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公开(公告)号：CN103824926B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410079219.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种多芯片LED封装体的制作方法，该多芯片LED封装体包括LED芯片、金属基板和PCB基板。这种多芯片封装体采用金属基板作为封装主体，能有效提高散热效果，同时结合PCB板制作背电极和通孔，使得该多芯片封装体在后面的灯具制作过程中可以使用插针接触或回流焊，制作工艺更加简便。
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公开(公告)号：CN103808496B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410077532.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供了一种LED光源阵列投影测试装置，该LED光源阵列投影测试装置包括：扩束元件，位于被测试LED光源阵列的光路后端；投影元件，位于扩束元件的光路后端；以及投影面，位于投影元件的光路后端；其中，被测试LED光源阵列发出的光束经由扩束元件进行扩束放大后，由投影元件投影至投影面，被测试LED阵列中的单颗LED光源与投影面上的位置具有对应关系。本发明LED光源阵列投影测试装置仅使用透镜和反射镜即可将光源点阵模块通过类似投影的方式呈现在任意平面上，目测即可快速找到故障点，装置结构简单，测试过程方便快捷、成本较低。
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公开(公告)号：CN103579461B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310553763.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。
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公开(公告)号：CN103470992B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310449655.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种投影式照明系统，其包括：投影系统，用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信，反射系统，用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影原理将基础光线投影至反射系统，利用该投影区域作为照明光源，经反射后的光线用于普通照明或特殊照明。该系统能够为照明环境提供最佳的灵活性，而高效光源和投影系统为该系统提供了足够的光利用效率。
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公开(公告)号：CN104377542A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410730192.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器引脚式封装结构及方法。所述封装结构包括：正极管舌、负极管舌、环氧树脂透镜；半导体激光器芯片的负极通过焊料粘结在负极管舌上，芯片与负极管舌平行；所述半导体激光器芯片的正极通过金线与正极管舌相连；所述正极管舌和负极管舌由所述环氧树脂透镜所封装，所述正极管舌和负极管舌作为所述半导体激光器的正极引脚和负极引脚自所述环氧树脂透镜引出。本发明具有封装结构简单、封装工艺简化、成本低、可靠性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183586A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410442830.X
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , G09F9/33
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构发光二极管全彩阵列的制作方法，其包括如下步骤：步骤1：在一基板上制作用于连接发光二极管阵列的电路和用于焊接发光二极管的金属凸点；其中，所述发光二极管阵列在所述基板上由多个最小单元组合而成，每个最小单元中制作有三个金属凸点和一个公共焊点，所述三个金属凸点分别由三条平行的电路引出，所述公共焊点由于所述三条平行的电路垂直的一条电路引出；步骤2：将垂直结构发光芯片的第二电极固定在基板的相应金属凸点上，形成电连接；步骤3：将垂直结构芯片的第一电极通过固定在基板上的公共焊点上，形成电连接；步骤4：在垂直结构芯片上方整面涂胶，将发光二极管阵列整体封装在基板上。
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公开(公告)号：CN104183572A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410414652.X
申请日：2014-08-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/535 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种用于发光二极管阵列的封装支架，包括：绝缘基板；金属焊盘和金属线路，所述金属焊盘设置在绝缘基板正面与发光而激光阵列的电极管脚对应的位置，所述金属线路用于连接所述金属焊盘；电子元器件模块，其位于绝缘基板背面，用于驱动发光二极管阵列；导电通孔，其设置在绝缘基板上，所述金属连线通过所述导电通孔将金属焊盘连接至所述电子元器件模块上。本发明简化了封装工艺和封装后的发光二极管阵列的体积，还通过驱动发光二极管阵列的电子元器件模块对发光二极管阵列的输入电流和电压进行调制，进而实现对发光二极管阵列的光谱和亮度进行调节，简单易操作。
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公开(公告)号：CN104167485A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410413493.1
申请日：2014-08-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/64 , H01L33/62 , H01L33/48 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/18 , H01L2224/73267 , H01L25/0753 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种自支撑LED阵列光源结构，包括：衬底；开设在衬底上的多组通孔，每组通孔之一与LED芯片的第一电极电连接，每组通孔之另一与LED芯片的第二电极电连接；制备在衬底正面的LED芯片阵列；设置在衬底背面的金属焊盘和金属线路，所述金属线路通过所述通孔将所述LED芯片的第一电极和第二电极连接至所述金属焊盘。本发明提出的自支撑LED阵列光源结构使得LED阵列光源产品更加集成化，精细化，简化了封装工艺，降低了封装成本。同时也简化了针对LED阵列光源的散热设计的难度，提高了产品可靠性。
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公开(公告)号：CN104167411A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410409590.3
申请日：2014-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/48
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/2518 , H01L2224/73267 , H01L2924/15153
Abstract: 本发明公开了一种LED阵列，包括：绝缘基板；多个焊盘，其阵列分布在绝缘基板正面，位于奇数列的焊盘通过金属线竖向连接成多列，位于偶数列的焊盘通过金属线横向连接成多排；通孔，其开设在绝缘基板上，且连接每一排和每一列焊盘的金属线通过所述通孔被引至绝缘基板背面；金属管脚，其设置在绝缘基板背面，并与引至绝缘基板背面的金属线电连接，用于连接外部电路；散热层，其设置在绝缘基板侧壁和/或背面，用于散热；凹槽，其位于所述绝缘基板正面，且形成在横向相邻的两焊盘之间；LED芯片，其固定在所述凹槽内；光学元件，其用于封装所述LED芯片，用于保护LED芯片和二次配光。
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公开(公告)号：CN103956358A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410193836.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/64
Abstract: 一种LED模组的散热结构，包括：一散热基板；一粘结层，其形成在散热基板的上面；多个LED芯片，其均匀粘接在粘结层的上面；一侧面散热材料，其填充在各LED芯片之间。本发明具有结构简单、工作温度降低、热阻小及散热效果好的优点。本发明还提供一种LED模组的散热结构的散热方法。
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