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公开(公告)号：CN113990942A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111623306.9
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法，包括：衬底、栅介质层和栅电极；衬底上划分有第一区域，第一区域形成有高压阱区；第一区域包括第二区域和第三区域；第二区域形成有体区，第三区域形成有漂移区，漂移区和体区位于高压阱区内；第二区域包括第四区域和第五区域，第四区域经离子注入形成源区；第三区域包括第六区域和第七区域；第七区域经离子注入形成漏区；栅介质层形成在第五区域和第六区域上方；栅介质层包括薄氧区和场氧区；场氧区表面划分有第八区域；栅电极设置在第八区域与薄氧区上。采用中心对称布局，消除工艺梯度误差，提升量产工艺的良率、均匀性和一致性；采用圆形场板结构，提升器件的击穿电压和可靠性。
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公开(公告)号：CN113948411A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111057876.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及器件可靠性研究领域，提供一种栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构。所述栅氧化层时变击穿测试方法包括：将多个氧化层电容的衬底集成为一个共用的测试极并接地，其中所述多个氧化层电容各自的栅氧化层的面积均不相同；在通过同一恒定电压源向各个氧化层电容的栅极同时施加同一恒定电压的条件下，持续测量各个氧化层电容的栅极电流；将氧化层电容的栅极电流发生跳变的时间作为该氧化层电容的栅氧化层击穿时间，直至获得各个氧化层电容的栅氧化层击穿时间。本发明在持续施加恒定电压的情况下一次测试就可以获得多个氧化层电容的栅氧化层击穿时间，在节省测试设备成本的前提下，极大地提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN113887734A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN113851466A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111436654.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN113805044A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111354981.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112710599A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011455404.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 清华大学
IPC: G01N17/00 , G01N21/3504
Abstract: 本发明提供一种聚酰胺类材料稳定性快速评价方法，属于高分子材料检测分析领域。所述方法包括：实时监测原位反应单元中的聚酰胺类材料的待测样品在一定条件下老化早期产生的痕量气相产物来评价聚酰胺类材料的待测样品的稳定性。该方法检测精度高，在聚酰胺类材料老化早期就能检测到痕量的气相老化产物，同时能够实现在聚酰胺类材料发生老化的同时在线监测老化产物，因此极大程度缩减了老化评价周期。采用这种方法能够将整个聚酰胺类材料稳定性的测试时间缩短为6‑10小时，解决了目前聚酰胺类材料稳定性的评价方法耗时很长的问题。
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公开(公告)号：CN112510143A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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公开(公告)号：CN112285412A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011024238.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京大学
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明实施例提供一种带隙基准源测量装置及方法，其中测量装置包括：测量电容、控制开关、比较器、计数器和计算模块；控制开关与测量电容并联连接，且控制开关在测量电容充电过程中处于常开状态；测量电容的第一端连接比较器的同向输入端，测量电容的第二端接地，比较器的输出端连接计数器的计数输入端以及控制开关的控制端，用于在比较器输出高电平时，控制控制开关闭合；计算模块连接计数器的输出端，用于在将待测量带隙基准源接入带隙基准源测量装置进行测量的过程中，获取计数器的输出计数，并基于输出计数，获取对待测量带隙基准源的测量结果。本发明实施例能够更加准确、直观的显示测量结果。
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公开(公告)号：CN116781015B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310518544.6
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开了一种包络检波电路及芯片，该包络检波电路包括：电容充电电流提供模块，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供充电电流；电容放电电流提供模块，与电容充电电流提供模块连接，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供放电电流；电容，电容连接在电容充电电流提供模块或电容放电电流提供模块的两端之间；以及比较模块，用于比较连接电压与预设参考电压，其中，充电电流和放电电流满足使得在调制信号的第一个脉冲周期内连接电压达到小于预设参考电压；以及根据比较结果输出电平信号，以完成对调制信号的包络检波。藉此，实现了包络检波和传输低延时。
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公开(公告)号：CN115629283B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210995869.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路的第一组成部件支路或第二组成部件支路中的任一组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前第一组成部件支路和第二组成部件支路处于正向不导通的状态：控制测评组成部件支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制测评组成部件支路正向不导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取被测评的组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的组成部件的状态，以对被测评的组成部件进行测评。籍此，实现了无需拆卸组成部件即可对组成部件进行测评。
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