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公开(公告)号：CN111825596A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，能够形成耐热性、或形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)通式(1A)或(1B)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN110317125A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910242725.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C35/38 , C07C29/42 , C07C69/16 , C07C67/08 , C07D335/16 , C07C43/205 , C07C41/18 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/115
Abstract: 本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。
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公开(公告)号：CN109426077A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985309.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN102520581A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110442517.2
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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公开(公告)号：CN119569571A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411251122.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种8‑(酰氧基)烷醛化合物(1)及其制备方法，其中n表示0或1，R1表示具有1至10个碳原子的直链或支链烷基、苯基或其中一个或多个氢原子被卤素原子取代的苯基。所述方法包括以下步骤：使上述8‑(酰氧基)烷醛化合物(1)与亲核试剂烷基化合物(2)进行亲核加成反应，其中M1表示Li、MgZ1、CuZ1或CuLiZ1，n表示0或1，且Z1表示卤素原子、甲基或乙基，以形成2,9‑十一碳烷二醇(3)，以及使所述2,9‑十一碳烷二醇(3)进行乙酰化反应以形成2,9‑二乙酰氧基十一烷(4)。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112180686B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010637312.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F1/56 , G03F1/76
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN113805434B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110646782.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1～10的整数。#imgabs1#式中，虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#式中，虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。
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公开(公告)号：CN109426077B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810985309.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN108693713B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201810275797.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上；以及，(B)有机溶剂。[化学式1]式中，n01表示1～10的整数，n01为2时，W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2～50的二价有机基团，n01为2以外的整数时，W表示碳原子数为2～50的n01价有机基团。此外，Y表示单键或碳原子数为1～10的可包含氧原子的二价连接基团。
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公开(公告)号：CN108693705B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810275395.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)包含下述通式(1)表示的重复单元中的一种或两种以上的聚合物(1A)；(A2)式量为2,000以下的、不具有3,4‑二羟基苯基的多酚化合物中的一种或两种以上；以及(B)有机溶剂。[化学式1]
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