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公开(公告)号：CN116231450A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310198084.3
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种实现空间光束片上生成的边发射激光器的制备方法，包括：获取隧道级联半导体激光器外延结构，并根据所述隧道级联半导体激光器外延结构进行封装，得到大光腔边发射激光器；利用FDTD单元参数扫描及空间光场分布函数结合MATLAB计算得到所述集成在大光腔边发射激光器上的超构表面相位分布，并选取不同尺寸的纳米柱生成相应结构版图；根据所述相应结构版图，利用聚焦离子束工艺在所述大光腔边发射激光器出光的有源区端面刻蚀超构表面，构建超构表面边发射激光器。本发明解决了现有技术中激光器存在输出功率较小和发散角过大，光束质量低，功能单一的问题。
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公开(公告)号：CN114640021A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210174124.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种质子注入VCSEL耦合阵列与微流通道结合芯片制备方法，本发明在两个VCSEL耦合阵列单元间设计微流通道，通过在微流通道注入不同折射率的液体使达到光束偏转的目的，通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在两个VCSEL耦合阵列单元间设计微流通道，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN114566424A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210173104.7
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在集成电路芯片上作为催化生长石墨烯的基材；通过光刻和腐蚀工序对铜箔进行图形化处理；将芯片置于三温区热CVD系统中生长石墨烯，石墨烯只生长在铜箔覆盖的区域从而达到在集成电路芯片上直接图形化生长石墨烯的目的。该方法为石墨烯基集成电路的开发提供了新的思路，有利于加快石墨烯的商业化应用进程。
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公开(公告)号：CN114524431A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210173105.1
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在绝缘衬底上作为催化生长石墨烯的基材；将覆有铜箔的衬底置于三温区热CVD系统中使用梯度温控的方法低温生长石墨烯；生长完成后再PMMA支撑层的辅助下去除衬底行残留的铜。该方法生长的石墨烯质量高、破损少，适用于无法耐受高温的衬底，且工艺简单，可用于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN110616408B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910879303.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法，属于新型纳米结构加工领域。其制备过程主要分为三步：第一步:将超薄AAO模板转移到亲水处理后的衬底上。第二步:利用溅射的方法将金属均匀沉积到AAO模板孔洞中。第三步:用胶带粘掉衬底上的AAO模板并在上面转移一层h‑BN，在h‑BN上再次转移一层超薄AAO模板。第四步:将衬底放入溅射设备中再次沉积一层金属，并去除掉AAO模板，重复第三、四步工艺进行下一层纳米颗粒沉积。本发明工艺简单、成本较低；工艺重复性强，工艺参数好控制。可以大面积制备具有周期性的多层金属纳米结构阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113213460A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110501774.2
申请日：2021-05-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种图形化生长垂直取向石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：在衬底上光刻出所需要的垂直取向石墨烯的图形；依次沉积氧化物牺牲层和金属牺牲层；通过超声进行剥离，使图形区域的衬底显露出来，而非图形区域被氧化物/金属双牺牲层覆盖；使用等离子增强化学气相沉积技术生长垂直取向石墨烯；牺牲层在垂直取向石墨烯生长结束后脱离衬底，用氮气将牺牲层残留物吹净。本发明采用氧化物/金属双牺牲层的方法减少了后续的光刻、刻蚀等工艺对垂直取向石墨烯造成的沾污与破损，且图形化精细度高，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108660430B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810455783.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/56 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。本发明采用CVD法在不具有石墨烯生长催化作用的氧化物绝缘衬底上类直接生长石墨烯，石墨烯免转移可以直接制备器件。通过在绝缘衬底镀一层金属作为催化剂，利用CVD首先在金属表面生长石墨烯，在生长同时使金属表面形成孔洞形貌。之后旋凃PMMA，以PMMA作为石墨烯支撑层利用湿法腐蚀金属。腐蚀液会穿过PMMA和石墨烯腐蚀下层的金属。金属腐蚀干净后石墨烯和PMMA会落在衬底上，再用有机溶剂去除石墨烯表面的PMMA，最终得到在绝缘衬底上类直接生长的石墨烯薄膜样品。本发明工艺简单，可重复性高，生长出的石墨烯质量高，大面积，几乎无破损。
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公开(公告)号：CN107768979B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN106058642B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610500581.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。
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公开(公告)号：CN108538935A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810340023.5
申请日：2018-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/035272 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了隧道补偿超晶格红外探测器，属于半导体光电子领域。原有的隧道补偿多有源区红外探测器改善了传统多量子阱或超晶格结构红外探测器的光电流小，暗电流大的缺点，但制作难度较大，成品率低。在衬底上生长下接触层，然后生长一个或多个基本单元，上接触层，制作台面和电极，基本单元依次为阻挡势垒、超晶格红外吸收区、重掺杂N型区和重掺杂P型区；特征在于采用超晶格结构作为探测器的红外吸收区，降低了对外延结构参数的控制要求；重掺杂N型区和重掺杂P型区形成隧道结，为超晶格提供隧道补偿电流；阻挡势垒厚度为30～50nm，以减小器件的暗电流。本发明兼具隧道补偿多有源区红外探测器光电流大、暗电流低、响应速度快等优点。
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