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公开(公告)号：CN102084039B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200980125958.0
申请日：2009-06-25
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
摘要： 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
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公开(公告)号：CN101469452A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188586.3
申请日：2008-12-25
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要： 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN101469452B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200810188586.3
申请日：2008-12-25
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
摘要： 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN102084040A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125962.7
申请日：2009-06-25
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B3/00 , G02B13/143 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
摘要： 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。
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公开(公告)号：CN102084039A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125958.0
申请日：2009-06-25
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
摘要： 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
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公开(公告)号：CN1840748A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071561.6
申请日：2006-03-28
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
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公开(公告)号：CN111893570B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010644652.4
申请日：2015-01-27
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 本发明涉及GaAs晶体，其具有20cm‑1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。
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公开(公告)号：CN111893570A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010644652.4
申请日：2015-01-27
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 本发明涉及GaAs晶体，其具有20cm-1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。
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公开(公告)号：CN1840748B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610071561.6
申请日：2006-03-28
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
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公开(公告)号：CN101970708A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980000384.4
申请日：2009-02-18
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B29/403 , C23C14/0641 , C23C14/28 , C30B23/02
摘要： 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。
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