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公开(公告)号：CN111785828A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010631131.5
申请日：2020-07-03
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种基于斯格明子的人工突触器件，包括：由下至上依次设置的底电极层、重金属层、斯格明子层、隧穿势垒层、参考层以及顶电极层；其中，该底电极层、该重金属层、该斯格明子层的底面均为圆形，直径为第一直径，该隧穿势垒层、该参考层以及该顶电极层的底面均为圆形，直径为第二直径，该第一直径大于该第二直径。由于斯格明子在能量上具有拓扑不连续性，因而具有更高的稳定性、更低的系统功耗及面积，并且斯格明子具有容易移动、不受晶格钉扎影响的特性，使得基于斯格明子的人工突触器件的速度更高、能耗低、密度高。
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公开(公告)号：CN107946458B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201711334614.3
申请日：2017-12-13
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明提供了一种霍尔器件的形成方法，首先对形成霍尔器件的衬底进行检测，检测出所述衬底的掺杂浓度，再指定霍尔器件的电阻范围，然后根据指定的霍尔器件的电阻范围和所述衬底的掺杂浓度选择离子注入浓度的范围，采用所述离子注入浓度的范围中的任意一个值，对所述衬底进行离子注入；采用所述衬底制成霍尔器件。通过检测衬底的掺杂浓度，适应性调整离子注入的浓度，使所述霍尔器件的电阻保持在指定的电阻范围之内，减小了阻值漂移问题，提高的霍尔器件的精度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN111490153A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910960905.6
申请日：2019-10-11
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。
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公开(公告)号：CN111312892A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911201589.0
申请日：2019-11-29
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：在衬底上外延生长石墨烯层，所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述石墨烯层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器，有益效果是:本发明所述的具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法既可以满足X、Y、Z三维磁场测量，又具有超高的磁场探测灵敏度，同时可以减小传感器的体积，还可以与集成电路工艺兼容进行大规模生产，具有良好的应用前景。本方案制作的高灵敏度霍尔传感器未来有望应用在各种微型可穿戴、军事、医学、航空航天等领域中。
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公开(公告)号：CN111244266A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010057668.5
申请日：2020-01-19
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种磁存储器，包括：第一反铁磁层，用于提供交换偏置场；插入层，设置在反铁磁层上，用于阻挡退火过程中第一反铁磁层的材料的扩散；自由铁磁层结构，设置在插入层上；第一势垒层，设置在自由铁磁层结构上；参考铁磁层结构，设置在第一势垒层上，具有固定的磁化方向；其中，自由铁磁层结构的磁化方向与参考铁磁层结构的磁化方向平行或反平行。本发明具有退火温度高的特点，可以兼容CMOS后期热处理工艺。
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公开(公告)号：CN111146331A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010253658.9
申请日：2020-04-02
申请人： 宁波中车时代传感技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种线性霍尔芯片的封装结构及封装方法，属于传感器封装技术领域，包括：金属基板框架，其上开设有一个凹槽；线性霍尔芯片，安装于金属基板框架上，其中，线性霍尔芯片上设置有一个霍尔元件，且该霍尔元件与凹槽的位置相对应。本发明提供了一种线性霍尔芯片的封装结构及封装方法，抑制和降低由于磁通密度变化而引起的涡电流效应，提高霍尔电流传感器的带宽，降低输出响应时间和输出误差。
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公开(公告)号：CN111129288A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911036404.5
申请日：2019-10-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 自旋轨道转矩(Spin-Orbit-Torque，SOT)磁性装置，包含底金属层、第一磁性层、间隙壁层及第二磁性层。第一磁性层作为自由磁性层，第一磁性层设置于该底金属层上。间隙壁层设置于第一磁性层上。第二磁性层设置于间隙壁层上。第一磁性层包含下磁性层、中层和上磁性层，且中层是由非磁性层所制成。
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公开(公告)号：CN111092150A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201811238844.4
申请日：2018-10-23
申请人： 中国科学院化学研究所 , 中国科学院大学
摘要： 本发明公开了一种基于水溶层的复合磁性电极、其转移方法和在有机自旋阀中的应用。该有机自旋阀器件的底电极材料为铁磁电极，中间输运层为有机半导体材料，顶电极材料为基于水溶层的转移法制备的磁性电极，该有机自旋阀器件在磁场下具有磁电阻特性。本发明有效解决传统顶电极制备方法中热辐射和磁性粒子渗透对有机半导体材料的污染和破坏问题；所需设备相对简单，普适性强，重复性好，良品率高，提供了一种构建有机自旋阀器件顶电极的新方法；有助于降低有机自旋电子及光电子器件的制备难度，器件质量可控，可以批量生产，特别是对基于溶液法加工的有机半导体器件兼容性好，对有机自旋电子学及有机自旋光电子学的发展起到重要的促进作用。
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公开(公告)号：CN108649117B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810471997.7
申请日：2018-05-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 二维电子气沟道半耗尽型霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。技术要点是：在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，主电极C1和C2关于C0中心对称，所述电极C0和C1之间、电极C0和C2之间分别设有负离子注入区，负离子注入区的宽度小于主电极C0和C1或者C0和C2之间电极的间距，两个负离子注入区关于主电极C0中心对称，在两个负离子注入区表面分别制作感测电极S1和S2，感测电极S1和S2关于主电极C0中心对称。有益效果是:本发明相对于单一体材料半导体，利用了半导体异质结沟道中具有的高电子迁移率特点，另一方面又对器件结构进行技术改进，通过在势垒层引入负离子来减弱沟道中束缚电子的纵向电场，从而提高器件电压或电流敏感度。
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公开(公告)号：CN110504354A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910638661.X
申请日：2019-07-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列及制备方法，属于微波电子设备技术领域。所述纳米太赫兹波振荡器阵列为多个单元器件组成的阵列结构，所述单元器件包括非磁性重金属薄膜层和位于非磁性重金属薄膜层之上的反铁磁薄膜层，多个单元器件通过位于非磁性重金属薄膜层下表面的电极串联。本发明基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列，通过调节导电电极流过的电流强度可实现不同功率的高频太赫兹波输出，输出太赫兹波信号性能良好，并且结构简单，功耗低，易与CMOS集成。
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