/28 , H01L27/146 , G03F7/00
CPC分类号: G02B5/201 , G01J3/02 , G01J3/0259 , G01J3/36 , G02B5/288 , H01L31/02162 , H01L31/02165 , H01L31/02327
摘要: 本发明涉及一种光学滤波器及其制造方法,以及涉及一种用于检查从物体发出的电磁辐射的光谱分布和位置分布的装置。本发明要解决的技术问题是,提出可以成本低廉地制造的上述种类的光学滤波器,用该滤波器可以探测多个波长,其中不需要通过DBR镜的移动来调谐。此外,提出了一种用于制造这样的滤波器的方法。按照本发明的第一方面,通过用于制造具有两个DBR镜和在它们之间存在的空腔的光学滤波器阵列的方法来解决上述技术问题,该空腔包含具有多个不同高度的、分别形成Fabry-Perot滤波器元件的空腔段,其特征在于如下步骤:将第一DBR镜涂覆到衬底上,在DBR镜上形成由空腔材料构成的层,其中,该层通过应用纳米刻印方法被设置为具有多个形成滤波器元件的空腔段,以及利用通过空腔段的不同高度预定的结构化将第二DBR镜涂覆到空腔材料上。
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公开(公告)号:CN1943041A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200480042705.4
申请日:2004-05-27
申请人: 佛文恩股份有限公司
CPC分类号: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L31/02165 , H01L31/101
摘要: 一种垂直滤色片传感器组形成于基片(最好是半导体基片)之上,并包括至少两个垂直堆叠的光敏传感器。在较佳的实施例中,传感器组包括至少一个滤光片,它相对于传感器定位,使得通过该滤光片传播的辐射或从该滤光片反射的辐射将传播到至少一个传感器中。较佳地,该滤光片是一个或者包括一个已通过半导体集成电路制造工艺与传感器结合在一起的层。在其它实施例中,传感器组包括微透镜。本发明的其它方面是:垂直滤色片传感器组的阵列,这些传感器组中的某些或者全部包括至少一个滤光片或微透镜;以及制造垂直滤色片传感器组及其阵列的方法。
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公开(公告)号:CN1921152A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200610115991.3
申请日:2006-08-22
申请人: EM微电子-马林有限公司
IPC分类号: H01L31/102 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/02165 , H01L31/02161 , H01L31/103
摘要: 一种光电二极管元件(1),包括:至少一个光敏区域(3),制作在硅半导体衬底(2)中,用于接收光,具体地说相干光;以及钝化层和介电层(4)。所述钝化层由制作在所述光敏区域上的至少一个氧化硅第一层(5)和氮化物第二层(6)构成。制作的所述氮化物第二层具有在确定余量内的厚度,以便与所述第一层的厚度无关地位于具有最恒定的可能光反射率的范围内。为了获得由所述光电二极管元件感应的光的反射率百分比平均值,可以在与所述光敏区域的接收表面的一半对应的所述介电层(4)的一部分上或所述第一层(5)上进行蚀刻(7)。
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公开(公告)号:CN1551365A
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN200410063197.X
申请日:2004-05-08
申请人: 索尼株式会社
发明人: 神户秀夫
IPC分类号: H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L31/02165
摘要: 本发明公开了一种固态成像器件,它包括与象素相应的基底,基底上设有按以下顺序层叠的光接收部分:用于吸收红色波长范围的光的光电导层、用于吸收绿色波长范围的光的光电导层、以及用于吸收蓝色波长范围的光的光电导层。在每一光电导层之上设有透明电极层。设置在光电导层之上的透明电极层和设置在光电导层之下的透明电极层之间夹有用于反射绿色波长范围的光的半透明反射层。同样,设置在光电导层之上的透明电极层和设置在光电导层之下的透明电极层之间夹有用于反射蓝色波长范围的光的半透明反射层。通过这样的结构,能很好地提供获得较高的彩色分辨率和较好的感光性的光电导层叠型单片彩色固态成像器件。
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