-
公开(公告)号：CN101970708A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980000384.4
申请日：2009-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C23C14/0641 , C23C14/28 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。
-
公开(公告)号：CN101932758A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880125981.5
申请日：2008-12-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种生长大型高品质的AlxGa1-xN单晶的方法。具体公开了生长AlxGa1-xN单晶的方法，其包括：准备AlyGa1-yN(0＜y≤1)晶种(4)的步骤，所述晶种的晶体直径D mm和厚度T mm符合下列关系式：T＜0.003D+0.15；以及通过升华生长法在所述AlyGa1-yN晶种(4)的主表面(4m)上生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(5)的步骤。
-
公开(公告)号：CN101922045A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010202934.5
申请日：2010-06-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/872 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02008 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。
-
公开(公告)号：CN101312164B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810130622.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
-
公开(公告)号：CN101432471A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015378.7
申请日：2007-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02623 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101312165A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810130625.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
-
公开(公告)号：CN100411111C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510082192.6
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0-2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
-
公开(公告)号：CN101194053A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020842.7
申请日：2006-08-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体，其中在GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。
-
公开(公告)号：CN107078649B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201580056287.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明提供一种变压器，该变压器的前级电路包括：开关串联单元，电容器以及接地电路径。并联至电源的开关串联单元包括：被配置为交替导通的奇数/偶数开关。假设开关的互连点以及开关串联单元的两端的点为总计m个节点，则两端的点中的一个是接地节点，电容器设置在合并奇数节点并将奇数节点引导至第一输出端口的第一电路径和合并偶数节点并将偶数节点引导至第二输出端口的第二电路径中的至少一个电路径上，且存在电容器以便对应于除接地节点之外的至少(m‑1)个节点。接地电路径将接地节点直接连接至第一输出端口而无需插入的电容器。
-
公开(公告)号：CN107112908A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580054952.4
申请日：2015-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 变压器包括作为前级电路的开关串联单元和电容器。开关串联单元包括被配置为交替接通的奇数编号的开关和偶数编号的开关，并且作为整体与电源并联连接。假设各个开关的相互连接点和开关串联单元两端的点被视为是总共m个节点，则电容器被设置在至少以下一个电路径上：组合奇数节点并将奇数节点引导到第一输出端口的第一电路径，以及组合偶数节点并将偶数节点引导到第二输出端口的第二电路径。存在电容器以便对应于至少(m‑1)个节点。变压器包括作为后级电路的元件串联单元和电感器。元件串联单元由彼此串联连接并且执行相反极性的导电操作的一对半导体元件组成。元件串联单元的两端中的一端连接到第一输出端口，而其另一端连接到第二输出端口。电感器设置在至少以下一个电路径上：组合作为元件串联单元的两个端点的两个节点并将两个节点引导到负载的两端中的一端的第三电路径，以及将作为该一对半导体元件的相互连接点的一个节点引导到所述负载的另一端的第四电路径。电感器存在以便对应于总共三个节点中的至少两个节点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.036 seconds)
