公开(公告)号：CN115472624A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210646048.4

申请日：2022-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  金俊亨

IPC: H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1157

Abstract: 提供了半导体装置以及包括所述半导体装置的数据存储系统。可以提供所述半导体装置，所述半导体装置包括：板层；图案结构，所述图案结构位于所述板层上；上图案层，所述上图案层位于所述图案结构上；上结构，所述上结构包括堆叠结构和覆盖所述堆叠结构的至少一部分的覆盖绝缘结构，所述堆叠结构包括交替堆叠在彼此上的层间绝缘层和栅极层；以及分隔结构和垂直存储结构，所述分隔结构和所述垂直存储结构穿透所述上结构、所述上图案层和所述图案结构，并且延伸到所述板层中。

公开(公告)号：CN107452797B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201710286361.0

申请日：2017-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润载 ,  金哲 ,  孙龙勋 ,  刘真赫 ,  郑宇陈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括具有有源图案的衬底、交叉有源图案的导电图案、在导电图案的至少一个侧表面上的间隔物结构、以及在导电图案上的封盖结构。封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案设置在第一封盖图案的顶表面和间隔物结构的顶表面上。

公开(公告)号：CN113257826A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110186580.8

申请日：2021-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了半导体存储器件。该半导体器件可以包括：垂直绝缘结构，在衬底上在第一方向上延伸；半导体图案，沿垂直绝缘结构的侧壁延伸；在半导体图案的第一侧的位线；信息存储元件，在半导体图案的第二侧并且包括第一电极和第二电极；以及栅电极，在半导体图案上并在不同于第一方向的第二方向上延伸。位线可以在第一方向上延伸并且可以电连接到半导体图案。第一电极可以具有在第一方向上延伸的柱形状，并且第二电极可以沿第一电极的侧壁延伸。

公开(公告)号：CN112635471A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202010822815.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了半导体存储器件及其制造方法。可以提供该方法，包括：通过在衬底上交替堆叠多个第一绝缘层和多个第二绝缘层来形成模制结构；对模制结构进行图案化以形成第一沟槽，第一沟槽暴露模制结构的第一内侧壁；使用衬底作为种子，在第一沟槽中生长竖直半导体层，使得竖直半导体层覆盖第一内侧壁；对模制结构进行图案化以形成第二沟槽，第二沟槽暴露模制结构的第二内侧壁；通过从模制结构中经由第二沟槽选择性地去除第二绝缘层来形成多个凹陷；以及使用竖直半导体层作为种子，在相应的凹陷中水平生长多个水平半导体层。

公开(公告)号：CN108389865A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810105509.0

申请日：2018-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申重植 ,  朴志勋 ,  孙龙勋 ,  禹钟昊 ,  郑恩宅 ,  车俊昊

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/7926

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括包含单元阵列区域和接触区域的衬底、包含顺序地堆叠在衬底上的栅电极的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直结构、以及连接到接触区域中的栅电极的端部的单元接触插塞。栅电极的端部的上表面相对于单元阵列区域中的衬底的上表面具有锐角。

公开(公告)号：CN102194826B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110059771.4

申请日：2011-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  李明范 ,  黄棋铉 ,  白昇宰 ,  金重浩

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种三维半导体存储装置及其形成方法。非易失性存储装置包括在基底上的非易失性存储单元的串。该非易失性存储单元的串包括在基底上的非易失性存储单元的第一垂直堆叠件和在非易失性存储单元的第一垂直堆叠件上的串选择晶体管。非易失性存储单元的第二垂直堆叠件也设置在所述基底上，接地选择晶体管设置在非易失性存储单元的第二垂直堆叠件上。非易失性存储单元的第二垂直堆叠件邻近于非易失性存储单元的第一垂直堆叠件设置。结掺杂半导体区域设置在基底中。该结掺杂区域将非易失性存储单元的第一垂直堆叠件与非易失性存储单元的第二垂直堆叠件以串联形式电连接，使得这些堆叠件可以作为单个NAND型存储单元的串而工作。

公开(公告)号：CN101009247B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200710004096.9

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/8221

Abstract: 提供了一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以形成多个开口，其露出在开口底部的衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过利用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101483194A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810154762.1

申请日：2008-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  李钟昱

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11556

Abstract: 本发明公开了一种垂直型非易失性存储器器件及其制造方法。在该半导体器件及其制造方法中，器件包括沿水平方向延伸的单晶半导体材料的衬底以及在该衬底上的多个层间电介质层。多个栅极图案被提供，每个栅极图案在相邻下层间电介质层与相邻上层间电介质层之间。单晶半导体材料的垂直沟道沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和栅极图案，栅极绝缘层在每个栅极图案与垂直沟道之间并使栅极图案与垂直沟道绝缘。