公开(公告)号：CN1993813B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200580026757.7

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32105

Abstract: 在利用等离子体处理装置(100)对栅电极进行选择性氧化处理时，将形成有栅电极的晶片(W)载置于腔室(1)内的基座(2)上，由气体供给系统(16)的Ar气供给源(17)、H2气供给源(18)和O2气供给源(19)，经气体导入部件(15)，按照H2气和O2气的流量比H2/O2为1.5～20，优选为4以上，更优选为8以上，将Ar气、H2气和O2气导入腔室(1)内，维持腔室内压力为3～700Pa，例如6.7Pa(50mTorr)。

公开(公告)号：CN100561687C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN02824972.0

申请日：2002-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  松山征嗣 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

公开(公告)号：CN101266928A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810001745.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  菅原卓也 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。

公开(公告)号：CN101053083A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200680001097.1

申请日：2006-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，进行以下工序：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上至少形成包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体的工序；对该叠层体进行蚀刻处理，形成栅极电极的工序；和利用由具有多个狭缝的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，在处理压力为133.3～1333Pa、处理温度为250～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，进行等离子体处理，选择性地氧化上述栅极电极中的多晶硅层的工序。

公开(公告)号：CN1993813A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026757.7

申请日：2005-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32105

Abstract: 在利用等离子体处理装置(100)对栅电极进行选择性氧化处理时，将形成有栅电极的晶片(W)载置于腔室(1)内的基座(2)上，由气体供给系统(16)的Ar气供给源(17)、H2气供给源(18)和O2气供给源(19)，经气体导入部件(15)，按照H2气和O2气的流量比H2/O2为1.5～20，优选为4以上，更优选为8以上，将Ar气、H2气和O2气导入腔室(1)内，维持腔室内压力为3～700Pa，例如6.7Pa(50mTorr)。

公开(公告)号：CN1930668A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200480015099.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种改善由MOSFET的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物(suboxide)、悬挂键(danglingbond)等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的等离子体处理和热退火处理组合的改性处理。

公开(公告)号：CN1890785A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035836.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  井出真司 ,  尾崎成则

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对k值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层(1)的表面上形成绝缘膜(2、3)、并在绝缘膜(3)中形成将导电层(1)的一部分露出的通孔(4)的半导体装置搬入到反应容器内，在反应容器内产生含氢的等离子体、以将通孔(4)底部的导电层(1)上净化，利用灰化将残渣有机物(6)分解除去并将导电层(1)表面上的铜氧化膜(7)还原成铜。