-
公开(公告)号：CN103400780A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310354782.4
申请日：2013-08-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；在晶舟内的剩余位置上从晶舟的上端向下端依次放置将要形成多晶硅的目标晶圆；在晶舟内未被多晶硅的目标晶圆填满的位置处放置填充虚拟晶圆；进行多晶硅生长；取所述控片进行多晶硅生长厚度量测。
-
公开(公告)号：CN102931128A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210496571.X
申请日：2012-11-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 一种浅沟槽隔离之边角圆化的方法包括，步骤S1：在衬底表面淀积衬垫氧化层和硬掩膜层；步骤S2：形成开口；步骤S3：刻蚀形成浅沟槽；步骤S4：在浅沟槽内生长氧化衬层，进一步包括：在第一温度T1到第二温度T2的升温过程中，采用少量氢气稀释氧气进行退火，直到所述炉温达到第二温度T2；在第二温度T2下采用湿氧的方式生长氧化衬层；从第二温度T2升温至第三温度T3，并在第三温度T3下采用干氧的方式生长所述氧化衬层；步骤S5：淀积绝缘介质层；步骤S6：化学机械研磨绝缘介质层；步骤S7：获得圆化的浅沟槽隔离。本发明所述浅沟槽隔离之边角圆化的方法，可消除浅沟槽隔离的顶角和底角处因应力产生的缺陷，以及使浅沟槽隔离的底角和顶角圆化，极大地提高产品良率和改善器件的稳定性。
-
公开(公告)号：CN107968038B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201711160388.1
申请日：2017-11-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，包括炉管以及设置在炉管反应腔一侧的氮气喷淋装置，炉管内设有晶舟，其特征在于，氮气喷淋装置和晶舟之间设有导向装置，导向装置使氮气喷淋装置吹出的氮气的吹扫方向朝向晶舟的舟脚的下方。本发明通过在氮气喷淋装置和晶舟之间安装一层阻隔网，使吹出的氮气方向朝向晶舟的下方，避免气体对舟脚的吹扫从而改善因舟脚掉落微粒造成的缺陷。
-
公开(公告)号：CN105719983B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610088975.3
申请日：2016-02-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一栅氧化层厚度实时监控方法，在栅氧化层制备完成并测量其物理厚度D1后，定义第一自然氧化层厚度DOX1和第二自然氧化层厚度DOX2，监控栅氧化层的实时厚度D＝D1+DOX1+DOX2。该方法综合考虑栅氧化层制备完成后、到多晶硅栅沉积工艺开始前的等待时间Q‑Time，以及多晶硅栅沉积工艺中沉积区域氧气浓度O2‑Density对栅氧化层自然氧化速度的影响，实现对栅氧化层实际厚度的精确监控。与现有技术相比，能够根据工艺进度、工艺条件以及工艺时间，精确监控栅氧化层的实时厚度，与传统的栅氧化层物理厚度实际测量相比，更为细致和精确，避免物理厚度监控与最终实际电性厚度不符而失去监控意义，从而提高工艺质量，保障器件性能。
-
公开(公告)号：CN106373846B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201611009755.3
申请日：2016-11-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
摘要： 本发明提出一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，包括下列步骤：由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子；负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子；所述正离子通过加速后，通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流；在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。本发明提出的晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，通过在能量筛选电磁场后，增加一个对束流垂直偏转方向的电场，筛选出需要的能量源种束流，将不满足能量要求的金属等注入消除，从而降低金属污染。
-
公开(公告)号：CN106252213B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610703032.7
申请日：2016-08-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡层；其中，第一种离子和第二种离子不相同。本发明通过对硅衬底边缘进行离子注入，从而形成防止硅衬底边缘重掺杂离子析出的阻挡层，有效避免了硅衬底边缘离子扩散析出，确保了后续工艺质量。
-
公开(公告)号：CN105200399B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510546241.0
申请日：2015-08-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/283
摘要： 本发明提供了一种常压炉管生长的薄膜厚度的控制方法，包括：检测得到全年大气压力变化趋势；将全年大气压力变化趋势分成若干不同的压力范围区间；设定每个压力范围区间内薄膜的生长时间，以使薄膜达到目标厚度；按照所设定的时间在常压炉管中生长薄膜。本发明的常压炉管生长的薄膜厚度的控制方法，可以减小在全年不同的压力下所得到的薄膜厚度差异，实现常压炉管生长的薄膜厚度的可控性。
-
公开(公告)号：CN105742215B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610173685.9
申请日：2016-03-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , F27D9/00 , B08B3/02
摘要： 本发明提供了一种炉管、晶片冷却方法以及自动晶舟清洁方法。所述炉管包括：炉管反应腔、以及布置在炉管反应腔的用于晶舟出入的出入口处的吹风散热装置；其中吹风散热装置包括环形微孔管和布置在环形微孔管上的朝内喷射气体和/或液体的多个石英喷嘴；其中，晶舟穿过环形微孔管和所述出入口进入炉管反应腔内部。
-
公开(公告)号：CN108054082A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711278226.8
申请日：2017-12-06
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/146
摘要： 本发明公开一种CIS之衬底结构及其制备方法。所述CIS之衬底结构，包括，硅基衬底；低温氧化硅，设置在所述硅基衬底之背侧；多晶硅层，设置在所述低温氧化硅之异于硅基衬底的一侧。本发明CIS之衬底结构通过在所述硅基衬底背面的低温氧化硅上进一步淀积多晶硅层，不仅有效消除低温氧化硅在栅极氧化过程中对下层硅片膜层厚度的影响，优化栅极氧化层的膜层均匀性，而且进一步提升产品品质和良率。
-
公开(公告)号：CN107993912A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711185019.8
申请日：2017-11-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171
摘要： 本发明公开了一种校准离子注入机的离子注入角度的方法，选取多个不同的离子注入角度，采用离子注入机对普通硅片进行离子注入；退火处理后测量薄层电阻值，根据薄层电阻值和对应的注入角度建立校准曲线，计算获取校准角度。本发明技术方案中采用普通硅片替代现有的高精度硅片可以减小注入角度校准的成本，采用薄层电阻值替换准确性较低的热波值，在不使用高精度硅片的条件下也可实现同等的注入角度校准效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
76 条记录 (耗时 0.043 秒)
