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公开(公告)号：CN109110810B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811148474.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种砷锗镉晶体生长原料的稳流合成方法。把高纯度的Cd、Ge和As原料放入船型坩埚内，再放入半椭圆形的坩埚内，推入带有稳流装置的长型外坩埚内，抽真空进行密封后放入三温区合成炉中进行合成，使装As原料的坩埚处于炉体第一温区部位，稳流装置处于第二温区部位，装Cd原料和Ge原料的坩埚处于第三温区部位。本方法通过三温区合成炉精确控制Cd、Ge和As原料反应温度，降低合成过程中的多余中间产物，并通过稳流装置，控制反应速度，保证了合成的安全性，有效调节合成原料化学计量比。
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公开(公告)号：CN106319633B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610941184.0
申请日：2016-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法。首先提纯CdS原料：将称取的原料放入安瓿瓶中，在安瓿瓶口装上蓝宝石生长衬底和导热棒，将生长区置于石英支撑管上，再一起装入石英保温外管中，然后整体放入提纯炉中进行提纯；生长CdS单晶：称取多晶料放入安瓿瓶中，称取Cd粒加入多晶料中；在安瓿瓶口放上CdS籽晶后，压上蓝宝石的导热棒抽至真空状态，放入单晶生长炉中进行单晶生长。该工艺简单，生长周期短，成本低廉。采用该方法生长的CdS单晶尺寸大，直径可达53mm，单晶透明性高，红外透过率好，不容易开裂，室温常压下可长时间保存，在2.5um‑5um部分红外透过率可以高达71.5%。
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公开(公告)号：CN106498491A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610939929.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC classification number: C30B25/00 , C30B23/00 , C30B28/12 , C30B35/007
Abstract: 本发明公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管，在A端水平放置圆柱形支撑结构和衬底；盛放原料的小舟放置在B端，小舟与衬底间距为15~35cm；石英管两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封。采用该装置可以快速有效的对气相法晶体生长用原料进行提纯。通过采用高温和低温下两次恒温工艺，在一步提纯过程中，即可以去除原料中的低熔点杂质，同时实现高熔点杂质和原料的有效分离。提纯装置采用双法兰的设计保证了腔体内气流的可控性增强，保证了气相法晶体生长的原料的纯度，解决了气相法晶体生长中影响晶体质量和光电性能的关键问题。
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公开(公告)号：CN119221117A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411775740.2
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及晶体材料技术领域，具体公开了一种p型氧化镓材料及其制备方法和应用。本发明通过在氧化镓外延层中构建二价金属掺杂氧化镓纳米柱结构，降低空穴激活能，增加空穴浓度，成功实现了p型氧化镓材料的制备。利用本发明有效解决了通过多元素共掺的方式来实现β‑Ga2O3单晶p型掺杂时，容易出现的材料产生晶格畸变，在材料表面形成非晶层，降低材料质量，影响器件性能的问题，为氧化镓材料的制备提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN119221102A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411775776.0
申请日：2024-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明提供了一种泡生法生长氧化镓单晶的方法，所述泡生法生长氧化镓单晶的方法包括S01，装炉：向坩埚中装入重量为M1氧化镓原料，纯度5N，把装有原料的坩埚放入单晶生长炉中；在坩埚上方间隔放置若干个保温屏；顶端装[010]晶向的籽晶，关闭单晶生长炉门；S02，升温化料：升温并保温至氧化镓原料完全熔化；S03，引晶生长；S04，降温取晶：生长完成后，将晶体温度降至室温，取出晶体。本发明提供的泡生法生长氧化镓单晶的方法，设置保温屏后，可以阻挡原料挥发气体流动速度，降低并稳定热场轴向温度梯度，更有利于优化泡生法氧化镓晶体生长质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117810156A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410204452.5
申请日：2024-02-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种晶片粘接方法及粘片装置，属于半导体材料的加工领域，用粘接剂将模板粘贴到载盘上；将粘接剂依次涂覆到载盘上的数个晶片孔中；数个晶片的A面朝下，依次放置到每个晶片孔中粘接剂上；在载盘上方覆盖一层纸，将压头与底座装配到一起；向压头充压，压头的胶皮鼓气对晶片的B面进行第一阶段挤压；胶皮鼓气对晶片的B面进行第二阶段挤压；将粘片装置移到冷却台上，进行冷却；待粘片装置冷却至室温后，将压头取下，从底座上取出载盘；对上述粘接完成的晶片的B面进行后续工序处理；依次将数个晶片从数个晶片孔中取出；将晶片的B面朝下，并对晶片的A面进行后续的工序处理，保障了加工晶片的精度。
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公开(公告)号：CN117552090A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311314630.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于导模法生长氧化镓晶体的方法及“V”型模具，模具放置在坩埚中，坩埚中装入氧化镓原料，盖上坩埚盖后将坩埚放在加热器中，将（2(—)01）面籽晶放置在籽晶杆中，籽晶杆提拉方向为[010]；抽真空，充二氧化碳保护气至常压；进行炉体升温，化料，保温；引晶，将籽晶降至模具上端面，回熔，保温；放肩，氧化镓晶体放肩过程中，该模具减小了模具上端面中心和边缘的温度差异，直至晶体覆盖住整个模具上表面；等径；升温，将氧化镓晶体拉脱，然后降温，即得到（2(—)01）面氧化镓晶体。本模具结构更加合理，可以在模具上表面建立一种更加均匀的温场分布，提高了导氧化镓晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN117364241A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311378115.X
申请日：2023-10-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种冷坩埚法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法。方法步骤：1、称取原料充分研磨，放入坩埚中压实，采用中心部分为圆弧状的坩埚盖盖上；2、将坩埚放入马弗炉中煅烧；3、待坩埚中的原料煅烧完毕，将坩埚盖打开，原料的烧结形状根据坩埚与坩埚盖的形状等比例塌缩，取出原料；4、取出的原料顶部为凹坑形状，测量氧化铝原料尺寸，计算烧结前与烧结后的体积比；5、将处理后的原料放置于紫铜管组成的水冷坩埚系统中，用于冷坩埚法生长氧化镓晶体，凹坑形状的氧化镓原料顶部用于放置引燃剂。使用本原料处理方法可一次成型，不易坍塌，且原料密度较粉状原料密度明显增大，一次装料量提高30%以上。
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公开(公告)号：CN115547898B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211523463.7
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种晶片缺陷的快速标记方法。本方法将晶片粘贴板表面均匀划分若干个区域，每个区域均匀设有若干个方格，每个方格之间设有相互垂直的沟槽，每个方格表面均设有数字编号作为用于记录晶片表面缺陷的标记。本发明设计的晶片粘贴板能将晶片在贴片过程中的所用的粘贴蜡均匀排出，保证晶片粘贴后的TTV能够达到2μm内，解决了晶片在贴片过程中TTV较差的问题；对透明或半透明晶片加工过程中的表面划痕、缺陷等损伤通过晶片粘贴板上的数字坐标能对显微镜下标记的缺陷进行快速准确定位，有效解决了晶片粘贴不平和缺陷快速定位分析的问题。本发明有助于后续对晶片表面质量问题进一步研究分析。
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公开(公告)号：CN115302344B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211194548.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: B24B7/22 , B24B49/00 , B24B41/06 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , H01L21/463
Abstract: 本发明涉及一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法，将载盘放置到加热台上预热；将至少3片支撑晶片间隔的粘贴到载盘的边缘；将载盘放置到加热台上预热，将数片待加工晶片的A面间隔的粘贴到至少3片所述支撑晶片之间的载盘上；采用研磨液在研磨机上对待加工晶片的B面进行研磨，将待加工晶片B面的厚度研磨至与所述支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗；采用上述方法，将待加工晶片的A面研磨至与边缘支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗，完成待加工晶片的研磨。采用本发明对晶片进行研磨时，同一盘内晶片的厚度偏差≤3μm，晶片的目标厚度控制精度可以达到±5μm，有效的保障了晶片厚度批次的一致性和稳定性。
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