公开(公告)号：CN102859050B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180017185.1

申请日：2011-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  川濑智博 ,  羽木良明

IPC: C30B11/00 ,  C30B27/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B27/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方形成原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。

公开(公告)号：CN102292477A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005056.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  川濑智博

IPC: C30B29/42 ,  C30B33/02

CPC classification number: H01B1/02 ,  C22F1/16 ,  C30B29/42 ,  C30B33/02 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明公开了一种导电GaAs晶体，其具有超过1×1017个/cm3的Si原子浓度，其中在所述晶体中包含的尺寸为至少30nm的析出物的密度为400个/cm2以下。在这种情况下，优选的是，所述导电GaAs晶体具有至多2×102个/cm2或至少1×103个/cm2的位错密度。

公开(公告)号：CN101970708A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980000384.4

申请日：2009-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C23C14/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。

公开(公告)号：CN101922045A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。

公开(公告)号：CN101432471A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015378.7

申请日：2007-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  樱田隆 ,  藤原伸介 ,  罔久拓司 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。

公开(公告)号：CN1969388A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200680000348.4

申请日：2006-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  木山诚 ,  田边达也 ,  三浦广平 ,  樱田隆

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。

公开(公告)号：CN1624944A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098298.0

申请日：2004-12-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN115003866A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010974.6

申请日：2021-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  西口太郎 ,  樱田隆

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底和碳化硅外延层。碳化硅外延层位于碳化硅衬底上。碳化硅外延层包括与碳化硅衬底接触的边界面和与边界面相对的主面。主面具有外周缘、与外周缘相距5mm以内的外周区域以及被外周区域包围的中央区域。在将外周区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第一面密度、将中央区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第二面密度的情况下，第一面密度为第二面密度的5倍以上。第二面密度为0.2个cm‑2以上。外周区域中的单肖克莱型堆垛层错的面密度为0.5个cm‑2以下。

公开(公告)号：CN101922045B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。

公开(公告)号：CN102084039B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。